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可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制，如當(dāng)只有一開關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開關(guān)s1和二開關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體...

發(fā)光部分530、cgl580、第二發(fā)光部分550、第二cgl590和第三發(fā)光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發(fā)光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發(fā)光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發(fā)光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發(fā)光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

延遲熒光摻雜劑152提供高的發(fā)光效率和相對(duì)寬的fwhm，以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光。因此，oledd1提供高的發(fā)光效率和改善的色彩連續(xù)性。參照?qǐng)D2，其為示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)光機(jī)理的示意圖，“基質(zhì)”中生成的激子通過德克斯振能量轉(zhuǎn)移(dexterresonanceenergytransfer，dret)轉(zhuǎn)移到延遲熒光摻雜劑“td”中，并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態(tài)能量“s1”和三線態(tài)能量“t1”中的至少部分通過dret轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中。因此，從磷光摻雜劑“pd”發(fā)射紅色光。根據(jù)本發(fā)明的一方面，當(dāng)磷光摻雜劑“pd”相對(duì)于延遲熒光摻...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實(shí)施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實(shí)施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實(shí)施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實(shí)施例8(ex8...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良...

發(fā)送報(bào)警信息。圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖，如圖3所示，該發(fā)光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關(guān)，例如，在依據(jù)該第二壓差值和電流值與該曲線進(jìn)行對(duì)比的情況下，對(duì)比的結(jié)果超過預(yù)設(shè)的閾值，該微控制器15生成報(bào)警信息，該發(fā)光二極管11出廠前，對(duì)可以進(jìn)行長時(shí)間的工作測試，例如，進(jìn)行500小時(shí)的工作測試，該微控制器15記錄發(fā)光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表，該第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表用于對(duì)該第二壓差值進(jìn)行對(duì)比判斷，判斷該發(fā)光二極管11的壓差值是否在允...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

并發(fā)送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發(fā)光二極管11的電流值，該驅(qū)動(dòng)板12依據(jù)該電流值驅(qū)動(dòng)該發(fā)光二極管11；該微控制器15依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比，依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)后，獲取第二壓差值，良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計(jì)表；圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖，如圖2所示，發(fā)光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負(fù)相關(guān)，例如，該良好壓差值可以依據(jù)該正向壓降的曲線進(jìn)行校準(zhǔn)，調(diào)整為第二壓差值，該發(fā)光...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運(yùn)算放大器o...

良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計(jì)表；獲取發(fā)光二極管的電流值，依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行第二對(duì)比，第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始?jí)翰钪岛统跏茧娏髦到y(tǒng)計(jì)表，在所述第二對(duì)比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報(bào)警信息。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管電流值包括：獲取脈沖調(diào)制pwm信號(hào)，依據(jù)所述pwm信號(hào)和預(yù)設(shè)的最大電流值，確定所述電流值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管的良好壓差值包括：通過運(yùn)算差分電路接入所述發(fā)光二極管的兩端，獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管溫度值包括：獲...

所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變，從而將其鉗位到步進(jìn)電壓處。本發(fā)明提出通過引入負(fù)電源電壓vne對(duì)apd的偏壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時(shí)，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟，四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個(gè)閾值電壓vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定，pmos管的閾值電壓vth接近1v，所以負(fù)電源電壓vne可以設(shè)置為-1v?？梢姳景l(fā)明通過引入負(fù)電源電壓vne擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實(shí)施例中，一運(yùn)算...

發(fā)光部分530、cgl580、第二發(fā)光部分550、第二cgl590和第三發(fā)光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發(fā)光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發(fā)光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發(fā)光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發(fā)光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機(jī)發(fā)光層140。有機(jī)發(fā)光層140包括包含具有發(fā)射波長范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發(fā)射波長范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對(duì)高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陽極。例如，電極120可以包含透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，但不限于此。當(dāng)oledd1為頂部發(fā)射型時(shí)，可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對(duì)低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料并用作陰極。例如，第二電極130可...

本實(shí)施例提出的折疊式共源共柵運(yùn)放以pmos管作為輸入對(duì)管，其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端，十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對(duì)主要是出于對(duì)共模輸入范圍的考慮。因?yàn)樵撨\(yùn)放需鉗位步進(jìn)電壓和0v的電壓，倘若使用nmos管作為輸入對(duì)，為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區(qū)，則nmos輸入對(duì)的源端電壓應(yīng)該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅(qū)動(dòng)電壓，共模輸入范圍比較低點(diǎn)vgs9+vov13，vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓，vov13為三nmos管m13的過驅(qū)電壓。不妨假設(shè)vov13＝，nmos的閾值...

