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開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時,三極管就進入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

下面對二極管伏安特性曲線加以說明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時，就產(chǎn)生正向電流，當(dāng)正向電壓較小時，正向電流極?。◣缀鯙榱悖?，這一部分稱為死區(qū)，相應(yīng)的A（A′）點的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（O...

常見到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管，翠綠色是人眼感覺較舒服的顏色，所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多，同時價格也就較便宜，比如手機上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的，這就造成了同樣電壓和電流情況下，發(fā)出的光線強度不同，比如電路...

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極...

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管的3種狀態(tài)：三極管有三種狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。我們可以把三極管想象成一個水管。①截止?fàn)顟B(tài)，首先，當(dāng)我們沒有對水龍頭施加任何外力時，水龍頭是關(guān)閉的，水流無法通過，這時的狀態(tài)相當(dāng)于三極管的截止?fàn)顟B(tài)。具體來說，就是加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)...

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時,三極管就進入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時，該...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時,三極管就進入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

三極管的作用是通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結(jié)構(gòu)分類：NPN型和PNP型，區(qū)分兩種三極管的關(guān)鍵是看發(fā)射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下來分享在其他公眾號看到的一種通俗易懂的講法：1、截止?fàn)顟B(tài)，三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時，三極管就會進入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭...

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

這里我們來認(rèn)識一個基礎(chǔ)的電子元器件：三極管。內(nèi)容主要概括為以下幾個方面：①認(rèn)識三極管；②三極管的分類；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態(tài)；⑤三極管的功能及應(yīng)用。接下來筆者一一為大家進行介紹。什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或...

場效應(yīng)管的作用：1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大，由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作...

三極管具有放大信號、開關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對電子設(shè)備的正常運行起著至關(guān)重要的作用。放大信號，三極管可以將微弱的輸入信號放大成較大的輸出信號。它通過調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號得以放大。這種放大作用在無線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無線電...

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50m...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ...

LED 燈具的驅(qū)動。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計時...

三極管的兩個PN結(jié)，類似于兩個共陰或共陽的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機制像一個可控制的閥門。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側(cè)施加正電壓，陰極側(cè)施加負(fù)電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導(dǎo)體被注入電子，P型半導(dǎo)體被注入空穴。這樣一來，讓多數(shù)載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負(fù)載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來...