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EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來(lái)清洗晶片。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對(duì)準(zhǔn)功能，是一種多功能的研...

薄膜應(yīng)力分析儀維護(hù)保養(yǎng)：1、避免撞擊和振動(dòng)：薄膜應(yīng)力分析儀在使用過(guò)程中避免撞擊和振動(dòng)，以免對(duì)儀器產(chǎn)生損壞。2、 適當(dāng)?shù)募訜幔涸谙鄬?duì)潮濕的環(huán)境下測(cè)試時(shí)，需要對(duì)儀器和樣品進(jìn)行適當(dāng)加熱，以減少水氣對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。3、使用原配件：更換部件時(shí)，應(yīng)使用原配件，以免影響儀...

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來(lái)測(cè)試它所攜帶的眾多芯片，這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會(huì)在ZUI終測(cè)試時(shí)被拒...

EVGroup開發(fā)了MLE?（無(wú)掩模曝光）技術(shù)，通過(guò)消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠...

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ)，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒...

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 ...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的...

EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)...

EVG?850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：開放式膠粘劑平臺(tái)；各種載體（硅，玻璃，藍(lán)寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合；程序控制系統(tǒng)；實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù)；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計(jì)量模塊，用于自動(dòng)反饋...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配...

GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)...

GEMINI?FB特征：新的SmartView?NT3面-面結(jié)合對(duì)準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對(duì)準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過(guò)EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能：解鍵...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展趨勢(shì)有哪些？1、光學(xué)和圖像技術(shù)的創(chuàng)新：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)需要采用更先進(jìn)的圖像和光學(xué)技術(shù)以提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。例如，采用深度學(xué)習(xí)、圖像增強(qiáng)和超分辨率等技術(shù)來(lái)提高圖像的清晰度，準(zhǔn)確檢測(cè)到更小的缺陷。2、機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能的應(yīng)用：機(jī)...

電阻率測(cè)量?jī)x如何維護(hù)？1. 保持清潔：定期使用干凈柔軟的布清潔電阻率測(cè)量?jī)x。此外，應(yīng)避免在使用時(shí)測(cè)量?jī)x暴露在灰塵、腐蝕性氣體或化學(xué)物質(zhì)反應(yīng)的環(huán)境中，以防止污染。2. 確認(rèn)穩(wěn)定性：前一次使用電阻率測(cè)量?jī)x時(shí)，應(yīng)將其放置在清潔、干燥和平穩(wěn)的工作臺(tái)上，以使其平衡和穩(wěn)定...

高精度電容位移傳感器是一種測(cè)量長(zhǎng)度、位移、壓力、力、撓度等物理量的傳感器。它基于電容變化的原理，通過(guò)測(cè)量電容的變化來(lái)計(jì)算物理量的變化。具有測(cè)量精度高、靈敏度高、響應(yīng)速度快、輸出信號(hào)穩(wěn)定等特點(diǎn)。高精度電容位移傳感器基本結(jié)構(gòu)包括固定殼體和可動(dòng)傳感器元件，可動(dòng)傳感器...

電阻率測(cè)量?jī)x的主要用途：電阻率測(cè)量?jī)x的主要用途是測(cè)量材料的電阻率，以及對(duì)材料進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。電阻率測(cè)量?jī)x可以應(yīng)用于許多領(lǐng)域，如材料研究、工業(yè)制造、地質(zhì)勘探、土壤評(píng)估、醫(yī)療診斷等等。在材料研究領(lǐng)域中，電阻率測(cè)量?jī)x可以用來(lái)研究不同材料的電學(xué)性質(zhì)，例如導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展趨勢(shì)有哪些？1、光學(xué)和圖像技術(shù)的創(chuàng)新：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)需要采用更先進(jìn)的圖像和光學(xué)技術(shù)以提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。例如，采用深度學(xué)習(xí)、圖像增強(qiáng)和超分辨率等技術(shù)來(lái)提高圖像的清晰度，準(zhǔn)確檢測(cè)到更小的缺陷。2、機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能的應(yīng)用：機(jī)...

