電容大的影響就是溫度，因?yàn)闇囟仍礁唠娊庖旱膿]發(fā)損耗越快。需要注意的是這里的溫度不是指環(huán)境或表面溫度，是指鋁箔工作溫度。廠商通常會(huì)將電容壽命和測(cè)試溫度標(biāo)注在電容本體。在特定的頻率下，阻礙交流電流通過(guò)的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān)，且與ESR也有關(guān)系。電容的容抗在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續(xù)增加達(dá)到中頻范圍時(shí)電抗降至ESR的值。當(dāng)頻率達(dá)到高頻范圍時(shí)感抗變?yōu)橹鲗?dǎo)，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。開關(guān)電源中的輸出濾波電解電容器，其鋸齒波電壓頻率高達(dá)數(shù)十kHz，甚至是數(shù)十MHz，這時(shí)電容量并不是其主要指標(biāo)，衡量高頻鋁電解電容優(yōu)劣的標(biāo)準(zhǔn)是“阻抗-頻率”特性，要求在開關(guān)電源的工作頻率內(nèi)要有較低的等效阻抗，同時(shí)對(duì)于半導(dǎo)體器件工作時(shí)產(chǎn)生的高頻尖峰信號(hào)具有良好的濾波作用。因電容的工作溫度每增高10℃壽命減半，所以不要以為2000小時(shí)壽命的鋁電解電容就比1000小時(shí)的好，要注意確認(rèn)壽命的測(cè)試溫度。每個(gè)廠商都有溫度和壽命的計(jì)算公式，在設(shè)計(jì)電容時(shí)要參照實(shí)際數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。需要了解的是要提高鋁電解電容的壽命，要降低工作溫度，在PCB上遠(yuǎn)離熱源，第二考慮使用最高工作溫度高的電容。原裝國(guó)巨電容采購(gòu)就找巨新科。福田區(qū)電容型號(hào)
不過(guò)大都是長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)源于百度圖片而聚合物鋁電解電容的封裝長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)自Murata網(wǎng)站引申閱讀：·PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?·PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?鉭電解電容(Tantalumelectrolyticcapacitors)鉭(拼音tǎn)電解電容應(yīng)用極多的應(yīng)該是利用二氧化錳做固態(tài)電解質(zhì)，主要長(zhǎng)這樣：圖片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固態(tài)鉭電解電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自Vishay技術(shù)文檔鉭電容與鋁電解電容比，在于鉭氧化物(五氧化二鉭)的介電常數(shù)比鋁氧化物(三氧化二鋁)的高不少，這樣相同的體積，鉭電容容量要比鋁電解電容的要大。鉭電容壽命較長(zhǎng)，電性能更加穩(wěn)定。鉭電容也有利用導(dǎo)電高分子聚合物(ConductivePolymer)做電解質(zhì)，結(jié)構(gòu)與上圖二氧化錳鉭電容類似，就是將二氧化錳換成導(dǎo)電聚合物；導(dǎo)電聚合物的電導(dǎo)率比二氧化錳高，這樣ESR就會(huì)更低。另外還有濕式的鉭電容，特點(diǎn)就是超大容量、高耐壓、低直流漏電流，主要用于**和航天領(lǐng)域。高壓電容電池華南國(guó)巨電容代理商公司。
電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個(gè)電容容量之和。并聯(lián)后的各個(gè)電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓小的那個(gè)電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會(huì)經(jīng)常看到陶瓷電容。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級(jí)別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價(jià)格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點(diǎn)：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫。
其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：鋁電解電容的制作工藝大致有如下幾步：·首先，鋁箔會(huì)通過(guò)電蝕刻(Etching)的方式，形成一個(gè)非常粗糙的表面，這樣增大了電極的表面積，可以增大電容量；·再通過(guò)化學(xué)方法將陽(yáng)極氧化，形成一個(gè)氧化層，作為介質(zhì)；·然后，在陽(yáng)極鋁箔和陰極鋁箔之間加一層電解紙作為隔離，壓合繞制；·極后，加注電解液，電解紙會(huì)吸收電解液，封裝成型。使用電解液的濕式鋁電解電容應(yīng)用極廣；優(yōu)點(diǎn)就是電容量大、額定電壓高、便宜；缺點(diǎn)也很明顯，就是壽命較短、溫度特性不好、ESR和ESL較大。對(duì)于硬件開發(fā)來(lái)說(shuō)，需要避免過(guò)設(shè)計(jì)，在滿足性能要求的情況下，便宜就是極大的優(yōu)勢(shì)。下圖是基美(Kemet)的鋁電解電容產(chǎn)品，大致可以看出鋁電解電容的特點(diǎn)。原圖截圖于KEMET網(wǎng)站鋁電解電容也有使用二氧化錳、導(dǎo)電高分子聚合物等固態(tài)材料做電解質(zhì)；聚合物鋁電解電容的結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自PolymerAluminumElectrolyticCapacitors-Murata聚合物鋁電解電容的ESR較小，容值更穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)好；由于是固態(tài)，抗沖擊振動(dòng)能力比濕式的要好；可以做出較小的SMD封裝。當(dāng)然，濕式的鋁電解電容也可以做SMD封裝。廣東國(guó)巨電容代理商公司。
它是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。獨(dú)石電容的特點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定。耐高溫耐濕性好等。大的缺點(diǎn)是溫度系數(shù)很高，做振蕩器的穩(wěn)漂讓人受不了。就溫漂而言：獨(dú)石電容為正溫糸數(shù)+130左右，CBB為負(fù)溫系數(shù)-230，用適當(dāng)比例并聯(lián)使用，可使溫漂降到很小.就價(jià)格而言：鉭、鈮電容貴，獨(dú)石,CBB較便宜，瓷片電容低。但是有些高頻零溫漂黑點(diǎn)瓷片稍貴，云母電容Q值較高，也比較貴。電容器的標(biāo)稱參數(shù)主要參數(shù)：標(biāo)稱容量以及允許偏差。目前我國(guó)采用的固定式標(biāo)稱容量系列是：E24，E12,E6系列。他們分別使用的允許偏差是+-5%+-10%+-20%。標(biāo)稱電容量和允許偏差標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。云母和陶瓷介質(zhì)電容器的電容量較低(大約在5000pF以下)；紙、塑料和一些陶瓷介質(zhì)形式的電容量居中；通常電解電容器的容量較大。電容的標(biāo)稱值分為E24、E12、E6三個(gè)系列：E6系列為常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值為、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值為、、、、、、、、、、、；E6系列的取值為、、、、、。電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。華南華科電容代理商公司。龍華區(qū)壓敏電容專賣店
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有電感、電容等所有系列的產(chǎn)品及相關(guān)參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應(yīng)用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來(lái)自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關(guān)注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對(duì)比。圖片來(lái)自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場(chǎng)合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號(hào)旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關(guān)特性曲線：圖片來(lái)自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時(shí)。福田區(qū)電容型號(hào)
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