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背景技術(shù)：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機發(fā)光二極管(oled)的有機發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結(jié)合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光。可以使用柔性基板例如塑料基板作為在其中形成元件的基礎(chǔ)基板。此外，有機發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運行。此外，有機發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機...

TVS瞬態(tài)抑制二極管的作用：實際應(yīng)用中TVS二極管是反向并聯(lián)在電路中，當二極管兩端瞬間通過高能量的沖擊時，二極管能夠在極短的時間內(nèi)由關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通狀態(tài)，瞬間將電路中高能量沖擊吸收，并且將后端電路電壓鉗位在固定的電壓值上，從而到達保護后端電路的作用?，F(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：現(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：電器特征參數(shù)定義Ppp（Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率）VRM（Stand-off反向工作電壓/隔離電壓/反向關(guān)斷電壓）VBR（Breakdownvoltage擊穿電壓）VCL(Clampingvoltage鉗...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良...

五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負電源電壓vne，其漏極連接負電源電壓vne，其源極輸出浮動地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動地電壓連接復(fù)位管gn的源極，復(fù)位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實施例中提出一種比例電流鏡結(jié)構(gòu)，能夠步進調(diào)節(jié)鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開關(guān)s1、二開關(guān)s2、三開關(guān)s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之...

以及磷光摻雜劑244具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，以及第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內(nèi)，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質(zhì)?；|(zhì)可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

以通過控制流到三電阻r3上的電流大小來控制像素內(nèi)五pmos管mp5的柵極電壓的大小，進而控制浮動地點的電壓大小，從而保證實現(xiàn)浮動地處電壓的步進調(diào)節(jié)。本實施例中當一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3至少有一個閉合時，通過一電流鏡單元鏡像按不同比例鏡像的電流將浮動地電位調(diào)節(jié)為步進電壓的不同倍數(shù)，本實施例將步進電壓即一運算放大器op1正相輸入端的基準電壓vref設(shè)置為，將比例電流鏡中三個pmos管的寬長比設(shè)置為1:2:4，因此能將浮動地電位從0v～7倍步進電壓即0v、、1v、、2v、、3v、。當運放的正相輸入端輸入電壓為0v時，若二pmos管mp2管的漏端接地，則源漏電壓為0v，二pmos管m...

有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應(yīng)理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，舉例說明了本發(fā)明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容...

在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之，當eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量％)的磷光摻雜劑154時，延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光，使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito，)、hil(式9，)、htl(式10，)、ebl(式11，)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13，)、etl(式14，)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：70重量％，摻雜劑：30重量％)2...

以及磷光摻雜劑244具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，以及第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內(nèi)，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質(zhì)?；|(zhì)可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...

oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機發(fā)光層140。有機發(fā)光層140包括包含具有發(fā)射波長范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發(fā)射波長范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陽極。例如，電極120可以包含透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，但不限于此。當oledd1為頂部發(fā)射型時，可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陰極。例如，第二電極130可...

由第二發(fā)光部分450提供紅色波長范圍的光和綠色波長范圍的光。因此，包括第二發(fā)光部分450、包含藍色摻雜劑422的發(fā)光部分430和包含第二藍色摻雜劑462的第三發(fā)光部分470的oledd3發(fā)射白色光。此外，由于發(fā)光部分430和第三發(fā)光部分470分別包括分別包含藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462的eml420和第三eml460，因此oledd3的色溫得到改善。圖8是根據(jù)本公開內(nèi)容的第四實施方案的oled的示意性截面圖。如圖8所示，oledd4包括電極510、第二電極512、在電極510與第二電極512之間的有機發(fā)光層514。有機發(fā)光層514包括：發(fā)光部分530，發(fā)光部分530包括eml...

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二，如圖4所示，該系統(tǒng)還包括報警電路21，所述報警電路21與所述微控制器15電性連接，在所述第二對比的結(jié)果超出第二校準數(shù)據(jù)表的合理范圍的情況下，所述微控制器15發(fā)送報警信號給所述報警電路21，所述報警電路21進行報警，該報警電路21可以為發(fā)光設(shè)備的燈光報警，也可以是發(fā)聲設(shè)備的聲音報警。在一個實施例中，該驅(qū)動板12與該發(fā)光二極管11連接，微控制器15控制該驅(qū)動板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小，該微控制器15可以設(shè)置一個變化的電流值范圍，驅(qū)動板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11，該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...

