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EVG?120--光刻膠自動(dòng)化處理系統(tǒng)EVG ?120是用于當(dāng)潔凈室空間有限，需要生產(chǎn)一種緊湊的，節(jié)省成本光刻膠處理系統(tǒng)。 新型EVG120通用和全自動(dòng)光刻膠處理工具能夠處理各種形狀和尺寸達(dá)200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超...

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準(zhǔn)REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率...

F10-AR無(wú)須處理涂層背面我們探頭設(shè)計(jì)能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的鏡頭抑制的更多。就像我們所有的臺(tái)式儀器一樣，F(xiàn)10-AR需要連接到您裝有Windows計(jì)算機(jī)的USB端口上并在數(shù)分鐘內(nèi)即可完成設(shè)定。包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置F...

不管您參與對(duì)顯示器的基礎(chǔ)研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測(cè)量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測(cè)量有機(jī)發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對(duì)于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對(duì)于圖案片，Thetame...

高精度電容位移傳感器選型需要注意什么？1. 測(cè)量范圍。首先需要考慮需要測(cè)量的位移范圍，以選擇合適的傳感器型號(hào)和量程。如果位移范圍過(guò)大，需要選擇大量程的傳感器，如果位移范圍過(guò)小，需要選擇小量程的傳感器，以充分利用測(cè)量范圍。2. 精度和靈敏度。要考慮如果精度或靈敏...

高精度電容位移傳感器的檢驗(yàn)方法：對(duì)于高精度電容位移傳感器，為了保證其可靠性和準(zhǔn)確性，需要進(jìn)行嚴(yán)格的檢驗(yàn)和測(cè)試。以下是一些常見的高精度電容位移傳感器檢驗(yàn)方法：1. 零點(diǎn)偏差測(cè)試：在測(cè)量時(shí)，如果傳感器輸出信號(hào)為非零，則需要進(jìn)行零點(diǎn)偏差測(cè)試。測(cè)試時(shí)，需要將測(cè)量頭固定...

電容式位移傳感器是一種基于電容原理的位移測(cè)量?jī)x器。屬于完全非接觸式位移傳感器，被測(cè)物無(wú)需任何附加和其他特別的要求，被測(cè)物沒有任何損傷。它通過(guò)測(cè)量沿軸向的機(jī)械位移與電容量的比例關(guān)系來(lái)實(shí)現(xiàn)位移的精確測(cè)量的。電容式位移傳感器由金屬電極和測(cè)量介質(zhì)構(gòu)成，金屬電極之間通過(guò)...

高精度電容位移傳感器的安裝和使用注意事項(xiàng)：1. 安裝時(shí)，應(yīng)選擇一個(gè)穩(wěn)定、平整的表面或安裝座，確保傳感器和被測(cè)物體之間的距離精度符合要求。2. 傳感器的兩個(gè)電極之間需要接通信號(hào)線和電源線。應(yīng)注意線路的質(zhì)量，以避免線路干擾對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。3. 在使用前，需要對(duì)傳...

使用位移傳感器的注意事項(xiàng)：1、傳感器的供電情況，如果位移傳感器供電電源容量不足，就會(huì)造成以下的情況：熔膠的運(yùn)動(dòng)會(huì)使合模電子尺的顯示變換，有波動(dòng)，或者合模的運(yùn)動(dòng)會(huì)使射膠電子尺的顯示波動(dòng)，造成測(cè)量誤差變大。如果電磁閥的驅(qū)動(dòng)電源與直線位移傳感器供電電源共用的時(shí)候，更...

電容式位移傳感器具有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？電容式位移傳感器應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：1. 測(cè)量精度高：電容式位移傳感器具有很高的測(cè)量精度，測(cè)量范圍適中，且可以達(dá)到亞微米級(jí)別的精度，適用于高精度測(cè)量場(chǎng)合。2. 靈敏度好：電容式位移傳感器對(duì)于被測(cè)量的微小變化有較高的靈敏度，甚至在亞微米或...

位移傳感器是一種測(cè)量物體或構(gòu)件位置和方向的傳感器，用于測(cè)量在直線和/或角位移方向上的物理運(yùn)動(dòng)，可用于各種應(yīng)用，包括：1. 機(jī)械加工行業(yè)：用于測(cè)量機(jī)器的精度和位置，以確保產(chǎn)品的精度和質(zhì)量。同時(shí)，還可用于測(cè)量機(jī)器的擠出量和警戒限度等。2. 汽車行業(yè)：用于測(cè)量汽車上...

高精度電容位移傳感器選型需要注意什么？1. 測(cè)量范圍。首先需要考慮需要測(cè)量的位移范圍，以選擇合適的傳感器型號(hào)和量程。如果位移范圍過(guò)大，需要選擇大量程的傳感器，如果位移范圍過(guò)小，需要選擇小量程的傳感器，以充分利用測(cè)量范圍。2. 精度和靈敏度。要考慮如果精度或靈敏...

選購(gòu)高精度電容位移傳感器時(shí)，需要注意什么？1. 測(cè)量范圍：需要根據(jù)實(shí)際需求選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量范圍，以充分使用其測(cè)量能力。2. 精度和靈敏度：需要根據(jù)實(shí)際需求選擇具有合適的精度和靈敏度的傳感器，以保證測(cè)量的準(zhǔn)確性。3. 環(huán)境適應(yīng)性：根據(jù)使用場(chǎng)合選擇適合的傳感器，注意...

高精度電容位移傳感器的檢驗(yàn)方法：1. 周期測(cè)試：周期測(cè)試適用于周期性運(yùn)動(dòng)的測(cè)量，如機(jī)械運(yùn)動(dòng)和振動(dòng)等?？梢酝ㄟ^(guò)將測(cè)量頭與參考物固定，然后測(cè)量周期性運(yùn)動(dòng)的特性，如頻率、振幅和相位等，并記錄其變化過(guò)程，以檢查傳感器的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。2. 頻率響應(yīng)測(cè)試：頻率響應(yīng)測(cè)試可...

選擇高精度電容位移傳感器廠家時(shí)需要注意什么？1. 精度要求：電容式位移傳感器的精度要求高，因此選購(gòu)時(shí)需要了解其測(cè)量范圍和精度要求是否達(dá)到了實(shí)際應(yīng)用的要求。2. 品牌信譽(yù)：品牌信譽(yù)是選購(gòu)電容式位移傳感器時(shí)需要考慮的一個(gè)重要因素。選擇有較高名氣、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)豐富且產(chǎn)品...

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等...

SmartView?NT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對(duì)準(zhǔn)。全自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，采用微米級(jí)面對(duì)面晶圓對(duì)準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對(duì)準(zhǔn)。用于通用對(duì)準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級(jí)面對(duì)面晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的專有方法。這種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)于在lingxian技術(shù)的多個(gè)...

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表...

EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)...

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過(guò)控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)...

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來(lái)測(cè)試它所攜帶的眾多芯片，這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會(huì)在ZUI終測(cè)試時(shí)被拒...

陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ)，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或...

在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的...

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合...

EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過(guò)薄膜框...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計(jì)獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自...

EVG?610BA鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)的手動(dòng)鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。EVG610鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可通過(guò)底側(cè)顯微鏡提供手動(dòng)高精度對(duì)準(zhǔn)平臺(tái)。EVG的鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生...