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場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞...

20世紀(jì)初，由于無(wú)線電接收器探測(cè)器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二極管）大約在相同的時(shí)間分別研發(fā)。直到20世紀(jì)50年代之前，真空管二極管在收音機(jī)中都更為常用。這是因?yàn)樵缙诘狞c(diǎn)接觸式半導(dǎo)體二極管（貓須探測(cè)器）并不穩(wěn)定，并且那時(shí)大多數(shù)的收音機(jī)放...

二極管應(yīng)用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大...

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及...

三極管工作原理，三極管按材料差異可以分為：鍺管三極管和硅管三極管兩種，每一種有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在市面上使用較為普遍的為：鍺PNP和硅NPN兩種三極管，那么什么是三極管呢？N表示在高純度硅中加入適當(dāng)磷，在電壓刺激下三極管產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，p指的是加...

二極管的參數(shù)是正確使用二極管的依據(jù)，一般半導(dǎo)體器件手冊(cè)中都給出不同型號(hào)管子參數(shù)。使用時(shí)，應(yīng)特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓，否則將容易損壞管子。用數(shù)字表示同類型器件的不同型號(hào)用字母表示器件的類型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge....

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)...

早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)。現(xiàn)今較普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。正向性，外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

三極管的作用：擴(kuò)流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

三極管的作用：穩(wěn)壓，三極管還可以用于穩(wěn)壓電路。穩(wěn)壓電路是一種能夠保持輸出電壓恒定的電路，對(duì)電子設(shè)備的穩(wěn)定工作起著重要作用。在穩(wěn)壓電路中，三極管通過調(diào)節(jié)電流或電壓的變化，使得輸出電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的水平。這種穩(wěn)壓作用可以避免電子設(shè)備因電壓波動(dòng)而損壞，保證設(shè)備的正...

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一?？傊?有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等...

晶體管的分類 晶體管的種類很多，按照不同的標(biāo)準(zhǔn)可分為多種類型：按導(dǎo)電方式分有npn型晶體管和 pnp型晶體管；按結(jié)構(gòu)形式分有雙極性管（bjt）和三極型晶體管等；按工作電流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途來分則有普通型和特種型之分：...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)，這個(gè)器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，...

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向...

在較初被發(fā)明的那個(gè)年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·?？藸査箘?chuàng)造了術(shù)語(yǔ) Diode ，是從希臘語(yǔ)詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)...

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極...

在較初被發(fā)明的那個(gè)年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·?？藸査箘?chuàng)造了術(shù)語(yǔ) Diode ，是從希臘語(yǔ)詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)...

面接觸式二極管。面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個(gè)包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí)，電子會(huì)從N型...

整流二極管： 將交流電源整流成為直流電流的二極管叫作整流二極管。檢波二極管： 檢波二極管是用于把迭加在高頻載波上的低頻信號(hào)檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。開關(guān)二極管： 在脈沖數(shù)字電路中，用于接通和關(guān)斷電路的二極管叫開關(guān)二極管，它的特點(diǎn)是反向...

變?nèi)荻O管： 變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被普遍地用于參量放大器，電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中。瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS： 一種固態(tài)二極管，專門用于ESD保護(hù)。TVS二極管是和被保護(hù)電路并聯(lián)的，當(dāng)瞬態(tài)電壓超過電路的...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態(tài)，在沒有光照時(shí)，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時(shí)暗電流小，相當(dāng)于斷路；當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí)，光子打在PN附近，使PN結(jié)附近產(chǎn)生光生電子和光生空穴對(duì)，他們?cè)赑N結(jié)處的內(nèi)電場(chǎng)作用下做定向運(yùn)動(dòng)，形成光電流，光的照射強(qiáng)度越...

什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。三極管的分類，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域?？傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方...