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氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始普遍應用在EMC領域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導電角的不同進行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A...

功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對應的模式。當終端與基站的距離較近時，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時處于負增益模式下，輸入信號進行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號；當終端與基站的距離較遠時，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時處于非負增益模式下，對輸入信號進行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號。在一個...

nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接...

圖3中的自適應動態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡；第二主體電路中的c11和c12構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01...

功率合成模塊，定向耦合器，功率監(jiān)測模塊，保護電路，電源供電模塊，顯示和控制單元等，如圖8所示。圖8：AMETEK固態(tài)射頻功放的組成結(jié)構(gòu)為了便于裝配，調(diào)試，升級，維修，AMETEK的功放在業(yè)界率先采用了模塊化的設計結(jié)構(gòu)，內(nèi)部模塊及各種走線的布局干凈整潔，如圖9所示。圖9：AMETEK固態(tài)射頻功放的模塊化結(jié)構(gòu)AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz，如圖10所示。圖10：AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz不但可以滿足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及醫(yī)療等商用EMC標準，還可以滿足諸如MIL461-RS103/CS11...

功率合成模塊，定向耦合器，功率監(jiān)測模塊，保護電路，電源供電模塊，顯示和控制單元等，如圖8所示。圖8：AMETEK固態(tài)射頻功放的組成結(jié)構(gòu)為了便于裝配，調(diào)試，升級，維修，AMETEK的功放在業(yè)界率先采用了模塊化的設計結(jié)構(gòu)，內(nèi)部模塊及各種走線的布局干凈整潔，如圖9所示。圖9：AMETEK固態(tài)射頻功放的模塊化結(jié)構(gòu)AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz，如圖10所示。圖10：AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz不但可以滿足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及醫(yī)療等商用EMC標準，還可以滿足諸如MIL461-RS103/CS11...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應用上，GaN的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術(shù)領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款P...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電...

下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應動態(tài)偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請實施例提供的自適應動態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請實施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實施方式下面將結(jié)合...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意...

RF)領域成為全球的IC供貨商。立積電子的產(chǎn)品主要分為兩個產(chǎn)品線：一是射頻技術(shù)相關的收發(fā)器，另一個是射頻前端的相關射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設計，眾所周知，中國臺灣半導體廠商喜歡在參考設計中選用中國臺灣的半導體器件，無源器件，這是促進本土經(jīng)濟技術(shù)發(fā)展的有效手段。與RFaxis類似，Richwave官方網(wǎng)站也同樣沒有PA的匯總數(shù)據(jù)，只能看到其全部型號列表。筆者在早期的WiFi產(chǎn)品設計中試用過Richwave的RTC6691，其性能指標如下圖所示。SkyworksSkyworks（于2011年收購了SiGe）同樣是一家老牌射頻半導體...

因此在寬帶應用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號功率超出或低于傳導頻率時輸出訊號功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導基板，開啟了一系列全新的可能應用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應用中，可實現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高...

其次是低端智能手機（35%）和奢華智能手機（13%）。25G基站，PA數(shù)倍增長，GaN大有可為5G基站，射頻PA需求大幅增長5G基站PA數(shù)量有望增長16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三個扇區(qū)，對應的PA需求量為12個，5G基站，預計64T64R將成為主流方案，對應的PA需求量高達192個，PA數(shù)量將大幅增長。5G基站射頻PA有望量價齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS技術(shù)，不過LDMOS技術(shù)適用于低頻段，在高頻應用領域存在局限性。對于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運行頻率，RF功率在，預計5G基站GaN射頻PA將逐...

計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時，能夠通過對射頻功率放大器的狀態(tài)檢測，快速設置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域技術(shù)人員來講，...

射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應的，本發(fā)明實施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個或一個以上計算機可讀存儲介質(zhì)的存儲器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個或者一個以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領域技術(shù)人員可以理解，圖4中示出的移動終端結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對移動終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件...

此時信號將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實現(xiàn)線性輸出，此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺的要求，這樣可保證應用端配置的靈活性。比如同樣功率等級下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號覆蓋要求。參見圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經(jīng)加強負反饋基礎上(引入負反饋電路)，調(diào)節(jié)各級晶體管的偏置電路(例如調(diào)節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調(diào)節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引...

本發(fā)明涉及通信技術(shù)領域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術(shù)：在無線通信中，用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中，用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會隨著工作頻率變化，難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa，每個功率放大器支持一個頻段，需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬，p...

顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├绢I域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實施例的移動終端可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等設備。以下分別進行詳細說明。需說明的是，以下實施例的描述順序不作為對實施例推薦順序的限定。一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個共源共柵放大器；第二主體電路的激勵放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個共源共柵放大器。在主體電路...

本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動態(tài)范圍要達到35～40db，并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關技術(shù)中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調(diào)節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實現(xiàn)負增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請實施例提供一種射頻功率放大器電...

功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對應的模式。當終端與基站的距離較近時，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時處于負增益模式下，輸入信號進行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號；當終端與基站的距離較遠時，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時處于非負增益模式下，對輸入信號進行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號。在一個...

1.射頻微波功率放大器及其應用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流（DC）輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率，在無線通信、雷達和雷達干擾，醫(yī)療功率發(fā)射機和高能成像系統(tǒng)等領域都需要，每種應用領域都有它對頻率、帶寬、負載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器...

其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅(qū)動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態(tài)，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現(xiàn)，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體...

寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結(jié)構(gòu)，采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)較簡單，插損較??；缺點是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級或多級lc結(jié)構(gòu)，采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)相對簡單，缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴散MOS（LDMO...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施...

執(zhí)行移動終端的各種功能和處理數(shù)據(jù)，從而對手機進行整體監(jiān)控?？蛇x的，處理器408可包括一個或多個處理；推薦的，處理器408可集成應用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器，其中，應用處理器主要處理操作系統(tǒng)、用戶界面和應用程序等，調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無線通信?？梢岳斫獾氖?，上述調(diào)制解調(diào)處理器也可以不集成到處理器408中。移動終端還包括給各個部件供電的電源409(比如電池)，推薦的，電源可以通過電源管理系統(tǒng)與處理器408邏輯相連，從而通過電源管理系統(tǒng)實現(xiàn)管理充電、放電、以及功耗管理等功能。電源409還可以包括一個或一個以上的直流或交流電源、再充電系統(tǒng)、電源故障檢測電路、電源轉(zhuǎn)換器或者逆變器、電源狀態(tài)指示器...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現(xiàn)負增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關t1，開關的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關的漏級與第二電阻的端連接，開關的源級接地，電感的端連接輸入信號，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開關，用于響應微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益...

LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產(chǎn)生負反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高...