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帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以?xún)?nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，其控制原理都是一樣的。兩種型號(hào)的表示符號(hào)：3、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線(xiàn)到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類(lèi)似于 1951 年的 T...

華為和合作伙伴正在朝這個(gè)方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM，業(yè)內(nèi)人士對(duì)投中網(wǎng)表示。 IDM，是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式，從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測(cè)試，覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面，華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證，美國(guó)的UL認(rèn)證，德國(guó)的VDE和TUV認(rèn)證以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證，來(lái)保證元器件的合格。 電子元器件的發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新...

晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見(jiàn)電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下，名稱(chēng)共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐)輸出阻抗中(幾千歐～幾十...

發(fā)展趨勢(shì)： 測(cè)試儀器和系統(tǒng)處于多總線(xiàn)和多接口并存的混亂時(shí)期:GPIB、VXI、MMS、PXI、PCI、CPCI、1394、ISA、USBSPI、SMB、I2C等多總線(xiàn)并存,自動(dòng)測(cè)試體系出現(xiàn)分布式結(jié)構(gòu)和多總線(xiàn)結(jié)構(gòu)。儀器吞并了計(jì)算機(jī)，同時(shí)又使自己成為龐大...

光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。手工組裝是限制光電子器件的成本進(jìn)一步下降的主要因素。自動(dòng)化組裝可以降低人力成本、提高產(chǎn)量和節(jié)約生產(chǎn)場(chǎng)地，因此光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)的研究將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。由于光電子器件自動(dòng)化組裝的精度在亞...

封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線(xiàn)端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的...

具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱(chēng)為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱(chēng)為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開(kāi)發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ)，其研究開(kāi)發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中，藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材...

1985年，***塊64K DRAM 在無(wú)錫國(guó)營(yíng)724廠試制成功。1988年，上無(wú)十四廠建成了我國(guó)***條4英寸線(xiàn)。1989年，機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶...

全站儀幾乎可以用在所有的測(cè)量領(lǐng)域。電子全站儀由電源部分、測(cè)角系統(tǒng)、測(cè)距系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理部分、通訊接口、及顯示屏、鍵盤(pán)等組成。同電子經(jīng)緯儀、光學(xué)經(jīng)緯儀相比，全站儀增加了許多特殊部件，因此而使得全站儀具有比其它測(cè)角、測(cè)距儀器更多的功能，使用也更方便。這些特殊部件構(gòu)成...

空載電流的檢測(cè)。(a) 直接測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開(kāi)路，把萬(wàn)用表置于交流電流擋500mA，串入初級(jí)繞組。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí)，萬(wàn)用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿(mǎn)載電流的10%～20%。一般常見(jiàn)電子設(shè)備電源變壓器的正?？蛰d電...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

用電子測(cè)量?jī)x器是利用電子技術(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)量的儀器。電子測(cè)量?jī)x器是指以電子技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合電子測(cè)量、數(shù)字信號(hào)處理、微電子、射頻微波設(shè)計(jì)等多領(lǐng)域技術(shù)，組成單機(jī)或自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類(lèi)物理參數(shù)和成分的儀器。其具有檢測(cè)測(cè)量、信號(hào)傳遞和數(shù)據(jù)處理等功能，...

半導(dǎo)體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型...

因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門(mén)之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過(guò)電路的設(shè)計(jì)，將多顆的晶體管管畫(huà)在硅晶圓上，就可以畫(huà)出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見(jiàn)類(lèi)型的集成電路，所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器，但即使是微...

分類(lèi)： 基礎(chǔ)儀器和通用儀器：數(shù)字多用表、電源、函數(shù)發(fā)生器、計(jì)數(shù)器...射頻和微波儀器及系統(tǒng)：頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、功率計(jì)、噪聲系數(shù)分析儀示波器、邏輯分析儀和數(shù)字測(cè)試：示波器、邏輯分析儀、仿真跡線(xiàn)端口分析儀、BERT…EDA 軟件：電子設(shè)...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤(pán)讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材...

1912年，也就是在無(wú)畏級(jí)下水的第5年，在被稱(chēng)為“現(xiàn)代海軍炮術(shù)之父”帕西。斯科特勛爵士的設(shè)計(jì)和指導(dǎo)下，英國(guó)維克斯公司制造出了單人控制椅。這套系統(tǒng)包括連接了**的***炮長(zhǎng)**回旋式測(cè)距儀的目鏡，水平角度和俯仰的設(shè)定機(jī)構(gòu)以及這些數(shù)據(jù)的傳輸裝置，還有一個(gè)**形的擊...

故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表開(kāi)路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下：型號(hào)1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N473...

集成電路技術(shù)的進(jìn)步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數(shù)量每?jī)赡攴环@種趨勢(shì)被稱(chēng)為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來(lái)說(shuō)，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個(gè)方面都得到改善。每個(gè)晶體管的成本和每個(gè)晶體管的開(kāi)...

測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號(hào)1N4001 1N4002 1N4003 1N4...

頻域測(cè)量頻域測(cè)量也稱(chēng)為穩(wěn)態(tài)測(cè)量，主要目的是獲取待測(cè)量與頻率之間的關(guān)系。如用頻譜分析儀分析信號(hào)的頻譜，測(cè)量放大器的幅頻特性、相頻特性等。數(shù)據(jù)域測(cè)量數(shù)據(jù)域測(cè)量也稱(chēng)邏輯量測(cè)量，主要是對(duì)數(shù)字信號(hào)或電路的邏輯狀態(tài)進(jìn)行測(cè)量，如用邏輯分析儀等設(shè)備測(cè)量計(jì)數(shù)器的狀態(tài)。隨機(jī)測(cè)...

**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來(lái)因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝，開(kāi)始是陶瓷，之后是塑料。20世紀(jì)80年代，VLSI電路的針腳超過(guò)了DIP封裝的應(yīng)用限制，***導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝...

半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...

從20世紀(jì)30年代開(kāi)始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利（William Shockley）認(rèn)為是固態(tài)真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀(jì)40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價(jià)...