智能檢測(cè)技術(shù)在線路板生產(chǎn)中的應(yīng)用
半導(dǎo)體封裝技術(shù)與線路板的結(jié)合
微型化趨勢(shì)對(duì)線路板設(shè)計(jì)的影響
線路板回收技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀
PCB高頻材料在高頻線路板中的重要性
工業(yè) 4.0 背景下線路板制造的轉(zhuǎn)型
PCB柔性線路板技術(shù)的進(jìn)展
全球供應(yīng)鏈變動(dòng)對(duì)線路板行業(yè)的影響
AI 技術(shù)在線路板生產(chǎn)中的應(yīng)用
PCB新能源汽車對(duì)線路板技術(shù)的影響
雙工件臺(tái)光刻機(jī)和單工件臺(tái)光刻機(jī)的主要區(qū)別在于它們的工作效率和生產(chǎn)能力。雙工件臺(tái)光刻機(jī)可以同時(shí)處理兩個(gè)工件,而單工件臺(tái)光刻機(jī)只能處理一個(gè)工件。這意味著雙工件臺(tái)光刻機(jī)可以在同一時(shí)間內(nèi)完成兩個(gè)工件的加工,從而提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)量。另外,雙工件臺(tái)光刻機(jī)通常比單工件臺(tái)光刻...
磁控濺射是一種常見(jiàn)的表面涂層技術(shù),但其過(guò)程會(huì)產(chǎn)生一定的環(huán)境污染。為了降低磁控濺射對(duì)環(huán)境的影響,可以采取以下措施:1.選擇低污染材料:選擇低揮發(fā)性、低毒性、低放射性的材料,減少對(duì)環(huán)境的污染。2.優(yōu)化工藝參數(shù):通過(guò)調(diào)整磁控濺射的工藝參數(shù),如氣體流量、電壓、電流等,...
磁控濺射是一種利用磁場(chǎng)控制離子軌跡的表面處理技術(shù)。在磁控濺射過(guò)程中,磁場(chǎng)的控制是通過(guò)在濺射室中放置磁鐵來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這些磁鐵會(huì)產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)磁場(chǎng),使得離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)會(huì)受到磁力的作用,從而改變其運(yùn)動(dòng)軌跡。磁控濺射中的磁場(chǎng)通常是由多個(gè)磁鐵組成的,這些磁鐵被安置在濺射室...
磁控濺射設(shè)備是一種常用的薄膜制備設(shè)備,主要由以下幾個(gè)組成部分構(gòu)成:1.真空系統(tǒng):磁控濺射需要在高真空環(huán)境下進(jìn)行,因此設(shè)備中必須配備真空系統(tǒng),包括真空室、泵組、閥門(mén)、儀表等。2.靶材:磁控濺射的原理是利用高速電子轟擊靶材表面,使靶材表面原子或分子脫離并沉積在基底...
磁控濺射是一種高效的薄膜制備技術(shù),與其他濺射技術(shù)相比,具有以下幾個(gè)區(qū)別:1.濺射源:磁控濺射使用的濺射源是磁控靶,而其他濺射技術(shù)使用的濺射源有直流靶、射頻靶等。2.濺射方式:磁控濺射是通過(guò)在磁場(chǎng)中加速離子,使其撞擊靶材表面,從而產(chǎn)生薄膜。而其他濺射技術(shù)則是通過(guò)...
磁控濺射設(shè)備是一種常用的薄膜制備設(shè)備,主要由以下幾個(gè)組成部分構(gòu)成:1.真空系統(tǒng):磁控濺射需要在高真空環(huán)境下進(jìn)行,因此設(shè)備中必須配備真空系統(tǒng),包括真空室、泵組、閥門(mén)、儀表等。2.靶材:磁控濺射的原理是利用高速電子轟擊靶材表面,使靶材表面原子或分子脫離并沉積在基底...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),通過(guò)控制磁場(chǎng)、氣壓、濺射功率等參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和性能的控制。首先,磁控濺射的磁場(chǎng)可以影響濺射物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)軌跡和沉積位置,從而影響薄膜的成分和結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分的控制,例如合金化、摻雜...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),通過(guò)控制磁場(chǎng)、氣壓、濺射功率等參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和性能的控制。首先,磁控濺射的磁場(chǎng)可以影響濺射物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)軌跡和沉積位置,從而影響薄膜的成分和結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分的控制,例如合金化、摻雜...
