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漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管的3種狀態(tài)：三極管有三種狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。我們可以把三極管想象成一個(gè)水管。①截止?fàn)顟B(tài)，首先，當(dāng)我們沒有對(duì)水龍頭施加任何外力時(shí)，水龍頭是關(guān)閉的，水流無法通過，這時(shí)的狀態(tài)相當(dāng)于三極管的截止?fàn)顟B(tài)。具體來說，就是加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)...

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管的作用是通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下來分享在其他公眾號(hào)看到的一種通俗易懂的講法：1、截止?fàn)顟B(tài)，三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

這里我們來認(rèn)識(shí)一個(gè)基礎(chǔ)的電子元器件：三極管。內(nèi)容主要概括為以下幾個(gè)方面：①認(rèn)識(shí)三極管；②三極管的分類；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態(tài)；⑤三極管的功能及應(yīng)用。接下來筆者一一為大家進(jìn)行介紹。什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或...

場(chǎng)效應(yīng)管的作用：1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大，由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作...

三極管具有放大信號(hào)、開關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào)，三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無線電...

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50m...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)...

三極管的兩個(gè)PN結(jié)，類似于兩個(gè)共陰或共陽的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點(diǎn)是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機(jī)制像一個(gè)可控制的閥門。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側(cè)施加正電壓，陰極側(cè)施加負(fù)電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導(dǎo)體被注入電子，P型半導(dǎo)體被注入空穴。這樣一來，讓多數(shù)載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負(fù)載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電...

三極管簡(jiǎn)介，三極管，全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。三極管的常用型號(hào)，三極管常用的型號(hào)有...

二極管工作原理：二極管=PN結(jié)+馬甲兒，在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導(dǎo)體器件，目前較常見的結(jié)構(gòu)是，在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管，甚至可以說二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，因此二極管工作原理約等于PN的工作原理，小編從源頭講...

半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護(hù)電路（雪崩二極管），無線電調(diào)諧（變...

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)...

金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管在汽車?yán)走_(dá)中的應(yīng)用：汽車?yán)走_(dá)系統(tǒng)對(duì)于汽車的安全行駛和智能駕駛至關(guān)重要，金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管在其中扮演著角色。汽車行駛環(huán)境復(fù)雜多變，在高速公路上，車輛高速行駛，需要雷達(dá)能夠快速、精細(xì)地識(shí)別前方障礙物與車輛的距離。MESFET 憑借其高速信號(hào)處理能...

三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎(chǔ)的)，其他的兩個(gè)電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發(fā)射極(...

開關(guān)二極管，開關(guān)二極管是專門設(shè)計(jì)制造的一類二極管，用于在電路上“開”、“關(guān)”。與普通二極管相比，其由導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通的時(shí)間較短。半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通相當(dāng)于一個(gè)閉合開關(guān)，截止時(shí)等效于開啟(斷開)，因此二極管可用作開關(guān)，常用型號(hào)1N4148開關(guān)二極管。...

開關(guān)二極管，開關(guān)二極管是專門設(shè)計(jì)制造的一類二極管，用于在電路上“開”、“關(guān)”。與普通二極管相比，其由導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通的時(shí)間較短。半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通相當(dāng)于一個(gè)閉合開關(guān)，截止時(shí)等效于開啟(斷開)，因此二極管可用作開關(guān)，常用型號(hào)1N4148開關(guān)二極管。...