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        • PCI-E測試DDR3測試DDR測試
          PCI-E測試DDR3測試DDR測試

          至此,DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕,在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋,連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,則也可以選擇Updateo 設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大,特...

        • 北京設(shè)備DDR3測試
          北京設(shè)備DDR3測試

          創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具,單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框,選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,單擊0K按鈕。如圖4-36所示,左側(cè)是W...

        • 青海自動(dòng)化DDR3測試
          青海自動(dòng)化DDR3測試

          "DDRx"是一個(gè)通用的術(shù)語,用于表示多種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個(gè)數(shù)字,了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同,以適應(yīng)不斷增長的計(jì)算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn):DDR2:DDR2是第二代DDR技術(shù),相比于DDR,它具有更高的頻率和帶寬,以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能,如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電(prefetch)。DDR3:DDR3是第三代DDR技術(shù),進(jìn)一步提高了頻率和帶寬,并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量,可以支持更多的內(nèi)...

        • 四川DDR3測試維修
          四川DDR3測試維修

          還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字,例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作,依次創(chuàng)建:DQ8?DQ15、DM1信號(hào);DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào);DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào);DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。 開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào),以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地...

        • 校準(zhǔn)DDR3測試配件
          校準(zhǔn)DDR3測試配件

          LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作電壓為 1.2V;時(shí) 鐘信號(hào)頻率為166?533MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣;控制信號(hào)速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿 采樣;一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì),信號(hào)通常為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑳]有ODT功能。 LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,I/O 口工作電壓為1.2V; 時(shí)鐘信號(hào)頻率為667?1066MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率為1...

        • 信號(hào)完整性測試DDR3測試協(xié)議測試方法
          信號(hào)完整性測試DDR3測試協(xié)議測試方法

          重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設(shè)置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

        • 廣東DDR3測試多端口矩陣測試
          廣東DDR3測試多端口矩陣測試

          重復(fù)以上步驟,分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,置完其中一個(gè),單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊;第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián),利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 如何解決DDR3一致性測試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤?廣東DDR3測試多端口矩陣測試 走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和...

        • 通信DDR3測試推薦貨源
          通信DDR3測試推薦貨源

          重復(fù)以上步驟,分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,置完其中一個(gè),單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊;第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián),利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù)?通信DDR3測試推薦貨源 瀏覽選擇控制器的IBIS模型,切換到Bus Definition選項(xiàng)...

        • 北京DDR3測試DDR測試
          北京DDR3測試DDR測試

          · 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊,ApplicationNote:在這個(gè)文檔中,廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議,甚至參考設(shè)計(jì),有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中,要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì),ReferenceDesign:對(duì)于比較復(fù)雜的器件,廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì),以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D,用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。 · IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過。 如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測試?北京DDR3測試DDR測試 走線阻抗/耦合檢查 ...

        • 浙江DDR3測試市場價(jià)
          浙江DDR3測試市場價(jià)

          瀏覽選擇控制器的IBIS模型,切換到Bus Definition選項(xiàng)卡,單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮,將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處,單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào),單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣,在Timing Ref下方高亮處,單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè),用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端,用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端,單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

        • 數(shù)字信號(hào)DDR3測試協(xié)議測試方法
          數(shù)字信號(hào)DDR3測試協(xié)議測試方法

          高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的,嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。 DDRx發(fā)展簡介 代DDR (通常稱為DDR1)接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展,現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布,甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿...

        • 多端口矩陣測試DDR3測試安裝
          多端口矩陣測試DDR3測試安裝

          DDR3(Double Data Rate 3)是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求: 初始時(shí)序(Initialization Timing)tRFC:內(nèi)存行刷新周期,表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開啟并訪問一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA:行預(yù)充電時(shí)間、行開放時(shí)間和行訪問時(shí)間,分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開后需要等待的短時(shí)間以及行訪問的持續(xù)時(shí)間。tWR:寫入恢復(fù)時(shí)間,表示每次寫操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序(Data Transfer Timing)tDQSS:數(shù)...

        • 天津信號(hào)完整性測試DDR3測試
          天津信號(hào)完整性測試DDR3測試

          使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例,來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng),包括從系統(tǒng)性能分析,資料準(zhǔn)備和整理,仿真模型的驗(yàn)證和使用,布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,一直到的 PCB 布線完成,一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展,DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變,DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,而 DDR3 是目前存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流技術(shù)。 并且,隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,大多數(shù)工程師都已經(jīng)對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 系統(tǒng)不再陌生,基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例,在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,都能夠一次...

        • 黑龍江DDR3測試故障
          黑龍江DDR3測試故障

          重復(fù)以上步驟,分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,置完其中一個(gè),單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊;第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián),利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時(shí)間運(yùn)行?黑龍江DDR3測試故障 DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時(shí)...

        • 信息化DDR3測試維修電話
          信息化DDR3測試維修電話

          容量與組織:DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成,其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒(die),多個(gè)芯粒可以組成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性:DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性,包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性:DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題,確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。DDR3內(nèi)存的一致性測試...

