廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質(zhì)期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
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負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應(yīng)。主要應(yīng)用于對光刻精度要求高的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體器件制造。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。
挑戰(zhàn)與未來展望的發(fā)展。山西水性光刻膠國產(chǎn)廠家
光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
半導(dǎo)體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區(qū)域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區(qū)域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術(shù)演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區(qū)域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導(dǎo)電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu),需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
四川光刻膠感光膠吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。
厚板光刻膠 JT - 3001:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準,保質(zhì)期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。
SU - 3 負性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng)。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率,準確性和穩(wěn)定性好。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如一些半導(dǎo)體器件的制造。
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導(dǎo)體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
? 樹脂(成膜劑):
? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復(fù)合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應(yīng))、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結(jié)合,形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物。
? 曝光時:
? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應(yīng),大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
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光刻膠的納米級性能要求
超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長)的轟擊,避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達13nm(3nm制程)。
低缺陷率:納米級結(jié)構(gòu)對膠層中的顆?;蚧瘜W不均性極其敏感,需通過化學增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對比度和抗刻蝕性。
多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴散導(dǎo)致的線寬波動,開發(fā)含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度。
? 無掩膜光刻:結(jié)合機器學習優(yōu)化電子束掃描路徑,直接寫入復(fù)雜納米圖案(如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列),縮短制備周期。
? 生物基光刻膠:開發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務(wù)。山東阻焊光刻膠廠家
發(fā)展戰(zhàn)略與行業(yè)地位。山西水性光刻膠國產(chǎn)廠家
企業(yè)定位與資質(zhì)
? 成立背景:深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年,位于松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),注冊資本2000萬元,是國家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
? 質(zhì)量體系:通過ISO9001:2008認證,嚴格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,原材料源自美國、德國、日本等國,確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。
? 市場布局:產(chǎn)品遠銷全球,與世界500強企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領(lǐng)域。
山西水性光刻膠國產(chǎn)廠家
企業(yè)優(yōu)勢
? 研發(fā)能力:擁有多項專利證書,自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,配備全自動化生產(chǎn)設(shè)備,具備從材料合成到成品制造的全流程能力。
? 產(chǎn)能與品控:采用進口原材料和嚴格制程管控,確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標準(如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb),良率達99%以上。