發(fā)光部分530、cgl580、第二發(fā)光部分550、第二cgl590和第三發(fā)光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發(fā)光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發(fā)光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發(fā)光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發(fā)光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良...

并發(fā)送給所述微控制器；所述微控制器控制并獲取所述發(fā)光二極管的電流值，所述驅(qū)動板依據(jù)所述電流值驅(qū)動所述發(fā)光二極管；所述微控制器依據(jù)所述良好溫度值和所述良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)所述良好對比的結(jié)果對所述良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計表；所述微控制器依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值，調(diào)用預(yù)存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比，第二校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表，在所述第二對比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報警信息。在其中一個實施例中，所述驅(qū)動板與所述發(fā)光二極管連接，所述...

以及磷光摻雜劑244具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，以及第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內(nèi)，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質(zhì)?；|(zhì)可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...

r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據(jù)實施方案13所述的有機發(fā)光二極管，其中所述基質(zhì)選自式8：[式8]15.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，還包括：包含藍色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據(jù)實施方案15所述的有機發(fā)光二極管，還包括：包含第二藍色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據(jù)實施方案15所...

發(fā)送報警信息。圖3是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計示意圖，如圖3所示，該發(fā)光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關(guān)，例如，在依據(jù)該第二壓差值和電流值與該曲線進行對比的情況下，對比的結(jié)果超過預(yù)設(shè)的閾值，該微控制器15生成報警信息，該發(fā)光二極管11出廠前，對可以進行長時間的工作測試，例如，進行500小時的工作測試，該微控制器15記錄發(fā)光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該第二校準數(shù)據(jù)表，該第二校準數(shù)據(jù)表用于對該第二壓差值進行對比判斷，判斷該發(fā)光二極管11的壓差值是否在允...

背景技術(shù)：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機發(fā)光二極管(oled)的有機發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結(jié)合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光?？梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A(chǔ)基板。此外，有機發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運行。此外，有機發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機...

折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)的一運算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運算放大器op1的輸入對管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...

有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應(yīng)理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，舉例說明了本發(fā)明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容...

具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的描述。本發(fā)明提出一種基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極...

并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間，第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍色摻雜劑542。藍色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長范圍。例如，藍色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì)，藍色摻雜劑542的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第三發(fā)光部...

三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電，二電流鏡單元鏡像的電流在一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時能夠使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達到0v大小。具體過程為：像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中通過運放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v，將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進電壓，步進電壓的大小即為設(shè)置的基準電壓vref的電壓值。當一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時，鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像，鏡像過來的電流流經(jīng)像素內(nèi)的三電阻r3上，從而改變五p...

20.根據(jù)實施方案19所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。21.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：基板；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間并與所述有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。22.根據(jù)實施方案20所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間...

延遲熒光摻雜劑152提供高的發(fā)光效率和相對寬的fwhm，以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光。因此，oledd1提供高的發(fā)光效率和改善的色彩連續(xù)性。參照圖2，其為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖，“基質(zhì)”中生成的激子通過德克斯振能量轉(zhuǎn)移(dexterresonanceenergytransfer，dret)轉(zhuǎn)移到延遲熒光摻雜劑“td”中，并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態(tài)能量“s1”和三線態(tài)能量“t1”中的至少部分通過dret轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中。因此，從磷光摻雜劑“pd”發(fā)射紅色光。根據(jù)本發(fā)明的一方面，當磷光摻雜劑“pd”相對于延遲熒光摻...

并發(fā)送給所述微控制器；所述微控制器控制并獲取所述發(fā)光二極管的電流值，所述驅(qū)動板依據(jù)所述電流值驅(qū)動所述發(fā)光二極管；所述微控制器依據(jù)所述良好溫度值和所述良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)所述良好對比的結(jié)果對所述良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計表；所述微控制器依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值，調(diào)用預(yù)存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比，第二校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表，在所述第二對比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報警信息。在其中一個實施例中，所述驅(qū)動板與所述發(fā)光二極管連接，所述...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運算放大器o...

依據(jù)溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發(fā)光二極管的所述良好溫度值。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，還提供了一種醫(yī)療設(shè)備，包括存儲器、處理器和發(fā)光二極管，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。通過本發(fā)明，獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)該良好對比的結(jié)果對該良好壓差值進...