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每個(gè)主體電路中的功率放大器包括2個(gè)共源共柵放大器；在每個(gè)主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵...

輸出則是方波信號(hào)，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào)，輸入信號(hào)通常是脈沖串類的信號(hào)。C類放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點(diǎn)...

射頻功率放大器電路，用于根據(jù)微控制器的控制，對(duì)射頻收發(fā)器的輸出信號(hào)進(jìn)行放大或衰減；天線，用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號(hào)。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個(gè)終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠(yuǎn)的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的...

對(duì)于各個(gè)電路和具體的增益控制方法的介紹，可參見前面的實(shí)施例的描述，此處不再詳述。應(yīng)理解，說(shuō)明書通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”...

執(zhí)行移動(dòng)終端的各種功能和處理數(shù)據(jù)，從而對(duì)手機(jī)進(jìn)行整體監(jiān)控?？蛇x的，處理器408可包括一個(gè)或多個(gè)處理；推薦的，處理器408可集成應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器，其中，應(yīng)用處理器主要處理操作系統(tǒng)、用戶界面和應(yīng)用程序等，調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無(wú)線通信?？梢岳斫獾?..

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但L...

自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端；自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的，在自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路中，nmos管的柵極為自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos...

pmos管的漏極通過(guò)電阻接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端，第二輸出端用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓?？蛇x的，射頻輸入端和射頻輸出端之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路，每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器，激勵(lì)放大器和功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接；主體電...

計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào)；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級(jí)間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用...

當(dāng)?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時(shí)，第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此，在具體應(yīng)用中，可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率，選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1，以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配；和...

nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵...

第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端，第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻...

被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無(wú)線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國(guó)內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢(shì)，打破了采用國(guó)際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的...

將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器。RF系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）市場(chǎng)可分為一級(jí)和二級(jí)SiP封裝：各種RF器件的一級(jí)封裝，如芯片/晶圓級(jí)濾波器、開關(guān)和放大器（包括RDL、RSV和/或凸點(diǎn)步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進(jìn)行的二級(jí)SiP封裝，其中各種器件與無(wú)源器件一...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)...

5G時(shí)代，智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案，未來(lái)有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增...

顯示單元404可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及終端的各種圖形用戶接口，這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標(biāo)、視頻和其任意組合來(lái)構(gòu)成。顯示單元404可包括顯示面板，可選的，可以采用液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldispl...

射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計(jì)算單元302計(jì)算單元302，用于計(jì)算所述射頻...

將從2019年開始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之...

顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào)；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級(jí)間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始...

控制信號(hào)vgg通過(guò)電阻與開關(guān)連接，同時(shí)通過(guò)備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同，二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同，開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半，因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單...

顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端...

1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加...

此時(shí)信號(hào)將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實(shí)現(xiàn)線性輸出，此時(shí)射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級(jí)的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺(tái)的要求，這樣可保證應(yīng)...

主次級(jí)線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；輔次級(jí)線圈122的端與主次級(jí)線圈121的第二端耦接，輔次級(jí)線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說(shuō)，在本發(fā)明實(shí)施例中，次級(jí)線圈由主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈...

gr為基站的接收機(jī)天線增益，單位為分貝；rs為接收機(jī)靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統(tǒng)能探測(cè)到的小的射頻信號(hào)。rs的計(jì)算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin...