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紫外發(fā)光二極管是氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢，擁有廣闊的應(yīng)用前景。中國科技部為了加快第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展，爭施了“第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”重點研發(fā)計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發(fā)計劃的支...

驅(qū)動電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光...

變壓器次級電壓u21和u22大小相等，相位相反，即 u21 = - u22 。式中，U2 是變壓器次級半邊繞組交流電壓的有效值。全波整流電路的工作過程是：在u2 的正半周（ωt = 0~π）D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止，RL上有自上而下的電流流過，RL上的電壓與...

多數(shù)顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等內(nèi)置擴展卡和打印機、掃描儀、外置Modem等外設(shè)都需要安裝與設(shè)備型號相符的驅(qū)動程序，否則無法發(fā)揮其部分或全部功能。驅(qū)動程序一般可通過三種途徑得到，一是購買的硬件附帶有驅(qū)動程序；二是Windows系統(tǒng)自帶有大量驅(qū)動程序;三是從Interne...

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies...

一、驅(qū)動電路概述驅(qū)動電路是位于主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進行放大的中間電路，即將控制電路輸出的信號放大到足以驅(qū)動功率晶體管的程度，實現(xiàn)開關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計算機、通信設(shè)備、電視、汽車、機器人等領(lǐng)域...

發(fā)光二極管的**部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為PN結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

光電二極管在消費電子產(chǎn)品，例如CD播放器、煙霧探測器以及控制電視機、空調(diào)的紅外線遙控設(shè)備中也有應(yīng)用。對于許多應(yīng)用產(chǎn)品來說，可以使用光電二極管或者其他光導(dǎo)材料。它們都可以被用于測量光，常常工作在照相機的測光器、路燈亮度自動調(diào)節(jié)等。所有類型的光傳感器都可以用來檢測...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向...

N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結(jié)因此，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

但是，在實際并聯(lián)運用時"，由于各二極管特性不完全一致，不能均分所通過的電流，會使有的管子因為負擔(dān)過重而燒毀。因此需在每只二極管上串聯(lián)一只阻值相同的小電阻器，使各并聯(lián)二極管流過的電流接近一致。這種均流電阻R一般選用零點幾歐至幾十歐的電阻器。電流越大，R應(yīng)選得越小...

五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達...

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1...

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正...

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負...

在需要使用比較多的led產(chǎn)品時，如果將所有的LED串聯(lián)，將需要LED驅(qū)動器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯(lián)，則需要LED驅(qū)動器輸出較大的電流。將所有的LED串聯(lián)或并聯(lián)，不但限制著LED的嚴使用量，而且并聯(lián)LED負載電流較大，驅(qū)動器的成本也會增加，解決辦法...

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1...

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞喎Q硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動程序，使用者的工作就是在必要時告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動程序?qū)in...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網(wǎng)輸入電壓幅值相位相同，直接供...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向...

2023年5月，新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED。發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復(fù)合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本...

門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導(dǎo)體開...

實驗及結(jié)果根據(jù)以上分析，本文設(shè)計一臺基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5，增益為0....