閾值電壓會(huì)發(fā)生漂移。一般來(lái)說(shuō)，隨著溫度的升高，MOS 管的閾值電壓會(huì)降低。這意味著在高溫環(huán)境下，MOS 管更容易導(dǎo)通，可能會(huì)導(dǎo)致電路的誤動(dòng)作。例如，在一些對(duì)信號(hào)準(zhǔn)確性要求較高的傳感器信號(hào)處理電路中，如果 MOS 管的閾值電壓漂移，可能會(huì)使傳感器輸出的信號(hào)出現(xiàn)偏差，影響系統(tǒng)的測(cè)量精度。因此，在高溫環(huán)境下使用 MOS 管時(shí)，需要對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，以確保 MOS 管能夠正常工作。

漏電流會(huì)增大。高溫會(huì)使半導(dǎo)體材料中的本征載流子濃度增加，導(dǎo)致 MOS 管的漏電流增大。漏電流的增大不僅會(huì)增加電路的功耗，還可能影響電路的穩(wěn)定性。在一些低功耗電路中，漏電流的增大可能會(huì)使電路的靜態(tài)功耗超出設(shè)計(jì)范圍，縮短電池的使用壽命。例如，在便攜式電子設(shè)備中，MOS 管在高溫環(huán)境下漏電流增大，會(huì)使設(shè)備的待機(jī)時(shí)間明顯縮短，影響用戶體驗(yàn)。為了減小漏電流的影響，需要選擇在高溫下漏電流特性較好的 MOS 管，并采取適當(dāng)?shù)纳岷头雷o(hù)措施。