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MOSFET的柵極閾值電壓Vgs(th)是什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-25

標(biāo)準(zhǔn)條件：I_D=250μA（SOT-23）或1mA（TO247），芯技標(biāo)注V_GS(th)@I_D=1mA

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簡(jiǎn)介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

溫度特性：ΔV_GS(th)/ΔT≈-6mV/℃，芯技SiC器件溫漂-3mV/℃

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

工藝影響：V_GS(th)離散性±20%，芯技AEC-Q車規(guī)級(jí)篩選至±10%

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