三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電，二電流鏡單元鏡像的電流在一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時(shí)能夠使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到0v大小。具體過程為：像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中通過運(yùn)放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v，將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進(jìn)電壓，步進(jìn)電壓的大小即為設(shè)置的基準(zhǔn)電壓vref的電壓值。當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時(shí)，鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像，鏡像過來的電流流經(jīng)像素內(nèi)的三電阻r3上，從而改變五p...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良...

背景技術(shù)：在相關(guān)技術(shù)中，帶影像功能的醫(yī)療器械主要包括前端圖像采集裝置，后端主機(jī)和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機(jī)主要負(fù)責(zé)圖像的采集與傳輸，冷光源負(fù)責(zé)提供合格的光源，圖像的好壞與冷光源的工作狀態(tài)有直接的關(guān)聯(lián)，冷光源的中心部件就是led燈。市場上的led產(chǎn)品壽命通常標(biāo)稱30000-60000小時(shí)，但是在使用一定時(shí)間后，led燈會(huì)出現(xiàn)光衰，色偏等不良變化。光衰導(dǎo)致亮度降低，色偏導(dǎo)致色溫偏移，進(jìn)而影響顯色性，這在醫(yī)用光源里是不可接受的。并且每個(gè)led燈都有細(xì)微的差別，依靠廠家的測試報(bào)告來推導(dǎo)工作壽命是不可取的，這就需要實(shí)時(shí)預(yù)警led的壽命針對(duì)相關(guān)技術(shù)中，單個(gè)led燈的使用壽命無法準(zhǔn)確預(yù)測...

并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘?，可以將來自oledd2的光設(shè)置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接。或者，可以將第二電極230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍(lán)色像素中的藍(lán)色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp提供紅色光、綠色光和藍(lán)色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的顯示裝置30...

2.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑具有比較大發(fā)射波長，以及所述磷光摻雜劑具有比所述比較大發(fā)射波長更長的第二比較大發(fā)射波長。3.根據(jù)實(shí)施方案2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。4.根據(jù)實(shí)施方案3所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。5.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以...

本實(shí)施例提出的折疊式共源共柵運(yùn)放以pmos管作為輸入對(duì)管，其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端，十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對(duì)主要是出于對(duì)共模輸入范圍的考慮。因?yàn)樵撨\(yùn)放需鉗位步進(jìn)電壓和0v的電壓，倘若使用nmos管作為輸入對(duì)，為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區(qū)，則nmos輸入對(duì)的源端電壓應(yīng)該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅(qū)動(dòng)電壓，共模輸入范圍比較低點(diǎn)vgs9+vov13，vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓，vov13為三nmos管m13的過驅(qū)電壓。不妨假設(shè)vov13＝，nmos的閾值...

并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘撸梢詫碜詏ledd2的光設(shè)置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接?；蛘?，可以將第二電極230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍(lán)色像素中的藍(lán)色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp提供紅色光、綠色光和藍(lán)色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的顯示裝置30...

r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜...

實(shí)時(shí)監(jiān)控發(fā)光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值，并依據(jù)良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表對(duì)壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)，在壓差值超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍后，進(jìn)行報(bào)警提醒，解決了單個(gè)led燈的使用壽命無法準(zhǔn)確預(yù)測的問題，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)led燈的使用壽命的準(zhǔn)確預(yù)測和報(bào)警。在一個(gè)實(shí)施例中，還提供了一種醫(yī)療設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器和發(fā)光二極管11，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的該的方法的步驟。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部...

有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應(yīng)理解，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，舉例說明了本發(fā)明的實(shí)施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)光機(jī)理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容...

第二藍(lán)色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍(lán)色摻雜劑422和第二藍(lán)色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出，但是第三eml460還可以包含基質(zhì)。相對(duì)于基質(zhì)，第二藍(lán)色摻雜劑462的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。cgl480被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間，第二cgl490被定位在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即，發(fā)光部分430和第二發(fā)光部分450通過cgl480彼此連接，第二發(fā)光部分450和第三發(fā)光部分470通過第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl480...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實(shí)施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實(shí)施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實(shí)施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實(shí)施例8(ex8...

r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據(jù)實(shí)施方案13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述基質(zhì)選自式8：[式8]15.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括：包含藍(lán)色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據(jù)實(shí)施方案15所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括：包含第二藍(lán)色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據(jù)實(shí)施方案15所...

折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的一運(yùn)算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運(yùn)算放大器op1的輸入對(duì)管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...

依據(jù)溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發(fā)光二極管的所述良好溫度值。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還提供了一種醫(yī)療設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器和發(fā)光二極管，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。通過本發(fā)明，獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比，依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)...