本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來(lái)改善磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來(lái)蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來(lái)越小，集成度越來(lái)越高，對(duì)制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來(lái)越高，如蝕刻工藝中對(duì)蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會(huì)出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測(cè)量時(shí)，檢測(cè)點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。蘇州博洋專業(yè)生產(chǎn),BOE蝕刻液。江西介紹BOE蝕刻液按需定制

    這是除去固體顆粒、電子流、水、或者或多或少具有極性的油脂污染的要求。在精細(xì)清洗中，經(jīng)常存在裝有凹槽、肋條或盲孔的非常復(fù)雜的部件，必須用溶劑對(duì)其進(jìn)行潤(rùn)濕，以使溶劑在這些難洗位置發(fā)揮作用。氟化溶劑來(lái)自提供表面的可能性的潤(rùn)濕的溶劑類型，其中，所述表面的可能性的潤(rùn)濕以非常低的表面張力表示(例如，相對(duì)于，HCFC141b為)。高潤(rùn)濕的另一優(yōu)點(diǎn)是得到基底的較快干燥。在幾乎相同的分子量下，氟化溶劑具有較低的沸點(diǎn)和較高的蒸氣壓。因此，HCFC141b在32°C下沸騰而氯仿在61°C下沸騰。這兩種性質(zhì)(低沸點(diǎn)和高蒸氣壓)有利于這些溶劑在利用蒸氣相操作的常規(guī)工業(yè)機(jī)器中的應(yīng)用，使得能夠進(jìn)行部件的漂洗和干燥，而且使得被連續(xù)蒸餾的溶劑能夠再生。這些機(jī)器裝有用于通過(guò)冷凝而使蒸氣在盤管上冷卻的大功率(heavy-duty)系統(tǒng)，這些機(jī)器的操作方法使得所用高蒸氣壓的缺點(diǎn)小化。工業(yè)家們期望可用于他們的現(xiàn)有機(jī)器存貨的替代解決方案。此外，氫氟烴地用于制冷和傳熱過(guò)程。本發(fā)明提供具有低GWP且具有可生物降解的優(yōu)點(diǎn)的組合物。根據(jù)本發(fā)明的組合物含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F90R的九氟丁基烷基醚，其中R具有14個(gè)碳原子的線型或支化的飽和烷基鏈。有利地。江西無(wú)機(jī)BOE蝕刻液生產(chǎn)好的BOE蝕刻液的標(biāo)準(zhǔn)是什么。

    asícomoeldeinstalaciónypruebasdelosmismos,deacuerdoconunasnormasycóásustituirseporotrodehomologació)Normasdeaplicación:Enlosplanosseindicaránlasnormasdeaplicaciónutilizadasparalaclasificacióndelosemplazamientosasícomolaseleccióndelosmaterialeseléctricos,ándecobre,conaislamientodePVCycubiertaexternadePVCresistentealoshidrocarburosynopropagadoradelallama,segúónylasintensidadesmáximasestaráónmecánica,oquedispongandearmaduraabasedehilosdeacerogalvanizado,susecciónmínimapodráserde2,5milímetroscuadrados,paraalimentacionesdefuerza;paraalumbradoycontrol,tendránunasecciónmínimadeunmilíálculodelaseccióndeloscables,laintensidadadmisibledelosconductoresdeberádisminuirseenun15por100,ademásdeaplicarlosfactoresdecorreccióndependiendodelascaracterísticasdelainstalacióándisponerdeunaproteccióncontracortocircuitosycontrasobrecargassiéánconconductordeproteccióásicas,tresfasesyconductordeprotección,encircuitosmonofásicos,fase。

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    形成氣液混合體，從擴(kuò)散管22排出又進(jìn)入到再生液調(diào)配缸3。電解再生某線路板生產(chǎn)線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實(shí)用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)，能耗節(jié)約40％，節(jié)約使用藥品100kg/d，經(jīng)濟(jì)效益提高30％。作為本實(shí)施例的一個(gè)示例，電解槽1的陽(yáng)極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽(yáng)極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實(shí)施例相結(jié)合，圖2示出了本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例的基礎(chǔ)上，第二實(shí)施例進(jìn)一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過(guò)管道深入到再生液調(diào)配缸3的液體中，用于向再生液調(diào)配缸3中的電解后液輸送氣體以進(jìn)行攪拌，以提高整個(gè)系統(tǒng)的工作效率。進(jìn)一步地，與上述、第二實(shí)施例相結(jié)合，酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還可以包括一后續(xù)處理系統(tǒng)，用于向經(jīng)過(guò)再生液調(diào)配缸3處理過(guò)的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實(shí)現(xiàn)再生液循環(huán)利用。以上所述為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。質(zhì)量好的BOE蝕刻液的公司聯(lián)系方式。安徽工業(yè)級(jí)BOE蝕刻液推薦貨源

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