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然后將裝有蝕刻液的石英燒瓶放入加熱套中加熱,待加熱到確定溫度后,放入氮化硅樣片進(jìn)行蝕刻;蝕刻完后,取出樣片采用熱超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊?,使用橢圓偏振光譜儀對(duì)蝕刻前所取位置的6個(gè)點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量,計(jì)算蝕刻前后6個(gè)取點(diǎn)的厚度差值,對(duì)比6個(gè)點(diǎn)之間的厚度差值的...
并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?,F(xiàn)象,確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果,以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50,...
本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù):廢銅蝕刻液含有可回收的金屬,所以需要進(jìn)行回收處理,目前通用的做法是,使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅,或提煉成硫酸銅產(chǎn)品,工藝落后,銅回收不徹底,處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯,有二次污染污染物...
T156WXB-500HB156WX1-100HT156WXB-502HB156WX1-600HB156WX1-500NT156WHM-N21HB156WX1-200NT156WHM-N10HB156FH1-301HB156FH1-401NT156WH
gradodelafuentedeescapeeinfluenciadelaventilación)laextensióndecadazonapeligrosaobedeceráalossiguientescriteriosyconsideracion...
EN10029yEN10029AC).2.aSobrelongitudes:+1/.aSobrecapacidadnominal:+3/ónovalización:semidelaovalizaciónantesydespuésdelllenadode...
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litrosdecapacidadnominal:.oParadepósitosde&litrosdecapacidadnominal:óánecesarialaejecucióndeuncubetoestancocontubobuzodetector...
隨著國(guó)內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè),風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo):與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展,鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示...
該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12,以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13,其主要特征在于:該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置,且...
技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,可用于微納制造,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué),生物領(lǐng)域,mems領(lǐng)域,nems領(lǐng)域。技術(shù)背景:微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志,對(duì)提高人們的生活水平,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),保障**安全等方...
在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下,能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化,且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水,推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以...
對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一,請(qǐng)...
每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中,閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中,閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中,閥...
這是除去固體顆粒、電子流、水、或者或多或少具有極性的油脂污染的要求。在精細(xì)清洗中,經(jīng)常存在裝有凹槽、肋條或盲孔的非常復(fù)雜的部件,必須用溶劑對(duì)其進(jìn)行潤(rùn)濕,以使溶劑在這些難洗位置發(fā)揮作用。氟化溶劑來(lái)自提供表面的可能性的潤(rùn)濕的溶劑類(lèi)型,其中,所述表面的可能性...
所述九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟異丁基烷基醚組成。5.權(quán)利要求14中任一項(xiàng)的組合物,特征在于,所述組合物是共沸的或共沸型的。6.權(quán)利要求5的組合物,特征在于,所述組合物包含515重量%的甲基四氫呋喃和8595重量%的九氟丁基甲基醚。7.共...
名稱(chēng):含有全氟丁基醚的組合物的制作方法含有全氟丁基醚的組合物本發(fā)明涉及共沸或共沸型的全氟丁基醚混合物或組合物。更具體地說(shuō),本發(fā)明的一個(gè)主題是包含至少一種九氟丁基烷基醚和可生物降解化合物的組合物。地球大氣阻擋了來(lái)自于地球的IR發(fā)射,這是導(dǎo)致溫室效應(yīng)和有利...
能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒(méi)有特別限定,例如,可以舉出在設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1~60分鐘左右的條件、將設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1~60分鐘左右的條件。需要說(shuō)明的是,浸漬時(shí),可以搖動(dòng)基材,或?qū)Ρ?..
所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線(xiàn)和沉淀劑輸入管線(xiàn),所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同,均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣...
閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中,閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中,閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的,閥門(mén)開(kāi)關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過(guò)濾器30的任意管道上,在此不做...
所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線(xiàn)和沉淀劑輸入管線(xiàn),所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同,均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣...
避免連接構(gòu)件11的兩側(cè)與操作人員的手接觸的時(shí)候,會(huì)因操作人員的手沾濕出現(xiàn)手滑的情況,有效的保證了裝置內(nèi)部構(gòu)件的連接工作能正常的進(jìn)行。推薦的,支撐腿2的底端嵌入連接有防滑紋6,在制備蝕刻液的時(shí)候,需要將裝置固定的特定的位置,通過(guò)支撐腿2將裝置主體1進(jìn)行支...
該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等,且該上孔徑a1小于該下孔徑a2,或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮,以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀4...
本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例,用于半導(dǎo)體制造工藝中,可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成...
neutroyconductordeproteccióónentreloselementosdelsurtidor(emisordeimpulsos,solenoides,calculador,etc.),seconsiderasuficientela...
內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件14,震蕩彈簧件14頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13,運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13頂端的控制面板15,內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔17共同組合而成,由于鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性,常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕,影響蝕刻液的質(zhì)量,...