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MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機(jī)/無(wú)機(jī)材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)，以其獨(dú)特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管...

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA高敏檢測(cè)產(chǎn)品具有微量的優(yōu)勢(shì)： 微量：芯片上反應(yīng)，流道區(qū)只有幾十微米高度，極大降低試劑、樣本用量；微量試劑檢測(cè)：更少只需10ul樣本、試劑只為常規(guī)的1/10； 芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA高敏檢測(cè)產(chǎn)品具有靈活的優(yōu)勢(shì)...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應(yīng)用前景： 在通信系統(tǒng)、雷達(dá)屏蔽、空間勘測(cè)等領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用前景，近年來(lái)受到學(xué)術(shù)界的關(guān)注。基于微米納米技術(shù)設(shè)計(jì)的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現(xiàn)出優(yōu)異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設(shè)計(jì)，獲得更優(yōu)的頻譜...

基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理： 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過(guò)外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過(guò)襯底進(jìn)行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng)，其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相...

抗體篩選芯片：高效正交配對(duì)的關(guān)鍵工具，抗體篩選芯片在單通道內(nèi)以3×6、4×5等排列方式預(yù)設(shè)18-21個(gè)抗體檢測(cè)區(qū)域，支持288-336次測(cè)試/小時(shí)的高通量篩選，成為抗體開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的高效平臺(tái)。其**優(yōu)勢(shì)在于“多、快、省”：?jiǎn)瓮ǖ蓝嘀笜?biāo)檢測(cè)能力滿足多種抗體配對(duì)同時(shí)測(cè)...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 運(yùn)動(dòng)追蹤在運(yùn)動(dòng)員的日常訓(xùn)練中，MEMS傳感器可以用來(lái)進(jìn)行3D人體運(yùn)動(dòng)測(cè)量，通過(guò)基于聲學(xué)TOF，或者基于光學(xué)的TOF技術(shù)，對(duì)每一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行記錄，教練們對(duì)結(jié)果分析，反復(fù)比較，以便提高運(yùn)動(dòng)員的成績(jī)。隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)...

創(chuàng)新性的解決方案：芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA 我公司推出的數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景：適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、ELISA檢測(cè)、動(dòng)物病情檢測(cè)等各種應(yīng)用場(chǎng)景應(yīng)用范圍：各種高靈敏多重免疫檢測(cè)，可替代各種...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構(gòu)成的薄膜材料，它是通過(guò)將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強(qiáng)極性溶劑中進(jìn)行縮聚反應(yīng)，然后流延成膜，然后經(jīng)過(guò)亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有...

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA，每個(gè)生物/醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)； 單分子的檢測(cè)原理：由Simoa數(shù)字免疫分析法實(shí)現(xiàn)的超靈敏度已在先前討論過(guò)。簡(jiǎn)而言之，類似免疫分析中的酶-底物反應(yīng)是在相對(duì)較大的反應(yīng)體積（50-100μL）中進(jìn)行的，在信號(hào)生成步驟中...

超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計(jì)與性能突破：針對(duì)超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開(kāi)發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實(shí)現(xiàn)發(fā)射與開(kāi)關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時(shí)提升性能。在發(fā)射端，通過(guò)MEMS高壓驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)...

芯棄疾JX-8B數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品為什么能做到？ 先進(jìn)新型的單分子檢測(cè)方法的普及版；每個(gè)生物/醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)；使用現(xiàn)有平臺(tái)就能做的單分子免疫檢測(cè)且具有以下特點(diǎn)：多重、超敏微量、極速靈活、開(kāi)放； 我們的芯棄疾....

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA，每個(gè)生物/醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)； 單分子的檢測(cè)原理：由Simoa數(shù)字免疫分析法實(shí)現(xiàn)的超靈敏度已在先前討論過(guò)。簡(jiǎn)而言之，類似免疫分析中的酶-底物反應(yīng)是在相對(duì)較大的反應(yīng)體積（50-100μL）中進(jìn)行的，在信號(hào)生成步驟中...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)： 1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時(shí)，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。 2.聲表面波器件的抗輻射能力...

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征，公司開(kāi)發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù)，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過(guò)自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法...