選購(gòu)電阻率測(cè)量?jī)x的時(shí)候需要注意什么？1. 測(cè)量范圍：不同型號(hào)的電阻率測(cè)量?jī)x有不同的測(cè)量范圍，需要根據(jù)實(shí)際需要選擇適合的型號(hào)。2. 測(cè)量精度：電阻率測(cè)量?jī)x的測(cè)量精度直接影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，因此需要選擇精度高的測(cè)量?jī)x。3. 使用環(huán)境：不同的電阻率測(cè)量?jī)x適合的使用...

薄膜應(yīng)力分析儀如何維護(hù)保養(yǎng)？1. 清潔保養(yǎng)：薄膜應(yīng)力分析儀必須保持干燥和清潔，使用后應(yīng)立即對(duì)儀器表面和內(nèi)部進(jìn)行清潔。2. 常規(guī)維護(hù)：薄膜應(yīng)力分析儀在使用過(guò)程中需要定期檢查各個(gè)部件的密封、電源等系統(tǒng)，確保各系統(tǒng)正常運(yùn)行。3. 保持干燥：在使用薄膜應(yīng)力分析儀時(shí)，要...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展趨勢(shì)有哪些？1、光學(xué)和圖像技術(shù)的創(chuàng)新：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)需要采用更先進(jìn)的圖像和光學(xué)技術(shù)以提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。例如，采用深度學(xué)習(xí)、圖像增強(qiáng)和超分辨率等技術(shù)來(lái)提高圖像的清晰度，準(zhǔn)確檢測(cè)到更小的缺陷。2、機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能的應(yīng)用：機(jī)...

如何選擇薄膜應(yīng)力分析儀廠家？需要注意哪些事項(xiàng)？1. 質(zhì)量和性能：選擇有保障和有信譽(yù)的廠家并購(gòu)買具有品質(zhì)保障的薄膜應(yīng)力分析儀。特別是在購(gòu)買前需要了解設(shè)備的技術(shù)性能、測(cè)試精度、儀器穩(wěn)定性等。2. 技術(shù)支持和服務(wù)：選擇那些提供完善技術(shù)支持和售后服務(wù)的廠家，以便在使用...

影響薄膜應(yīng)力分析儀價(jià)格的因素有哪些？1. 測(cè)量范圍和精度：較高的測(cè)量范圍和精度通常意味著更高的成本和價(jià)格。2. 測(cè)量速度：具有更高測(cè)量速度的薄膜應(yīng)力分析儀通常價(jià)格更高。3. 設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性：性能更高、品牌名度更高、售后服務(wù)更完善的薄膜應(yīng)力分析儀通常價(jià)格更高...

企業(yè)選擇電阻率測(cè)量?jī)x的主要原因是什么？企業(yè)選擇電阻率測(cè)量?jī)x的主要原因包括：1. 精度高：電阻率測(cè)量?jī)x具有精度高、反應(yīng)快、測(cè)量數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，具有很高的技術(shù)可靠性，能夠?yàn)槠髽I(yè)提供高精度測(cè)量服務(wù)。2. 操作簡(jiǎn)便：電阻率測(cè)量?jī)x通常采用簡(jiǎn)單的操作界面，簡(jiǎn)便易用，即使沒(méi)...

晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的特點(diǎn)是什么？1、高效性：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備能夠快速、準(zhǔn)確地檢測(cè)晶圓表面的缺陷，大幅提高了生產(chǎn)效率。2、精度高：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備能夠檢測(cè)微小的缺陷，具有高精度的檢測(cè)能力。3、可靠性高：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備采用先進(jìn)的檢測(cè)技術(shù)和算法，能夠...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的安裝步驟如下：1、確定設(shè)備安裝位置：根據(jù)設(shè)備的大小和使用要求，選擇一個(gè)空間充足、通風(fēng)良好、無(wú)振動(dòng)、溫濕度穩(wěn)定的地方進(jìn)行安裝。2、準(zhǔn)備安裝環(huán)境：對(duì)于需要特殊環(huán)境的設(shè)備（例如光學(xué)器件），應(yīng)按照設(shè)備使用要求準(zhǔn)備環(huán)境。為避免灰塵或污染，應(yīng)在安裝區(qū)域使...