PID調(diào)節(jié)器是人們在工程實(shí)踐中摸索出來的一種實(shí)用性強(qiáng)并且控制原理簡單的校正裝置。1）比例項(xiàng)P**當(dāng)前信息，調(diào)節(jié)后的輸出與輸入信號呈比例關(guān)系，偏差一旦產(chǎn)生，控制器立即作用減少偏差。比例系數(shù)增大系統(tǒng)靈敏度增加，系統(tǒng)振蕩增強(qiáng)，大于某限定值時系統(tǒng)會變的不穩(wěn)定。當(dāng)*有比例控制時系統(tǒng)存在穩(wěn)態(tài)誤差；2）積分I控制輸出與輸入信號的累計(jì)誤差呈正比，積分項(xiàng)可以消除穩(wěn)態(tài)誤差，提高系統(tǒng)的無差度，改善系統(tǒng)的靜態(tài)性能。積分作用的強(qiáng)弱取決于積分時間常數(shù)TI，其值越大積分作用越弱。積分作用太強(qiáng)也會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。3）微分D控制中，控制器的輸出與輸入信號的微分呈正比，反應(yīng)信號的變化趨勢。并能再偏差信號變得太大之前，在系統(tǒng)中引入一個早期的修正信號，從而加快系統(tǒng)的動作速度，減少調(diào)節(jié)時間。微分項(xiàng)可以使系統(tǒng)超調(diào)量減少，響應(yīng)時間變快。對于電容器，電容和阻抗(電容電抗)總是成反比的。成都高精度電壓傳感器服務(wù)電話

除了濾波電容的容量要選擇適當(dāng)，我們還需要考慮濾波電容的耐壓值，電容耐壓值不夠會發(fā)生危險。為了降低成本，一般電容耐壓值比輸出電壓高一些即可，比如可以選擇1.2倍的裕度。并且考慮到一般的電解電容有等效電阻，因此選用電解電容時可以選擇實(shí)際值比理論計(jì)算值大的電容，并且可以是多個并聯(lián)使用。為了減小開關(guān)管的電流，減小輸出端整流橋上的電壓，從而降低損耗，高頻變壓的原副邊變比應(yīng)盡可能大一些。為了滿足輸出電壓值的要求，則需要根據(jù)實(shí)際輸入的電壓值和輸出電壓值要求來考慮。以輸入電壓最小值為基準(zhǔn)來進(jìn)行計(jì)算，變壓器變比：K=。其中vin(min)是輸入電壓最小值，vo是輸出電壓，vd是整流二極管導(dǎo)通壓降，Dsec是副邊占空比，在此取值0.8。將各個參數(shù)代入計(jì)算可得變比K為7.44，在這里可以取值為7.5。蘇州新能源汽車電壓傳感器廠家直銷燈光或蜂鳴器指示燈也會打開ーー這就是你在家里使用的非接觸式電壓傳感器的原理。

在本設(shè)計(jì)中為防止單臂直通設(shè)置了兩路保護(hù)：1）在超前橋臂和滯后橋臂上分別放置電流霍爾分辨監(jiān)測兩橋臂上的電流值，電流霍爾的輸出端連接至保護(hù)電路。如果出現(xiàn)過電流則保護(hù)電路**終動作于PWM波輸出模塊，將4路輸出PWM波的比較器鎖死，使得輸出為低電平，進(jìn)而關(guān)斷橋臂上4個開關(guān)管。2）驅(qū)動電路模塊內(nèi)部有過流監(jiān)測。在所設(shè)計(jì)的驅(qū)動電路中，主驅(qū)動芯片M57962內(nèi)部有保護(hù)電路監(jiān)測IGBT的飽和壓降從而判斷是否過流。當(dāng)出現(xiàn)過流時M57962將***驅(qū)動信號實(shí)現(xiàn)對IGBT的關(guān)斷。

在電路的控制環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)了硬件控制電路并編寫了相應(yīng)的控制程序。硬件電路基于DSP控制芯片，主要由電源模塊、采樣及A/D轉(zhuǎn)換模塊、DSP控制模塊、PWM輸出模塊、驅(qū)動電路模塊構(gòu)成。在程序方面，本文著重對移相脈波產(chǎn)生的方式、PID反饋控制的策略進(jìn)行了研究，同時也完成了信號采集、模數(shù)轉(zhuǎn)換、保護(hù)控制等模塊的程序編寫和調(diào)試。然后按照補(bǔ)償電源的參數(shù)要 求，選擇了基于 TMS320F2812（DSP）的移相全橋變換電路作為補(bǔ)償電源的拓?fù)浣Y(jié) 構(gòu)。討 論了長脈沖高穩(wěn)定磁場的研究意義、發(fā)展現(xiàn)狀和現(xiàn)今的難點(diǎn)，基于存在的問題提出 了對強(qiáng)磁場電源系統(tǒng)的優(yōu)化， 提出了補(bǔ)償電源的方案。有兩種主要類型的電壓傳感器: 電容式電壓傳感器和電阻式電壓傳感器。

對于前端儲能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們在設(shè)計(jì)電路時，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。電壓傳感器和電流傳感器技術(shù)的實(shí)現(xiàn)已成為傳統(tǒng)電流電壓測量方法的理想選擇。成都高精度電壓傳感器服務(wù)電話

接下來，我們可以討論兩個串聯(lián)電容器的電壓劃分。成都高精度電壓傳感器服務(wù)電話

若設(shè)定比較器周期值為T1PR，當(dāng)啟動計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)時，計(jì)數(shù)寄存器T1CNT的值在每個周期由0增加至T1PR然后再減為0，如此循環(huán)。在每個周期中當(dāng)出現(xiàn)T1CNT=T1CMPR和T1CNT=T2CMPR時，則相應(yīng)的PWM波就會發(fā)生電平轉(zhuǎn)換。每一個周期中，當(dāng)T1CNT=0時會產(chǎn)生下溢中斷，當(dāng)T1CNT=T1PR時會產(chǎn)生周期中斷。由此，當(dāng)發(fā)生下溢中斷和周期中斷時我們分別進(jìn)入中斷重新設(shè)置比較寄存器T1CMPR和T2CMPR的值就可以改變PWM波發(fā)生電平轉(zhuǎn)換的時間，通過改變T1CMPR和T2CMPR之間的差值大小就可以改變兩對PWM波的相位差，如此便實(shí)現(xiàn)了移相。在試驗(yàn)中我們是固定比較寄存器T1CMPR的值，在每一次周期中斷和下溢中斷時改變T2CMPR的值來實(shí)現(xiàn)移相。成都高精度電壓傳感器服務(wù)電話