        • 機(jī)械DDR3測試芯片測試
          機(jī)械DDR3測試芯片測試

          單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。 單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí), 單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3內(nèi)存的一致性測試可以修復(fù)一致性問...

        • 內(nèi)蒙古DDR3測試芯片測試
          內(nèi)蒙古DDR3測試芯片測試

          · 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊,ApplicationNote:在這個(gè)文檔中,廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議,甚至參考設(shè)計(jì),有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中,要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì),ReferenceDesign:對(duì)于比較復(fù)雜的器件,廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì),以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D,用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。 · IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過。 DDR3一致性測試期間可能發(fā)生的常見錯(cuò)誤有哪些?內(nèi)蒙古DDR3測試芯片測試為了改善地址信號(hào)多負(fù)載多層級(jí)...

        • 機(jī)械DDR3測試參考價(jià)格
          機(jī)械DDR3測試參考價(jià)格

          使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例 SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具,它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊,本章介紹其中的并行總線分析模塊,本書第5章介紹串 行通道分析模塊。 SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型, 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型,支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號(hào)質(zhì)量、信...

        • 廣西DDR3測試聯(lián)系方式
          廣西DDR3測試聯(lián)系方式

          還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字,例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作,依次創(chuàng)建:DQ8?DQ15、DM1信號(hào);DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào);DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào);DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。 開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào),以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地...

        • 吉林設(shè)備DDR3測試
          吉林設(shè)備DDR3測試

          有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中,很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中,所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下,對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中,所有信號(hào)是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號(hào)是同步的,都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,是要把邏輯設(shè)...

        • DDR3測試哪里買
          DDR3測試哪里買

          閉賦模型窗口,在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當(dāng)耦合線長度超過lOOmil時(shí),按耦合模型提取,少于lOOmil時(shí),按單線模 型提取。 單擊Via modeling setup按鈕,在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。 單擊OK按鈕,關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在...

        • 四川解決方案DDR3測試
          四川解決方案DDR3測試

          走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實(shí)例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。 啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_Check.brd。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成....

        • 信息化DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
          信息化DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

          DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 眾所周知,對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì),首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào),也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào),接收器能接受和判別什么樣的信號(hào),用術(shù)語講,就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中,除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外,還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)...

        • 海南DDR3測試
          海南DDR3測試

          DDRhDDRl釆用SSTL_2接口,1/0 口工作電壓為2.5V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz; 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣;地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣;信號(hào)走線都使用樹形拓?fù)?,沒有ODT功能。 DDR2: DDR2釆用SSTL_18接口,I/O 口工作電壓為1.8V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz;數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào),但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性;地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

        • 電氣性能測試DDR3測試聯(lián)系人
          電氣性能測試DDR3測試聯(lián)系人

          DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 眾所周知,對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì),首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào),也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào),接收器能接受和判別什么樣的信號(hào),用術(shù)語講,就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中,除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外,還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)...

        • 廣東DDR3測試參考價(jià)格
          廣東DDR3測試參考價(jià)格

          LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作電壓為 1.2V;時(shí) 鐘信號(hào)頻率為166?533MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣;控制信號(hào)速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿 采樣;一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì),信號(hào)通常為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?,沒有ODT功能。 LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,I/O 口工作電壓為1.2V; 時(shí)鐘信號(hào)頻率為667?1066MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率為1...

        • 青海PCI-E測試DDR3測試
          青海PCI-E測試DDR3測試

          DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為800?1600MHz; 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為1600?3200Mbps;數(shù)據(jù)命令和控制信號(hào)速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號(hào)使用Fly-by拓?fù)渥呔€;數(shù)據(jù)和選通信號(hào)依舊使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓 撲,并支持動(dòng)態(tài)ODT功能;也支持Write Leveling功能。 綜上所述,DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號(hào)都釆用對(duì)稱的樹形拓?fù)?;DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號(hào)也延用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洹I?jí)到DDR2后,為了改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量,在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號(hào)設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDi...

        • USB測試DDR3測試價(jià)格優(yōu)惠
          USB測試DDR3測試價(jià)格優(yōu)惠

          DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃:Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號(hào),均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升,當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí),T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差,因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí),T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響,仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片,IBIS文件 為arria5.ibs, DDR顆粒為Micron顆粒,IBIS模型文件為v70s.ibs。 分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D,可以看到2片負(fù)載 時(shí),F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用...

        • 河北多端口矩陣測試DDR3測試
          河北多端口矩陣測試DDR3測試

          創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具,單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框,選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,單擊0K按鈕。如圖4-36所示,左側(cè)是W...

        • 內(nèi)蒙古DDR3測試USB測試
          內(nèi)蒙古DDR3測試USB測試

          容量與組織:DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成,其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒(die),多個(gè)芯??梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性:DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性,包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性:DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題,確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。什么是DDR3內(nèi)存的一致...

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