r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據(jù)實(shí)施方案13所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述基質(zhì)選自式8:[式8]15.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管,還包括:包含藍(lán)色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據(jù)實(shí)施方案15所述的有機(jī)發(fā)光二極管,還包括:包含第二藍(lán)色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據(jù)實(shí)施方案15所...
由第二發(fā)光部分450提供紅色波長(zhǎng)范圍的光和綠色波長(zhǎng)范圍的光。因此,包括第二發(fā)光部分450、包含藍(lán)色摻雜劑422的發(fā)光部分430和包含第二藍(lán)色摻雜劑462的第三發(fā)光部分470的oledd3發(fā)射白色光。此外,由于發(fā)光部分430和第三發(fā)光部分470分別包括分別包含藍(lán)色摻雜劑422和第二藍(lán)色摻雜劑462的eml420和第三eml460,因此oledd3的色溫得到改善。圖8是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的第四實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖8所示,oledd4包括電極510、第二電極512、在電極510與第二電極512之間的有機(jī)發(fā)光層514。有機(jī)發(fā)光層514包括:發(fā)光部分530,發(fā)光部分530包括eml...
r2=r4,輸出的電壓vout如公式2所示:vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口,該微控制器15完成對(duì)該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個(gè)實(shí)施例中,該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式,其中,在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient,簡(jiǎn)稱為ntc)電路的情況下,溫度采集電路14使用ntc方案,ntc體積小,可以離該發(fā)光二極管11非常近,同時(shí)精度高,靈敏度高,費(fèi)用低,非常合適用來(lái)測(cè)量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低,圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖,...
在照明裝置中,需要具有寬的半高全寬(fwhm)以提供高的色彩連續(xù)性的發(fā)光。為了提供w-oled,需要紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料和藍(lán)色發(fā)光材料。然而,未開(kāi)發(fā)出具有寬的fwhm的紅色延遲熒光材料。因此,需要開(kāi)發(fā)具有高的色彩連續(xù)性和高的發(fā)光效率的發(fā)光材料層。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:因此,本公開(kāi)內(nèi)容涉及有機(jī)發(fā)光二極管(oled)和包括其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而引起的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中闡述,并且部分地將根據(jù)該描述而顯而易見(jiàn),或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)書(shū)面說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)...
有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15%、17%、19%、20%、21%、23%或甚至25%。應(yīng)理解,前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的,并且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。附圖說(shuō)明附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被并入本說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分,舉例說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方案并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)光機(jī)理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容...
cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即,發(fā)光部分250和第二發(fā)光部分270通過(guò)cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結(jié)型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間,p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中,與作為陽(yáng)極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244,與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍(lán)色摻雜劑262?;蛘撸c作為陽(yáng)極的電極220相鄰的eml240可以包含藍(lán)色摻雜劑,與作為陰極...
顯示裝置300包括:其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如,基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320,以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體...
十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極;十八pmos管m9的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端,其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極,其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極;十九pmos管m10的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的反相輸入端,其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極;三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極;二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb,其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運(yùn)算放大器o...
參數(shù)解釋:泄漏電流是指電器在正常工作時(shí),其火線與零線之間產(chǎn)生的極為微小的電流,相當(dāng)于一般電器的靜電一樣,測(cè)試時(shí)用泄漏電流測(cè)試儀,主要測(cè)試其L極與N極。------摘自百度百科)比較大額定參數(shù)(25℃):Ppp(脈沖峰值功率)600WTj(結(jié)溫)-55到150℃Tstg(儲(chǔ)存溫度)-65到150℃TL(10s焊接過(guò)程中比較大焊接溫度)260℃(25℃):VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態(tài)抑制二極管的過(guò)程中,我們需要重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)為VRM反向關(guān)斷電壓即為電路正常工作時(shí)的電壓,脈沖峰值電流要小于IPP,VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖...
r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,m為2至5的整數(shù),n為1至3的整數(shù),以及m+n小于或等于6。例如,延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中,r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜...
基質(zhì)的重量百分比為約50%至80%。相對(duì)于基質(zhì),延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約20%至70%,磷光摻雜劑154的重量百分比可以為約%至2%?;|(zhì)可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中,y為o或s。在式7-1和式7-2中,r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。例如,基質(zhì)可以選自式8。[式8]有機(jī)發(fā)光層140還包括在電極120與eml150之間的空穴傳輸層(htl)164、在電極120與htl...