磁控濺射設(shè)備是一種常用的表面處理設(shè)備,用于制備各種材料的薄膜。為了保證設(shè)備的正常運(yùn)行和延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命,需要進(jìn)行定期的維護(hù)和檢修。設(shè)備維護(hù)的方法包括以下幾個(gè)方面:1.清潔設(shè)備:定期清潔設(shè)備的內(nèi)部和外部,清理積塵和雜物,保持設(shè)備的清潔衛(wèi)生。2.檢查電源:檢查設(shè)...
磁控濺射的沉積速率可以通過(guò)控制濺射功率、氣壓、沉積時(shí)間和靶材的材料和形狀等因素來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中,濺射功率是影響沉積速率的更主要因素之一。濺射功率越大,濺射出的粒子速度越快,沉積速率也就越快。氣壓也是影響沉積速率的重要因素之一。氣壓越高,氣體分子與濺射出的粒子碰撞的...
在過(guò)去的幾年中,全球各地的研究機(jī)構(gòu)和一些大學(xué)已開(kāi)始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。雖然這一領(lǐng)域的研究產(chǎn)生了微納制造方面的先進(jìn)知識(shí),但比較顯然,這些知識(shí)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用將是增強(qiáng)這些技術(shù)未來(lái)增長(zhǎng)的關(guān)鍵。雖然在這些領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)方面已經(jīng)取得了進(jìn)步,但微納制造技術(shù)...
微納加工是一種利用微納技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行加工和制造的方法,其發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面:自動(dòng)化生產(chǎn):微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的生產(chǎn),例如利用機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)微納器件的自動(dòng)化加工和制造。未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)是進(jìn)一步提高微納加工技術(shù)的自動(dòng)化水平,以提高生產(chǎn)的效...
21世紀(jì),人們?nèi)詴?huì)不斷追求條件更好且可負(fù)擔(dān)的醫(yī)療保健服務(wù)、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費(fèi)品,并盡力應(yīng)對(duì)由能源成本上漲和資源枯竭所帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)等“巨大挑戰(zhàn)”。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴(kuò)大市場(chǎng)的推動(dòng)力。微納制造技術(shù)過(guò)去和現(xiàn)在一直都被認(rèn)為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用...
微納加工技術(shù)在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,下面將詳細(xì)介紹微納加工的應(yīng)用領(lǐng)域。生物醫(yī)學(xué):微納加工技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如,微納加工可以用于制造微型生物芯片、生物傳感器、生物芯片等。通過(guò)微納加工技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)生物樣品的高通量分析、高靈敏度檢測(cè)和高精度控...
在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實(shí)現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負(fù)荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對(duì)于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射...
利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡(jiǎn)單的方...
原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術(shù),亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術(shù),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代,由前蘇聯(lián)科學(xué)家Alesko...
利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡(jiǎn)單的方...
熱處理工藝是半導(dǎo)體器件加工中不可或缺的一環(huán),它涉及到對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行加熱處理,以改變其電學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。常見(jiàn)的熱處理工藝包括退火、氧化和擴(kuò)散等。退火工藝主要用于消除材料中的應(yīng)力和缺陷,提高材料的穩(wěn)定性和可靠性。氧化工藝則是在材料表面形成一層致密的氧化物薄膜,用于...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)...
基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,基片溫度高,使吸附原子的動(dòng)能增大,跨越表面勢(shì)壘的幾率增多,容易結(jié)晶化,并使薄膜缺陷減少,同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少,基片溫度低,則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用...
真空鍍膜:物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過(guò)低壓氣體(或等離子體)過(guò)程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉...
磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下,在飛向襯底過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向襯底,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,...
真空鍍膜:電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè),通常只...
磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而...
真空鍍膜的方法:離子鍍:離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化,在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí),把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍?cè)诨?。離子鍍是將輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)相結(jié)合的一門(mén)...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)...
真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較,具有下列優(yōu)點(diǎn):薄膜和基體選材普遍,薄膜厚度可進(jìn)行控制,以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜,環(huán)境清潔,薄膜不易受到污染,因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好,薄膜牢固。干式鍍膜既...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用...
真空鍍膜的方法:濺射鍍膜:在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,使得使用領(lǐng)域更加普遍;而鎂作為硬組織植入材料,在近年來(lái)投入臨床使用,當(dāng)在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜,不僅加強(qiáng)了材料的耐蝕性,而且鈦生物體相容性好,比重小、...