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LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS...

ProductGainLinearPowerVoltageFrequencySST12CP113425–5–SST12CP11C3725––SST12CP123425––SST12CP213725––SST12CP333925––SST12LP0729–...

將導致更復雜的天線調(diào)諧器和多路復用器。RF系統(tǒng)級封裝（SiP）市場可分為一級和二級SiP封裝：各種RF器件的一級封裝，如芯片/晶圓級濾波器、開關(guān)和放大器（包括RDL、RSV和/或凸點步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進行的二級SiP封裝，其中各種器件與無源器件一...

主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接，輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說，在本發(fā)明實施例中，次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈12...

PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE2...

在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級...

當?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時，第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此，在具體應(yīng)用中，可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率，選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1，以實現(xiàn)諧振頻率的匹配；和/...

圖8為根據(jù)本發(fā)明推薦實施例的寬帶可重構(gòu)功率放大器中輸入可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊重構(gòu)為大功率輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的等效電路圖；圖9為根據(jù)本發(fā)明推薦實施例的寬帶可重構(gòu)功率放大器中輸入可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊重構(gòu)為低功率輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的等效電路圖；圖10為根據(jù)本發(fā)明推薦實施例的寬...

5G時代，智能手機將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量，甚至待機時間，是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增...

比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計姿態(tài)校準)、振動識別相關(guān)功能(比如計步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計、濕度計、溫度計、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將...

Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設(shè)計能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應(yīng)用領(lǐng)...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插...

RFMDWiFiPA產(chǎn)品線型號非常多，幾乎可以滿足所有WiFi產(chǎn)品的射頻需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RF...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但L...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可...

1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅(qū)動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅(qū)動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅(qū)動電路可以起到將輸入信號進...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級...

本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種大動態(tài)范圍的寬帶可重構(gòu)功率放大器及采用該寬帶可重構(gòu)功率放大器的雷達系統(tǒng)。背景技術(shù)：隨著有源相控陣雷達的發(fā)展，新型多功能雷達除了傳統(tǒng)的雷達探測功能，還需具備通信功能，集成雷達探測與通信一體化的新型多功能雷達成為當前的熱...

Avago開發(fā)出豐富的產(chǎn)品和受知識產(chǎn)權(quán)保護的產(chǎn)品組合，這些成就使Avago能夠在所服務(wù)的市場中脫穎而出，并占據(jù)領(lǐng)導地位。在WiFi產(chǎn)品設(shè)計中，Avago的PA市場份額相對較少。PartNumberFrequency(GHz)BiasConditionGa...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達6...

比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計姿態(tài)校準)、振動識別相關(guān)功能(比如計步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計、濕度計、溫度計、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度...

本發(fā)明的輸入可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊100通過控制并聯(lián)hemt器件的導通和截止，既實現(xiàn)了傳統(tǒng)的開關(guān)切換模式功能，又達到了每路匹配的效果，帶寬更寬、損耗更小。請參閱圖10，為根據(jù)本發(fā)明推薦實施例的寬帶可重構(gòu)功率放大器中寬帶大功率放大器模塊的電路原理圖。如圖10...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達6...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達6...