發(fā)光部分530、cgl580、第二發(fā)光部分550、第二cgl590和第三發(fā)光部分570順序堆疊在電極510上。換言之,發(fā)光部分530被定位在電極510與cgl580之間,第二發(fā)光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外,第三發(fā)光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發(fā)光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即,hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間,hil532被定位在電極510與htl534之間。此外,etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...
參數(shù)解釋:泄漏電流是指電器在正常工作時(shí),其火線與零線之間產(chǎn)生的極為微小的電流,相當(dāng)于一般電器的靜電一樣,測(cè)試時(shí)用泄漏電流測(cè)試儀,主要測(cè)試其L極與N極。------摘自百度百科)比較大額定參數(shù)(25℃):Ppp(脈沖峰值功率)600WTj(結(jié)溫)-55到150℃Tstg(儲(chǔ)存溫度)-65到150℃TL(10s焊接過(guò)程中比較大焊接溫度)260℃(25℃):VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態(tài)抑制二極管的過(guò)程中,我們需要重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)為VRM反向關(guān)斷電壓即為電路正常工作時(shí)的電壓,脈沖峰值電流要小于IPP,VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖...
可以將流過(guò)一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制,如當(dāng)只有一開(kāi)關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1和二開(kāi)關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開(kāi)關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流,如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式,包括九pmos管mp9,九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極,...
背景技術(shù)::隨著對(duì)占用面積小的平板顯示裝置的需求增加,包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置已成為近來(lái)研究和開(kāi)發(fā)的主題。oled通過(guò)將來(lái)自作為電子注入電極的陰極的電子和來(lái)自作為空穴注入電極的陽(yáng)極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中,使電子與空穴結(jié)合,生成激子,并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來(lái)發(fā)光??梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A(chǔ)基板。此外,有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運(yùn)行所需的電壓更低的電壓(例如,10v或更低)下運(yùn)行。此外,有機(jī)發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢(shì)。oled包括:在基板上方的作為陽(yáng)極的電極、與電極間隔開(kāi)并面向電極的第二電極、和其間的有機(jī)...
oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機(jī)發(fā)光層140。有機(jī)發(fā)光層140包括包含具有發(fā)射波長(zhǎng)范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對(duì)高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陽(yáng)極。例如,電極120可以包含透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo),但不限于此。當(dāng)oledd1為頂部發(fā)射型時(shí),可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如,反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對(duì)低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陰極。例如,第二電極130可...
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二,如圖4所示,該系統(tǒng)還包括報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21與所述微控制器15電性連接,在所述第二對(duì)比的結(jié)果超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍的情況下,所述微控制器15發(fā)送報(bào)警信號(hào)給所述報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21進(jìn)行報(bào)警,該報(bào)警電路21可以為發(fā)光設(shè)備的燈光報(bào)警,也可以是發(fā)聲設(shè)備的聲音報(bào)警。在一個(gè)實(shí)施例中,該驅(qū)動(dòng)板12與該發(fā)光二極管11連接,微控制器15控制該驅(qū)動(dòng)板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小,該微控制器15可以設(shè)置一個(gè)變化的電流值范圍,驅(qū)動(dòng)板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11,該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...
圖5為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的第二實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖5所示,oledd2包括電極220、第二電極230、在電極220與第二電極230之間的有機(jī)發(fā)光層290。有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250,其包括eml240;第二發(fā)光部分270,其包括第二eml260;和在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間的電荷生成層(cgl)280。電極220為用于注入空穴的陽(yáng)極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。第二電極230為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即,發(fā)光部分250、...
背景技術(shù):在相關(guān)技術(shù)中,帶影像功能的醫(yī)療器械主要包括前端圖像采集裝置,后端主機(jī)和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機(jī)主要負(fù)責(zé)圖像的采集與傳輸,冷光源負(fù)責(zé)提供合格的光源,圖像的好壞與冷光源的工作狀態(tài)有直接的關(guān)聯(lián),冷光源的中心部件就是led燈。市場(chǎng)上的led產(chǎn)品壽命通常標(biāo)稱30000-60000小時(shí),但是在使用一定時(shí)間后,led燈會(huì)出現(xiàn)光衰,色偏等不良變化。光衰導(dǎo)致亮度降低,色偏導(dǎo)致色溫偏移,進(jìn)而影響顯色性,這在醫(yī)用光源里是不可接受的。并且每個(gè)led燈都有細(xì)微的差別,依靠廠家的測(cè)試報(bào)告來(lái)推導(dǎo)工作壽命是不可取的,這就需要實(shí)時(shí)預(yù)警led的壽命針對(duì)相關(guān)技術(shù)中,單個(gè)led燈的使用壽命無(wú)法準(zhǔn)確預(yù)測(cè)...
