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功率MOSFET概述:
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù),與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導(dǎo)通電阻,需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形,這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比,從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率,**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET,穩(wěn)壓IC主要包括:N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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用于需要高達(dá)50A的應(yīng)用。
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穩(wěn)壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊,
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