廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。
UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導(dǎo)體器件制造。
其他光刻膠
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水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點,重量 1L。
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水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應(yīng)用場景。
水性感光膠推薦吉田 JT-1200,精細網(wǎng)點+易操作性!內(nèi)蒙古負性光刻膠價格
厚板光刻膠
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電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性,比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板,能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。
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功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),保障芯片內(nèi)部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
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半導(dǎo)體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
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平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現(xiàn)圖像顯示。
內(nèi)蒙古負性光刻膠價格納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!
半導(dǎo)體集成電路
? 應(yīng)用場景:
? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結(jié)構(gòu);
? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍?nèi)芤焊g。
? 關(guān)鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。
印刷電路板(PCB)
? 應(yīng)用場景:
? 線路成像:負性膠(如環(huán)化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅);
? 阻焊層:厚負性膠(50-100μm)覆蓋非焊盤區(qū)域,耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕;
? 撓性PCB(FPC):正性膠用于精細線路(線寬≤20μm),需耐彎曲應(yīng)力。
? 優(yōu)勢:工藝簡單、成本低,適合大面積基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板顯示
? 應(yīng)用場景:
? 彩色濾光片:正性膠制作黑矩陣(BM)和RGB色阻間隔層,耐UV固化和濕法蝕刻(如HF溶液);
? OLED像素定義:負性膠形成像素開口(孔徑5-50μm),耐有機溶劑(如OLED蒸鍍前的清洗液);
? 觸控面板:正性膠制作透明電極(如ITO線路),線寬≤10μm,需透光率>90%。
? 關(guān)鍵參數(shù):高透光性、低收縮率(避免圖案變形)。
吉田半導(dǎo)體獲評 "專精特新" 企業(yè),行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為,吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn),吉田半導(dǎo)體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" ",承擔(dān)多項國家 02 專項課題。公司主導(dǎo)制定《半導(dǎo)體光刻膠用樹脂技術(shù)規(guī)范》等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),推動國產(chǎn)材料標(biāo)準(zhǔn)化進程。未來,吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以" 中國半導(dǎo)體材料方案提供商 "為愿景,深化技術(shù)研發(fā)與市場拓展,為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻" 中國力量 "。無鹵無鉛錫育廠家吉田,RoHS 認證,為新能源領(lǐng)域提供服務(wù)!
不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導(dǎo)體YK-300系列
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發(fā)中(吉田半導(dǎo)體合作攻關(guān))
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環(huán)保PCB阻焊層 吉田半導(dǎo)體WT-200系列
總結(jié):多領(lǐng)域滲透的“工業(yè)維生素”
光刻膠的應(yīng)用深度綁定電子信息產(chǎn)業(yè),從半導(dǎo)體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,再到顯示面板的“色彩精細控制”,其技術(shù)參數(shù)(分辨率、耐蝕刻性、靈敏度)需根據(jù)場景設(shè)計。隨著**新能源(車規(guī)芯片、光伏)、新型顯示(Micro LED)、先進制造(納米壓?。?*等領(lǐng)域的發(fā)展,光刻膠的應(yīng)用邊界將持續(xù)擴展,成為支撐制造的關(guān)鍵材料。
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光刻膠:半導(dǎo)體之路上的挑戰(zhàn)與突破。內(nèi)蒙古負性光刻膠價格
關(guān)鍵工藝流程
涂布與前烘:
? 旋涂或噴涂負性膠,厚度可達1-100μm(遠厚于正性膠),前烘溫度60-90℃,去除溶劑并增強附著力。
曝光:
? 光源以**汞燈G線(436nm)**為主,適用于≥1μm線寬,曝光能量較高(約200-500mJ/cm2),需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。
顯影:
? 使用有機溶劑顯影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解,曝光的交聯(lián)膠膜保留。
后處理:
? 后烘(Post-Bake):加熱(100-150℃)進一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu),提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。
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