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可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)...

一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí)，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)...

可控硅模塊在電路中的作用的什么？提到可控硅模塊，人們都會(huì)想到它是一種類似于二極管的東西，但是詳細(xì)作用往往不是特別了解，尤其是在電路中的作用更是知之甚少。下面，正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識(shí)，詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用?？煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N，主要是可控整流和無觸點(diǎn)開關(guān)?？煽卣鳎阂话銇碚f，普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流，像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路，如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊，就能夠構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁、無觸點(diǎn)開關(guān)機(jī)自動(dòng)控制等多個(gè)方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中，經(jīng)常將交流電的半個(gè)周期為180度，稱為電角度，這樣在U2的每個(gè)正...

好在其回路中分別串入一個(gè)300Ω的限流電阻。調(diào)整時(shí)，改變R1、R2或C1、C2的大小，則可直接控制彩燈相互變化的快慢節(jié)奏。如雙向晶閘管VS1、VS2用3A/400V，好負(fù)載功率在300W以下，切忌不可超過高限額500W。如想增大功率，可選用電流大于3A的晶閘管，但C1的容量還需增加。如原用μ/400V可換成～1μ/400V即可。本裝置采用塑料作外殼，以避免市電源對(duì)人的觸電，這樣更為安全。可控硅交流調(diào)壓器交流調(diào)壓器采用可控硅調(diào)壓器。電路簡(jiǎn)單、裝置容易、控制方便的可控硅交流調(diào)壓器，這可用作家用電器的調(diào)壓裝置，進(jìn)行照明燈調(diào)光，電風(fēng)扇調(diào)速、電熨斗調(diào)溫等控制。本活動(dòng)調(diào)壓器的輸出功率達(dá)100W，一般家用電...

如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么，在電壓過零時(shí)，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷?？煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使i...

晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)采用0～5V...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機(jī)車、電瓶搬運(yùn)車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場(chǎng)合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)正向門極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對(duì)它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以...

可控硅是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比，差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒有放大作用?？煽毓鑼?dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二...

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國外發(fā)達(dá)國家，已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流I...

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流I...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的?？煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通...

VT2截止，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時(shí)，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節(jié)電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導(dǎo)通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導(dǎo)通，NE555工作，此時(shí)，NE555第②腳由高電平變?yōu)榈碗娖?，而且低?/3的電源電壓，NE555翻轉(zhuǎn)，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅(qū)動(dòng)光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導(dǎo)通，床頭燈H點(diǎn)亮；另一路通過二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導(dǎo)通，此時(shí)，即使K1斷開，VT2的工作狀態(tài)也不變，即NE555的暫穩(wěn)狀態(tài)不變。在此期間，電源經(jīng)R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽極電...

T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過零點(diǎn)時(shí)，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21...

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國外發(fā)達(dá)國家，已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-09，1．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)...

VT2截止，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時(shí)，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節(jié)電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導(dǎo)通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導(dǎo)通，NE555工作，此時(shí)，NE555第②腳由高電平變?yōu)榈碗娖?，而且低?/3的電源電壓，NE555翻轉(zhuǎn)，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅(qū)動(dòng)光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導(dǎo)通，床頭燈H點(diǎn)亮；另一路通過二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導(dǎo)通，此時(shí)，即使K1斷開，VT2的工作狀態(tài)也不變，即NE555的暫穩(wěn)狀態(tài)不變。在此期間，電源經(jīng)R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高...

是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，它的型號(hào)，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。市場(chǎng)上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅（晶閘管）開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒...

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流I...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能?？煽毓枘K的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓铻槭裁雌?..

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時(shí)，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以這種過電壓，但由于變壓器過載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，...

一、可控硅模塊的分類：可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝的優(yōu)點(diǎn)，一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。可控硅就模塊類型的按封裝工藝來分可以分為焊接式和壓接式。從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）；普通整流管模塊（MDC）；普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）；快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)所用模塊MT...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金...