并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間,第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍(lán)色摻雜劑542。藍(lán)色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長(zhǎng)范圍。例如,藍(lán)色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出,但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對(duì)于基質(zhì),藍(lán)色摻雜劑542的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。第三發(fā)光部...
陣列探測(cè)器的性能受到嚴(yán)重影響,制約其陣列規(guī)模。目前,可通過(guò)調(diào)節(jié)apd偏置電壓的方法來(lái)提高陣列探測(cè)器性能的均勻性。傳統(tǒng)方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數(shù)模轉(zhuǎn)換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的調(diào)節(jié)方式來(lái)調(diào)節(jié)apd的偏置電壓,即dac產(chǎn)生同時(shí)調(diào)節(jié)數(shù)個(gè)像素的基準(zhǔn)電壓作為ldo中誤差放大器的輸入,隨后ldo結(jié)構(gòu)根據(jù)dac提供的基準(zhǔn)電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)apd偏置電壓的調(diào)節(jié)。但是這種調(diào)節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素的調(diào)節(jié),此外ldo有限的帶寬較難實(shí)現(xiàn)apd快速充放電過(guò)程中的電壓穩(wěn)定性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:針對(duì)傳統(tǒng)apd偏置...
附圖說(shuō)明此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一;圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖;圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖;圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二;圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的運(yùn)放差分輸入電路的示意圖;圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖;圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實(shí)施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)...
第二藍(lán)色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍(lán)色摻雜劑422和第二藍(lán)色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出,但是第三eml460還可以包含基質(zhì)。相對(duì)于基質(zhì),第二藍(lán)色摻雜劑462的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。cgl480被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間,第二cgl490被定位在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即,發(fā)光部分430和第二發(fā)光部分450通過(guò)cgl480彼此連接,第二發(fā)光部分450和第三發(fā)光部分470通過(guò)第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl480...
可以將流過(guò)一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制,如當(dāng)只有一開(kāi)關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1和二開(kāi)關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開(kāi)關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流,如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式,包括九pmos管mp9,九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極,...
根據(jù)本發(fā)明的一方面,磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量%比(wpd/wtd)等于或小于%,并且推薦地為約%至%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,延遲熒光摻雜劑相對(duì)于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實(shí)施例7、9和10中所示,隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加,oled的效率降低。如上所述,在本公開(kāi)內(nèi)容的oledd1中,eml150包含在發(fā)射波長(zhǎng)范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154,并且相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。因此,oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示,照明裝...
柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無(wú)機(jī)絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機(jī)絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導(dǎo)體層322的兩側(cè)的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側(cè)以與柵極電極330間隔開(kāi)。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過(guò)柵極絕緣層324。或者,當(dāng)柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時(shí),接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過(guò)層間絕緣...
折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的一運(yùn)算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0,其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運(yùn)算放大器op1的輸入對(duì)管,其襯底均連接電源電壓;六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二,如圖4所示,該系統(tǒng)還包括報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21與所述微控制器15電性連接,在所述第二對(duì)比的結(jié)果超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍的情況下,所述微控制器15發(fā)送報(bào)警信號(hào)給所述報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21進(jìn)行報(bào)警,該報(bào)警電路21可以為發(fā)光設(shè)備的燈光報(bào)警,也可以是發(fā)聲設(shè)備的聲音報(bào)警。在一個(gè)實(shí)施例中,該驅(qū)動(dòng)板12與該發(fā)光二極管11連接,微控制器15控制該驅(qū)動(dòng)板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小,該微控制器15可以設(shè)置一個(gè)變化的電流值范圍,驅(qū)動(dòng)板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11,該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...
所述像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器、二運(yùn)算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一電阻、二電阻、一電流源和二電流源,一運(yùn)算放大器的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓,其反相輸入端連接二pmos管的源極和一電流源,其輸出端連接一pmos管的柵極;一pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接二pmos管的柵極并通過(guò)一電阻后連接負(fù)電源電壓;二運(yùn)算放大器的正相輸入端接地,其反相輸入端連接四pmos管的源極和二電流源,其輸出端連接三pmos管的柵極;三pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接四pmos管的柵極并通過(guò)二電阻后連接負(fù)電源電壓;二pmos管和四pmos管的漏極連接負(fù)...
該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值,依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值,依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值,該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下,該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法,圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖,如圖7所示,該方法包括如下步驟:步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值,依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值,調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良...