功率密度
在更小的空間實(shí)現(xiàn)更大的功率，以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能隨著功率需求的增加，電路板面積和高度正在成為限制因素。電力設(shè)計(jì)師必須在應(yīng)用中加入更多的電路，以使其產(chǎn)品與眾不同，同時(shí)提高效率和熱性能?，F(xiàn)在，使用TI的先進(jìn)工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可以以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率水平。
產(chǎn)生較少熱量的設(shè)備
?業(yè)界先進(jìn)的功率處理節(jié)點(diǎn)，適用于<100 V
?600-V氮化鎵（GaN）器件具有很好的開關(guān)性能
熱圖像比較了更高的效率對溫升的影響。
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降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
當(dāng)系統(tǒng)共享公共物理觸點(diǎn)時(shí)，開關(guān)電源中不連續(xù)電流產(chǎn)生的輸入電壓紋波可傳導(dǎo)至其他系統(tǒng)。如果沒有適當(dāng)?shù)木徑獯胧?，過大的輸入或輸出電壓紋波可能會(huì)危及電源、負(fù)載或相鄰系統(tǒng)的運(yùn)行。
傳統(tǒng)上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規(guī)范所需的衰減。
取舍是根據(jù)所需衰減對系統(tǒng)的尺寸和成本進(jìn)行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設(shè)計(jì)的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。
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新的UCC3808x系列穩(wěn)壓IC基于UCC3808A體系結(jié)構(gòu)。
主要區(qū)別包括向CS信號(hào)添加可編程斜率補(bǔ)償斜坡和移除誤差放大器。通過外部電阻器流出ISET引腳的電流在內(nèi)部進(jìn)行監(jiān)控，以設(shè)置斜率補(bǔ)償功能的大小。該裝置還包括一個(gè)從CS引腳到接地的內(nèi)部放電晶體管，該晶體管在脈沖終止后的每個(gè)時(shí)鐘周期被***。這將在每個(gè)周期中釋放CS引腳上的任何濾波器電容，并有助于**小化濾波器電容值和電流檢測延遲。
UCC38083穩(wěn)壓IC和UCC38084設(shè)備穩(wěn)壓IC的典型軟啟動(dòng)間隔時(shí)間為3.5 ms，而對于不需要內(nèi)部軟啟動(dòng)的應(yīng)用，UCC38085和UCC38086的軟啟動(dòng)間隔時(shí)間小于100μs。
穩(wěn)壓IC專題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。
TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運(yùn)行開關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時(shí)使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個(gè)好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對稱性，輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場位于對稱回路內(nèi)，從而將對附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進(jìn)一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴(yán)格的FM頻段，如下圖17所示。
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什么是TI穩(wěn)壓IC的EMI， 續(xù)。。。
TI穩(wěn)壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導(dǎo)發(fā)射的通用測試設(shè)置，包括電源、線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（LISN）、EMI接收器、電源線和被測設(shè)備（DUT）。LISN起著關(guān)鍵作用，充當(dāng)?shù)屯V波器，確保重復(fù)性和
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EMI測量的可比性，并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個(gè)重要的細(xì)分
發(fā)射到共模（CM）和差模（DM）電流。DM電流在電源線及其回路之間流動(dòng)，在低頻率下是主導(dǎo)因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動(dòng)，是高頻下的主導(dǎo)因素。
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