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現(xiàn)代科技的「焊接使命」：20世紀80年的時候，貼裝技術（SMT）推動錫片向微米級進化，0.4mm引腳間距的QFP芯片焊接成為可能；21世紀初，無鉛化浪潮促使錫片合金配方從「經驗試錯」轉向「分子模擬設計」，通過原理計算優(yōu)化Ag、Cu原子排列，焊點可靠性提升5...

量子計算的「低溫焊點」：在-273℃的量子比特芯片中，錫片焊點的殘留電阻需＜10??Ω·cm，通過超高純錫（99.9999%）與電子束焊接技術，可以實現(xiàn)焊點在量子態(tài)下的「零噪聲干擾」，保障量子計算的精度與穩(wěn)定性。 環(huán)保印刷的工藝「錫片新用...

產品特點：耐溶劑型優(yōu)良，抗潮耐水性好，耐印率高；固含量高，流平性好，涂布性能優(yōu)良；經特殊乳化聚合技術處理，網(wǎng)版平滑、無白點、無沙眼、亮度高；剝膜性好，網(wǎng)版可再生使用；解像性、高架橋性好，易做精細網(wǎng)點和線條；感光度高，曝光時間短，曝光寬容度大，節(jié)省網(wǎng)版...

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝 自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。 針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻...

納米制造與表面工程 ? 納米結構模板：作為納米壓印光刻（NIL）的母版制備材料，通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案（如50nm以下的柱陣列、孔陣列），用于批量復制微流控芯片或柔性顯示基板。 ? 表面功能化：在基底表面構建納米...

主要優(yōu)勢：細分領域技術突破與產業(yè)鏈協(xié)同 技術積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經驗，實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳...

按形態(tài)與工藝分類 ? 標準焊片：規(guī)則形狀（矩形、圓形），厚度通常50μm~500μm，用于熱壓焊接或共晶焊接（如芯片與基板直接貼合）。 ? 超薄/超精密焊片：厚度＜50μm（如10μm、20μm），表面鍍鎳/金處理，...

以 15% 年研發(fā)投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā)，搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。 面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn)，吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性...

? 正性光刻膠 ? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。 ? 技術優(yōu)勢：采用...

定義與特性 負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通?！?μm），主要應用于對精度要求相對較低、需...

社會學：錫片見證的「生活變遷」 從古代貴族用的錫制酒具，到現(xiàn)代人人可及的馬口鐵飲料罐，錫片的普及史反映了材料民主化進程；而無鉛錫片的推廣，更體現(xiàn)了社會對「科技倫理」的重視——在追求效率的同時，不忘守護人類與環(huán)境的長遠健康。 哲...

納米壓印光刻膠 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信...

原料準備 ? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等，如表面活性劑、穩(wěn)定劑）。 ...

吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展 自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證，吉田半導體填補國內光刻膠空白。 吉田半導體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過中芯國...

吉田半導體柯圖泰全系列感光膠：進口品牌品質，本地化服務支持 柯圖泰全系列感光膠依托進口技術，提供高性價比的絲網(wǎng)印刷解決方案。 吉田半導體代理的柯圖泰全系列感光膠（如 PLUS 6000、Autosol 2000），源自美國先進配方，分辨率達 120 ...

技術突破與產業(yè)重構的臨界點 光刻膠技術的加速突破正在推動芯片制造行業(yè)進入“材料定義制程”的新階段。中國在政策支持和資本推動下，已在KrF/ArF領域實現(xiàn)局部突破，但EUV等領域仍需5-10年才能實現(xiàn)替代。未來3-5年，EUV光刻膠研發(fā)、...

原料準備 ? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等，如表面活性劑、穩(wěn)定劑）。 ...

中藥蜜丸的「雙保險外衣」：安宮牛黃丸等傳統(tǒng)中藥的蠟丸內常包裹0.05mm厚的純錫片，錫的化學惰性使其不與中藥成分（如冰片、麝香）發(fā)生反應，同時阻擋99%的紫外線，防止有效成分在光照下分解失效。 廚房錫制餐具的「安全哲學」：手工錫制茶壺...

耐腐蝕性的優(yōu)化與影響因素 1. 純度與合金成分的影響 ? 純錫：耐腐蝕性好，尤其適合食品接觸或高純度要求場景。 ? 錫合金：添加鉛、銅、銀等元素可能輕微影響耐腐蝕性（如Sn-Pb焊錫在潮濕環(huán)境中腐...

國際廠商 1. Alpha Assembly Solutions（美國，日立化成子公司） ? 產品定位：全球比較大的焊接材料供應商之一，焊片產品線覆蓋全場景。 ? 技術優(yōu)勢： ...

無鉛錫片是指不含鉛（Pb）或鉛含量低于歐盟RoHS指令（≤0.1%）的錫基合金材料，通過添加銀（Ag）、銅（Cu）、鉍（Bi）、鎳（Ni）等元素，替代傳統(tǒng)含鉛焊料，兼具環(huán)保性與可靠焊接性能，是現(xiàn)代電子制造業(yè)的主流材料。 二、主要成分與典...

國產替代進程加速 日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后，國內企業(yè)加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610，已通...

憑借綠色產品與可持續(xù)生產模式，吉田半導體的材料遠銷全球，并與多家跨國企業(yè)建立長期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應用于光伏、儲能等清潔能源領域，助力客戶實現(xiàn)產品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導入國際標準認證（如 ISO14001 環(huán)境管理體系），進一步強化了在...

吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業(yè)鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。 ...

吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產技術突破耐高溫極限 自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國產納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產交聯(lián)樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保...

綠色制造與循環(huán)經濟 公司采用水性光刻膠技術，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內環(huán)保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產，通過膜分離+精餾技術實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機物）超100噸。 ...

量子計算的「低溫焊點」：在-273℃的量子比特芯片中，錫片焊點的殘留電阻需＜10??Ω·cm，通過超高純錫（99.9999%）與電子束焊接技術，可以實現(xiàn)焊點在量子態(tài)下的「零噪聲干擾」，保障量子計算的精度與穩(wěn)定性。 環(huán)保印刷的工藝「錫片新用...

半導體封裝領域 ? 芯片與基板焊接： ? 采用SAC305焊片焊接QFP、BGA等封裝的芯片與引線框架/陶瓷基板，確保電連接與機械強度。 ? 場景應用（如功率芯片）使用高鉛焊片，耐受200℃以上長...

吉田半導體助力區(qū)域經濟，構建半導體材料生態(tài)圈，發(fā)揮企業(yè)作用，吉田半導體聯(lián)合上下游資源，推動東莞松山湖半導體產業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。 作為松山湖產業(yè)集群重要成員，吉田半導體聯(lián)合光刻機制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術輸出與資源共享，幫助本地企業(yè)提升工藝水平，促...

以 15% 年研發(fā)投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā)，搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。 面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn)，吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性...