MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容...
普通二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引...
搭建如下電路，使集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場的幫助下變寬，同時(shí)正向偏置的發(fā)射結(jié)，由于內(nèi)部電場被削弱，自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增...
三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為...
公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)且系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域；未來隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無人駕駛等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展。
