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        來源: 發(fā)布時間:2022-07-25

            良好校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計表;獲取發(fā)光二極管的電流值,依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值,調(diào)用預存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比,第二校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表,在所述第二對比的結(jié)果不符合預設閾值的情況下,發(fā)送報警信息。在其中一個實施例中,所述獲取發(fā)光二極管電流值包括:獲取脈沖調(diào)制pwm信號,依據(jù)所述pwm信號和預設的最大電流值,確定所述電流值。在其中一個實施例中,所述獲取發(fā)光二極管的良好壓差值包括:通過運算差分電路接入所述發(fā)光二極管的兩端,獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。在其中一個實施例中,所述獲取發(fā)光二極管溫度值包括:獲取所述發(fā)光二極管周圍的熱敏電阻ntc的阻值,依據(jù)溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值,依據(jù)所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發(fā)光二極管的所述良好溫度值。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,還提供了一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:發(fā)光二極管、驅(qū)動板、電壓采集電路、溫度采集電路和微控制器;所述溫度采集電路獲取所述發(fā)光二極管良好溫度值,并發(fā)送給所述微控制器;所述電壓采集電路獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。捷捷微大功率二極管原裝現(xiàn)貨?;葜菘旎謴投O管代理商

            r2=r4,輸出的電壓vout如公式2所示:vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口,該微控制器15完成對該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個實施例中,該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式,其中,在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient,簡稱為ntc)電路的情況下,溫度采集電路14使用ntc方案,ntc體積小,可以離該發(fā)光二極管11非常近,同時精度高,靈敏度高,費用低,非常合適用來測量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低,圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖,如圖6所示,將ntc與一個高精度電阻r1串聯(lián),當ntc阻值變化時,ntc上分到的電壓也隨之改變。后面的運放構(gòu)成一個電壓跟隨器,提高輸出信號的驅(qū)動能力,減少受到干擾的可能。電路輸出電平值vout如公式3所示:vout接到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口,完成該輸出電平值的采集。微控制器15根據(jù)如下的公式4將vout轉(zhuǎn)化為ntc當前溫度的阻值,再與該ntc廠家提供的溫度-阻值曲線圖對比,得出當前ntc的溫度,也就是該發(fā)光二極管11當前的工作溫度。上述溫度采集電路14。珠海肖特基 二極管代理商東莞強茂二極管代理商公司。

            所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在電極與第二電極之間的發(fā)光材料層;以及布置在基板與有機發(fā)光二極管之間并與有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管,其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5%。在另一方面,照明裝置包括:基板;和有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置電極與第二電極之間的發(fā)光材料層,其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于約%、或者等于或小于約%。根據(jù)本發(fā)明的一個方面,磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或大于約%、或者等于或大于約%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的fwhm在可見光范圍內(nèi)或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范圍內(nèi)等于或大于約55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根據(jù)本發(fā)明的一方面。

            一pmos管mp1和三pmos管mp3用于產(chǎn)生一電流鏡單元偏置電壓和二電流鏡單元偏置電壓。像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括運放鉗位和產(chǎn)生電流鏡偏置兩部分,運放鉗位部分包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一電阻r1、二電阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一運算放大器op1的正相輸入端接基準電壓vref,反相輸入端接二pmos管mp2的源極即a點,a點通過運放鉗位產(chǎn)生步進電壓,步進電壓的值通過基準電壓vref設置,基準電壓vref的大小即為想要實現(xiàn)的步進電壓的值,一些實施例中基準電壓vref和基準電流iref可由同一個帶隙基準產(chǎn)生。二運算放大器op2的正相輸入端接地,反相輸入端接四pmos管mp4的源極即b點,b點通過運放鉗位產(chǎn)生0v電壓。產(chǎn)生電流鏡偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3,一pmos管mp1和三pmos管mp3分別與像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊內(nèi)的一電流鏡單元和二電流鏡單元構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu),將流過一pmos管mp1和三pmos管mp3的電流進行鏡像。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻r3和五pmos管mp5,一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像,二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流。原裝進口二極管找巨新科。

            在這種情況下,半導體層可以包含非晶硅。盡管未示出,但是柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域,并且形成切換tft以與柵極線和數(shù)據(jù)線連接。切換tft與作為驅(qū)動元件的tfttr連接。此外,還可以形成電力線,所述電力線可以形成為與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一者平行并間隔開;和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr,鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨形成有電極220,電極220通過漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽極,并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導電材料形成。例如,電極220可以由透明導電材料例如ito或izo形成??梢栽陔姌O220下方形成反射電極或反射層。例如,反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。在鈍化層350上形成有堤層360以覆蓋電極220的邊緣。即,堤層360被定位在像素的邊界并且暴露像素中的電極220的中心。堤層360可以省略。在電極220上形成有有機發(fā)光層290。參照圖5,有機發(fā)光層290包括發(fā)光部分250,發(fā)光部分250包括有eml240;和第二發(fā)光部分270,第二發(fā)光部分270包括有第二eml260。例如。強茂開關二極管原裝現(xiàn)貨。南京開關二極管代理商

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            并發(fā)送給所述微控制器;所述微控制器控制并獲取所述發(fā)光二極管的電流值,所述驅(qū)動板依據(jù)所述電流值驅(qū)動所述發(fā)光二極管;所述微控制器依據(jù)所述良好溫度值和所述良好壓差值,調(diào)用預存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比,依據(jù)所述良好對比的結(jié)果對所述良好壓差值進行校準后,獲取第二壓差值,良好校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計表;所述微控制器依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值,調(diào)用預存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比,第二校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表,在所述第二對比的結(jié)果不符合預設閾值的情況下,發(fā)送報警信息。在其中一個實施例中,所述驅(qū)動板與所述發(fā)光二極管連接,所述微控制器獲取驅(qū)動脈沖調(diào)制pwm信號,依據(jù)所述pwm信號和預設的最大電流值確定所述驅(qū)動板輸入給所述發(fā)光二極管的所述電流值。在其中一個實施例中,在所述電壓采集電路是運算差分電路的情況下,通過運算差分電路接入所述發(fā)光二極管的兩端,獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。在其中一個實施例中,在所述溫度采集電路是熱敏電阻ntc電路的情況下,所述微控制器獲取所述發(fā)光二極管周圍的所述熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值?;葜菘旎謴投O管代理商

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