單腔半自動(dòng)快速退火爐RTP-SA-12 是在保護(hù)氣下的半自動(dòng)立式快速退火系統(tǒng)，以紅外可見(jiàn)光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時(shí)間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸片。相對(duì)于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他 RTP 系統(tǒng)，其獨(dú)特的腔體設(shè)計(jì)、先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的 RL900 軟件控制系統(tǒng)，確保了極好的熱均勻性。主要應(yīng)用于：①離子注入退火 ；②ITO 鍍膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生長(zhǎng)；④硅化物合金退火；⑤砷化鎵工藝；⑥歐姆接觸快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半導(dǎo)體快速熱處理工藝。

雙腔全自動(dòng)快速退火爐RTP-DTS-12 是在保護(hù)氣下的雙腔全自動(dòng)快速退火系統(tǒng)，以紅外可見(jiàn)光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時(shí)間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸片。相對(duì)于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他 RTP 系統(tǒng)，其獨(dú)特的腔體設(shè)計(jì)、先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的 RL900 軟件控制系統(tǒng)，確保了極好的熱均勻性。同時(shí)雙腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和增加晶圓機(jī)器手，提高了工作效率。主要應(yīng)用于：①離子注入退火 ；②ITO 鍍膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生長(zhǎng)；④硅化物合金退火；⑤砷化鎵工藝；⑥歐姆接觸快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半導(dǎo)體快速熱處理工藝。