Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）電機驅(qū)動電路：直流電機驅(qū)動電路、步進(jìn)電機驅(qū)動電路和伺服電機驅(qū)動電路，通常需要控制電機的轉(zhuǎn)速和方向。徐匯區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路銷售廠

推挽驅(qū)動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管，始終處于一個導(dǎo)通、一個截止的狀態(tài)，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時，也就是下級負(fù)載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當(dāng)輸出高電平時，也就是下級負(fù)載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經(jīng) T3、D1 拉出。長寧區(qū)好的驅(qū)動電路現(xiàn)價它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計算機、通信設(shè)備、電視、汽車、機器人等領(lǐng)域。

3.關(guān)斷瞬時：足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ；反偏截止電壓，使ic迅速下降，減小 。恒流驅(qū)動電路恒定電路即基極電流恒定，功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動優(yōu)點：優(yōu)點： 電路簡單；普通恒流驅(qū)動電路恒流驅(qū)動缺點：輕載時深度飽和，關(guān)斷時間長。驅(qū)動電路的實質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通：1.驅(qū)動電壓足夠高，一般>10V；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動電流，快的上升沿； （加速開通）3.驅(qū)動電路內(nèi)阻抗小。 （加速開通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動電流，快的下降沿； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）

文中設(shè)計的電路利用RC充放電電路來實現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時，維持電流補償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時，維持電流補償電路關(guān)斷，維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負(fù)壓驅(qū)動，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。

驅(qū)動電路(Drive Circuit)，位于主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進(jìn)行放大的中間電路（即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管），稱為驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率晶體管—開關(guān)功率放大作用?；救蝿?wù)驅(qū)動電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。隔離驅(qū)動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動、變壓器驅(qū)動以及隔離電容驅(qū)動等。閔行區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路服務(wù)熱線

高邊驅(qū)動：則用于將功率開關(guān)器件連接在電源正極一側(cè)。徐匯區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路銷售廠

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。徐匯區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路銷售廠

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