單硅電容以其簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)和高效的性能受到關(guān)注。單硅電容只由一個(gè)硅基單元構(gòu)成電容主體，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制造和集成。這種簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)使得單硅電容的體積...
在模擬仿真領(lǐng)域，隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片起著關(guān)鍵作用。許多模擬仿真場(chǎng)景需要引入隨機(jī)因素，以更真實(shí)地模擬現(xiàn)實(shí)世界的復(fù)雜性和不確定性。例如，在天氣預(yù)報(bào)模...
鐵磁存儲(chǔ)和反鐵磁磁存儲(chǔ)是兩種不同類型的磁存儲(chǔ)方式，它們?cè)诖判蕴匦院蛻?yīng)用方面存在著明顯的差異。鐵磁存儲(chǔ)利用鐵磁材料的強(qiáng)磁性來(lái)記錄數(shù)據(jù)，鐵磁材料...
物理噪聲源芯片的應(yīng)用范圍不斷拓展。除了傳統(tǒng)的通信加密、密碼學(xué)等領(lǐng)域，它還在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、區(qū)塊鏈等新興領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用。在物聯(lián)網(wǎng)中，物理噪...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽(yáng)澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開(kāi)發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國(guó)際化團(tuán)隊(duì)，成員來(lái)自中國(guó)大陸，美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國(guó)突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開(kāi)發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲(chǔ)芯片---電壓控制磁存儲(chǔ)器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