MEMS技術(shù)的主要分類：生物MEMS技術(shù)是用MEMS技術(shù)制造的化學(xué)/生物微型分析和檢測(cè)芯片或儀器，統(tǒng)稱為Bio-sensor技術(shù)，是一類在襯底上制造出的微型驅(qū)動(dòng)泵、微控制閥、通道網(wǎng)絡(luò)、樣品處理器、混合池、計(jì)量、增擴(kuò)器、反應(yīng)器、分離器以及檢測(cè)器等元器件并集成為多...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些...

基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理： 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過(guò)外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過(guò)襯底進(jìn)行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng)，其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相...

弧形柱子點(diǎn)陣的微納加工技術(shù)：弧形柱子點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在細(xì)胞黏附、流體動(dòng)力學(xué)調(diào)控中具有重要應(yīng)用，公司通過(guò)激光直寫與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）技術(shù)實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的精密加工。首先利用激光直寫系統(tǒng)在光刻膠上繪制弧形軌跡，**小曲率半徑可達(dá)5μm，線條寬度10-50μm；然后通過(guò)RIE...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應(yīng)用前景： 在通信系統(tǒng)、雷達(dá)屏蔽、空間勘測(cè)等領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用前景，近年來(lái)受到學(xué)術(shù)界的關(guān)注?；谖⒚准{米技術(shù)設(shè)計(jì)的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現(xiàn)出優(yōu)異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設(shè)計(jì)，獲得更優(yōu)的頻譜...

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA產(chǎn)品 單分子POCT產(chǎn)品-數(shù)字化ELISA芯片，幫您數(shù)字化高靈敏檢測(cè)，且微量樣本多重指標(biāo)檢 數(shù)字化高靈敏ELISA芯片，低成本、便捷、快速進(jìn)行微量樣本的檢測(cè)；我公司推出的數(shù)字化高靈敏ELISA芯片，可進(jìn)行低成本、便...

超多重檢測(cè)的臨床數(shù)據(jù)價(jià)值：標(biāo)記物組合的精細(xì)篩選，超多重檢測(cè)芯片通過(guò)21項(xiàng)指標(biāo)的同步檢測(cè)，為疾病診斷提供了多維數(shù)據(jù)支持。在肺*普查中，同時(shí)分析29種標(biāo)記物的表達(dá)模式，可構(gòu)建特異性>80%的三聯(lián)檢測(cè)模型（如CEA+SA+CA242），較單一指標(biāo)檢測(cè)準(zhǔn)確率提升40%...

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征，公司開(kāi)發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù)，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過(guò)自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應(yīng)用創(chuàng)新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術(shù)，公司在0.18μm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了發(fā)射與開(kāi)關(guān)電路的集成創(chuàng)新。通過(guò)SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達(dá)200V以上，漏電...

芯棄疾單分子芯片：飛克級(jí)檢測(cè)突破低豐度蛋白檢測(cè)瓶頸，芯棄疾單分子芯片依托單分散陣列化技術(shù)與微米級(jí)捕獲結(jié)構(gòu)，構(gòu)建了低豐度蛋白檢測(cè)的**性平臺(tái)。其**優(yōu)勢(shì)在于通過(guò)二次流原理實(shí)現(xiàn)磁珠的高效捕獲，單個(gè)芯片可承載數(shù)十萬(wàn)至百萬(wàn)級(jí)反應(yīng)磁珠，使試劑反應(yīng)高度集成于芯片之上，真正...

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運(yùn)動(dòng)的檢測(cè)。組合慣性傳感器的一個(gè)被廣為熟悉的應(yīng)用領(lǐng)域就是慣性導(dǎo)航，比如飛機(jī)/導(dǎo)彈飛行控制、姿態(tài)控制、偏航阻尼等控制應(yīng)用、以及中...

新材料或?qū)⒊蔀閲?guó)產(chǎn)MEMS發(fā)展的新機(jī)會(huì)。截止到目前，硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程，如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問(wèn)題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進(jìn)行中，...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開(kāi)關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過(guò)50%，主要由村田制作所等國(guó)外公...

神經(jīng)電子芯片的MEMS微納加工技術(shù)與臨床應(yīng)用：神經(jīng)電子芯片作為植入式醫(yī)療設(shè)備的**組件，對(duì)微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開(kāi)發(fā)多通道神經(jīng)電刺激SoC芯片，可實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電與通訊功能，將控制信號(hào)轉(zhuǎn)化為精細(xì)電...

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開(kāi)發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過(guò)干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組...

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過(guò)在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)流體控制與電信號(hào)檢測(cè)的一體化設(shè)計(jì)。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過(guò)氧等離子體處理...