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場效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

半導(dǎo)體三極管的好壞檢測：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位；b.測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值。紅表筆接基極，黑表筆接發(fā)射極，所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值，若將黑表筆接集電極（紅表筆不動），所測得阻值便是集電極的正向電阻值，正向電阻值...

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量...

在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態(tài)（800-1000℃）后可導(dǎo)致它釋放電子到真空。這一過程即熱發(fā)射。陰極通常涂有堿土金屬氧化物，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數(shù)，可使發(fā)射的電子數(shù)量增加。有些真空管則...

三極管放大信號，三極管在放大信號時，首先要進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，即要先建立合適的靜態(tài)工作點，也叫 建立偏置 ，否則會放大失真。我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向都是流入發(fā)射極的，所以發(fā)射...

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴(kuò)散臺面型。...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...

二極管的正向特性，當(dāng)外加正向電壓時，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加。但在開始的一段，由于外加電壓很低。外電場不能克服PN結(jié)的內(nèi)電場，半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子不能順利通過阻擋層，所以這時的正向電流極?。ㄔ摱嗡鶎?yīng)的電壓稱為死區(qū)電壓，硅管的死區(qū)電壓約為0～0.5伏...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結(jié)，它的導(dǎo)...

快恢復(fù)二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?？旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個使用晶體檢測無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級別對微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

三極管能夠放大信號的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來控制比較大的集電極電流和發(fā)射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發(fā)射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號源...

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，...

場效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說的三極管。三極管顧名思義具有三個電極。前面的二極管是由一個P-N結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)...

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結(jié)，它的導(dǎo)...

三極管是一種重要的電子元件，普遍應(yīng)用于各種電路中。三極管的作用：開關(guān)電路，三極管還可以作為開關(guān)使用。它可以控制電流的開關(guān)，將電流從一個電路傳遞到另一個電路。這種開關(guān)功能在數(shù)字電子設(shè)備和計算機中被普遍應(yīng)用。在數(shù)字電子設(shè)備中，三極管可以將電流的開關(guān)控制與邏輯電路相...

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化...

三極管具有三個工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。在模擬電路中可以用這些特性實現(xiàn)不一樣的功能，在數(shù)字電路中，只有0和1兩個狀態(tài)，所以數(shù)字電路中三極管主要用作電子開關(guān)來使用，這時候三極管工作在截止和飽和狀態(tài)，即要么導(dǎo)通，要么斷開，就相當(dāng)于一個開關(guān)。三極管的...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MO...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

在較初被發(fā)明的那個年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·?？藸査箘?chuàng)造了術(shù)語 Diode ，是從希臘語詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)...

晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相...

階躍二極管，階躍二極管一種特殊的變?nèi)莨?，又稱為階躍恢復(fù)二極管或電荷存儲二極管,簡稱階躍管，英文名稱為Step-Recovary Diode，它具有高度非線性的電抗，應(yīng)用于倍頻器時代獨有的特點，利用其反向恢復(fù)電流的快速突變中所包含的豐富諧波，可獲得高效率的高次倍...

三極管的介紹：主要參數(shù)：1 電流放大系數(shù)： ⑴直流電流放大系數(shù)； ⑵交流電流放大系數(shù)； ⑶共基極電流放大系數(shù)。2 頻率特性參數(shù)： ⑴共基極截止頻率fa； ⑵共發(fā)射極截止頻率fb； ⑶特性頻率ft； ⑷較高振蕩頻率fm；3 極間反向電流： ⑴集電極－基極反向截...

面接觸式二極管。面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時，電子會從N型...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結(jié)，它的導(dǎo)...