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        光明區(qū)陶瓷電容公司

        來源: 發(fā)布時間:2022-09-07

            Page103由于ClassII和III電容的容值極高可以做到幾百uF,但由于高介電常數(shù)介質,大都是鐵電性介質(Ferroelectric),溫度穩(wěn)定性差。此外,鐵電性介質,在直流偏置電壓下介電常數(shù)會下降。在談談電感一文中,介紹了鐵磁性介質存在磁滯現(xiàn)象,當內部磁場超過一定值時,會發(fā)生磁飽和現(xiàn)象,導致磁導率下降;同樣的,對于鐵電性介質存在電滯現(xiàn)象,當內部電場超過一定值時,會發(fā)生電飽和現(xiàn)象,導致介電常數(shù)下降。當ClassII和III電容的直流偏置電壓超過一定值時,電容會明顯下降,如下圖所示:圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV:制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣,內部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層,而中心是導體。這種類型的電容容量很大,但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定,損耗高,現(xiàn)在已經基本被淘汰了。引申閱讀:·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結表原圖出自維基百科還有一類超級電容,就是容量特別大,可以替代電池作為供電設備,也可以和電池配合使用。超級電容充電速度快,可以完全地充放電,而且可以充到任何想要的電壓。華科車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。光明區(qū)陶瓷電容公司

            濕式的鉭電容主要長這樣:截圖于Vishay技術文檔引申閱讀:·GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathode·WetElectrolyteTantalumCapacitors鈮電解電容(Niobiumelectrolyticcapacitors)鈮電解電容與鉭電解電容類似,就是鈮及其氧化物代替鉭;鈮氧化物(五氧化二鈮)的介電常數(shù)比鉭氧化物(五氧化二鉭)更高;鈮電容的性能更加穩(wěn)定,可靠性更高。AVX有鈮電容系列產品,二氧化錳鉭電容外觀是黃色,而鈮電容外觀是橙紅色,大致長這樣:圖片出自AVX網站引申閱讀:·TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitors·OxiCap?-niobiumoxidecapacitor電解電容對比表,數(shù)據(jù)來源于維基百科,只供參考。引申閱讀:·Electrolyticcapacitor3陶瓷電容(CeramicCapacitor)陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質材料,陶瓷材料有很多種,介電常數(shù)、穩(wěn)定性都有不同,適用于不同的場合。陶瓷電容,主要有以下幾種:瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)瓷片電容的主要優(yōu)點就是可以耐高壓,通常用作安規(guī)電容,可以耐250V交流電壓。其外觀和結構如下圖所示:原圖出自本小節(jié)兩篇引申閱讀引申閱讀:·Capacitors|DE1serieslineup·CeramicCapacitor多層陶瓷電容。深圳CBB電容型號國巨電容一級代理商。

            眾所周知,開關電源是當今信息家電設備的主要電源,為電子設備小型輕便化作出不可磨滅的貢獻。開關電源不斷的小型化、輕量化和高效率,在電子設備中使用量越來越大,普及率越來越高。相應的就要求電解電容器小型大容量化,耐紋波電流,高頻低阻抗化,高溫度長壽命化和更適應高密度組裝。1電容量與體積由于電解電容器多數(shù)采用卷繞結構,很容易擴大體積,因此單位體積電容量非常大,比其它電容大幾倍到幾十倍。但是大電容量的獲取是以體積的擴大為代價的,現(xiàn)在開關電源要求越來越高的效率,越來越小的體積,因此,有必要尋求新的解決辦法,來獲得大電容量、小體積的電容器。在開關電源的原邊一旦采用有源濾波器電路,則鋁電解電容器的使用環(huán)境變得比以前更為嚴酷:高頻脈沖電流主要是20kHz~100kHz的脈動電流,而且大幅度增加;變換器的主開關管發(fā)熱,導致鋁電解電容器的周圍溫度升高;變換器多采用升壓電路,因此要求耐高壓的鋁電解電容器。這樣一來,利用以往技術制造的鋁電解電容器,由于要吸收比以往更大的脈動電流,不得不選擇大尺寸的電容器。結果,使電源的體積龐大,難以用于小型化的電子設備。為了解決這些難題,必須研究與開發(fā)一種新型的電解電容器,體積小、耐高壓。

            并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等;并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導體中間夾著一塊絕緣體(介質)構成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類;按照介質類型可分為無機介質電容器、有機介質電容器和電解電容器三大類。不同介質的電容,在結構、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質電容器:包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經常看到陶瓷電容。陶瓷電容的綜合性能很好,可以應用GHz級別的超高頻器件上,比如CPU/GPU。當然,它的價格也很貴。云母電容(CY)電容量:10p--0。1μ額定電壓:100V--7kV主要特點:高穩(wěn)定性,高可靠性,溫度系數(shù)小。應用:高頻振蕩,脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容(CC)電容量:1--6800p額定電壓:63--500V主要特點:高頻損耗小,穩(wěn)定性好。應用于高頻電路。低頻瓷介電容(CT)電容量:10p--4。7μ額定電壓:50V--100V主要特點:體積小,價廉,損耗大,穩(wěn)定性差。應用:要求不高的低頻電路玻璃釉電容(CI)電容量:10p--0。1μ額定電壓:63--400V主要特點:穩(wěn)定性較好,損耗小,耐高溫(200度)。應用:脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。華科高頻電容原裝現(xiàn)貨。

            還可以做延時電路,極常見的就是上電延時復位;一些定時芯片如NE556,可以產生三角波?!ぶC振源:與電感一起組成LC諧振電路,產生固定頻率的信號。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性,電容還可以用作:電源去耦電源去耦應該是電容極大范圍的應用,各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容,目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。在DCDC電路中,需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來降低電壓紋波。需要計算出相關參數(shù)。像IC工作時,不同時刻需要的工作電流是不一樣的,因此,也需要大量的去耦電容,來保證工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設計電路時,有些情況下,只希望傳遞交流信號,不希望傳遞直流信號,這時候可以使用串聯(lián)電容來耦合信號。例如多級放大器,為了防止直流偏置相互影響,靜態(tài)工作點計算復雜,通常級間使用電容耦合,這樣每一級靜態(tài)工作點可以單獨分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號,通常也使用電容進行交流耦合。旁路濾波顧名思義就是將不需要的交流信號導入大地。濾波其實也是一個意思。在微波射頻電路中,各種濾波器的設計都需要使用電容。此外,像EMC設計,對于接口處的LED燈,都會在信號線上加一顆濾波電容,這樣可以提高ESD測試時的可靠性。廣東華科電容代理商公司。廣東高壓電容專賣店

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            以抗電強度測試為例,根據(jù)標準,L、N側為一次電路,需要與PE或GND之間為基本絕緣。因此,需要在L或N對GND之間加交流,持續(xù)近1分鐘,期間相關漏電流不能超過標準規(guī)定值。因此,安規(guī)電容,有相當高的耐壓要求,同時直流漏電流不能太大。常用的RJ45網口,為了減小EMI,常用到Bob-Smith電路,如下圖所示:可以看到電容的耐壓都是2kV以上,因為網口通常有變壓器,220V交流電的L和N到網線有兩個變壓器隔離,是雙重絕緣,L和N到網線之間也要進行抗電強度測試。雙重絕緣,通常要求通過交流3kV或直流。安規(guī)電容有高耐壓要求,通常使用瓷片電容或者小型薄膜電容。器件選型還要主要兩點要求:和結構確認器件的長寬高;對插件封裝器件不多時,是不是可以全部使用表貼器件,這樣可以省掉波峰焊的工序。光明區(qū)陶瓷電容公司

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