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開關(guān)電源管理芯片溫度過(guò)高原因及解決辦法是什么？

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深圳市凌芯微電子有限公司2024-11-13

內(nèi)部的MOSFET損耗太大:開關(guān)損耗太大，壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時(shí)，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣)。

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簡(jiǎn)介：專注于MCU、電源管理、電子芯片、無(wú)線充芯片，秉持“顧客至上誠(chéng)信為本”的經(jīng)營(yíng)理念，歡迎洽談咨詢

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深圳凌芯微電子HC89F04312多少錢

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深圳市凌芯微電子有限公司 2024-11-14

散熱不良這一原因?qū)е聹囟冗^(guò)高的解決辦法：IC的很大一部分熱量依靠弓|腳導(dǎo)到PCB及其上的銅箔，應(yīng)盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫。

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深圳市凌芯微電子有限公司 2024-11-16

IC周圍空氣溫度太高:IC應(yīng)處于空氣流動(dòng)暢順的地方，應(yīng)遠(yuǎn)離零件溫度太高的零件。深圳市凌芯微電子有限公司專業(yè)研發(fā)單片機(jī)多年，如有疑問(wèn)可以在官網(wǎng)上進(jìn)行電話咨詢。

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