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MOSFET的柵極閾值電壓Vgs(th)是什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-25

標準條件：I_D=250μA（SOT-23）或1mA（TO247），芯技標注V_GS(th)@I_D=1mA

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產品，廣泛應用于消費電子等多個領域。

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

溫度特性：ΔV_GS(th)/ΔT≈-6mV/℃，芯技SiC器件溫漂-3mV/℃

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

工藝影響：V_GS(th)離散性±20%，芯技AEC-Q車規(guī)級篩選至±10%

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廣東省深圳市光明區(qū)深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路2533號A1棟504

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