然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。以上,便是可控硅模塊廠家給大家整理的如何避免可控硅模塊缺點的信息,希望對大家有所幫助!提起可控硅,相信大家都不陌生,它是一種大功率的電器元件,在自動控制系統(tǒng)中,可以作為大功率驅(qū)動器件來使用。在可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展后,就形成了所謂的雙向可控硅。雙向可控硅不能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,比普通的可控硅更簡單的是,它只需要一個觸發(fā)電路就能實現(xiàn),這是比較理想的交流開關(guān)器件。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,有...
雙向晶閘管又分為單向和單向。單向整流器有三個PN結(jié)。從外層的P還有N引出兩個電極,為陽極和陰極從中間引出一個。單向的有著自己的獨特的特點:當陽極和反向的電壓連接,陽極和電壓連接,但是控制不加電壓的時候,就不會導(dǎo)通;陽極和控制極連接到正向的電壓的時候就會變成no的狀態(tài),一旦接通,控制電壓將失去控制功能。不管有沒有控制電壓,也不管控制電壓的極性如何,它始終處于接通狀態(tài)。要關(guān)閉,陽極電壓必須降低到臨界值或反轉(zhuǎn)。雙向的管腳大多按T1、T2、G的順序從左到右排列(電極針朝下,面向字符一側(cè))。當增加到控制電極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,傳導(dǎo)電流可以改變。雙向與單向的區(qū)別在于,當雙向G極觸發(fā)脈沖的極性...
在測量控制極正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件的陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枘K和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。可控硅模塊的特點有:1可控硅模塊采用進口玻璃鈍化方芯片,模塊導(dǎo)通壓降小,功耗低,節(jié)能效果顯著。2可控硅模塊控制觸發(fā)電路采用進口貼片元器件組裝,全部元器件進行高溫老化篩選,可靠性高。3可控硅模塊采用陶瓷覆銅工...
在設(shè)計雙向可控硅模塊觸發(fā)電路時,盡可能避免使用3+象限(wt2-,+)。為了減少雜波吸收,將柵極連接的長度變小,可以直接返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線,則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻小于等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種解決方案是使用H系列低靈敏度雙向可控硅模塊。規(guī)則5:如果DVD/DT或DVCOM/DT出現(xiàn)了問題,可以再在MT1和MT2之間增加RC緩沖電路。如果高的DICOM/DT可能會引起問題,增加幾個mh電感和負載串聯(lián)。另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。標準6:在嚴重和異常供電的瞬時過程中,如果可能超過雙向可控硅模塊的電壓互感器,則...
無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中,為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅,觸發(fā)信號必須與電源同步,即觸發(fā)信號要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系。否則,觸發(fā)電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至?xí)斐啥搪肥鹿剩绞怯上嘀骰芈方釉谕粋€電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現(xiàn)的。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時必須滿足的三個必定條件,希望對您有所幫助。直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎?可控硅模塊的功能很強大,因此在電氣行業(yè)以及生活中的應(yīng)用都比較普遍,但是直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎?想要知道就來看看接下來正高電氣分享的這篇文章吧??煽毓枘K可以...
此時黑表筆的引腳為控制極G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明這件單向可控硅模塊已擊穿損壞。2雙向可控硅模塊用萬用表電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時,該組紅、黑表所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后,再仔細測量A1、G極間正、反向電阻,讀數(shù)相對較小的那次測量的黑...
按照關(guān)斷速度來分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻可控硅。過零觸發(fā),一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹,非過零觸發(fā),無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā)。以上就是可控硅的分類,你看懂了沒?在電子元器件中,運用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的,不是這樣,而且還可以控制直流、交流電路的負載功率。在這里,小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實生活中的應(yīng)用范圍1、觸發(fā)電路的問題如果要讓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通,除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外,觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的...
可控硅模塊的不足之處應(yīng)該怎么避免?晶閘管模塊的優(yōu)點是眾所周知的,但它也有缺點,如:過載和抗干擾能力差,在控制大電感負載時,會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾,如何避免這些缺點?以下是一個很高的解釋。1、靈敏度雙向的是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陽極和陰極,而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓,無論是正觸發(fā)脈沖還是負觸發(fā)脈沖,都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下,雙向晶閘管都可以觸發(fā),但觸發(fā)靈敏度不同,即保證雙觸發(fā)時,可以進入晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的門極電流IGT不同,其中(a)觸發(fā)靈敏度較高,觸發(fā)靈敏度較低。為了保證觸發(fā)和盡可能地限制柵電流,應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)模式。2、過載...
當變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因,都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多,因此,我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護管理措施:1、交流進線串接漏電阻大的整流變壓器,利用短路電流受電抗限制,但交流電流大時會存在交流壓降。2、電檢測和過電流檢測繼電器電流與設(shè)定值進行比較,當取樣電流超過設(shè)定值時,比較器輸出信號使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器...
快速熔斷器可與交流側(cè),直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián),后者直接效果更好。通常來說快速熔斷器的額定電流(有效值IRD)應(yīng)小于保護可控硅模塊額定方均通態(tài)電流(即有效值)Itrms即,同時要大于流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流(即有效值)IRMS。以上就是可控硅模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過電流保護管理措施。希望通過這篇文章對您有所幫助。正高講:雙向可控硅模塊的工作象限雙向可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件,它的工作能力以及優(yōu)勢是有目共睹的,那么您知道雙向可控硅模塊公國在哪幾象限嗎?下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個工作象限,在實際工作時只有兩個象限組合成一個完整的工作周期。組合如...
能夠用小功率的電壓來控制大功率的設(shè)備。從功能上來說,可控硅可分為單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋F渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。接下來,正高的小編就和大家聊聊可控硅的特點及應(yīng)用:可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上,可控硅的功用不是整流,它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成...
連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè),額定電流在交流側(cè),通常采用交流側(cè)。過電壓保護通常發(fā)生在有電感的電路中,或交流側(cè)有干擾的浪涌電壓或交流側(cè)暫態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓。由于過電壓峰值高、動作時間短,常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓??刂拼蟾行载撦d時的電網(wǎng)干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負載時,會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。其原因是當控制一個連接感性負載的電路斷開或閉合時,線圈中的電流通路被切斷,變化率很大。因此,在電感上產(chǎn)生一個高電壓,通過電源的內(nèi)阻加到開關(guān)觸點的兩端,然后感應(yīng)到電壓應(yīng)該一次又一次地放電,直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓。在這個過程中,會產(chǎn)生一個大的脈沖光束。這些脈沖光束疊加在電源電壓上,并將干...
D、汽車工業(yè):噴霧干燥、熱成型E、節(jié)能照明:像是隧道照明、街道照明、舞臺照明、攝影照明F、化工:石油化工行業(yè)、蒸餾蒸發(fā)行業(yè)以及管道加熱行業(yè)淄博正高電氣有限公司有嚴格的質(zhì)量保證體系:嚴格掌握元器件的采購渠道;焊前對元器件進行測試和篩選;所有產(chǎn)品均采用自動波峰焊(非手工焊);控制板焊后進行初步調(diào)整;進行一周動態(tài)老化初調(diào)后溫升試驗;出廠試驗前進行綜合試驗。確保提供給您的產(chǎn)品可控硅調(diào)壓模塊都是合格的!對可控硅模塊的了解可控硅模塊是可控硅整流器的簡稱。它是由三個PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個電極組成的半導(dǎo)體器件。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識吧!首先它的三個電極分別叫陽極(A)、陰極(K)和控制極...
以智能數(shù)字控制電路做的電源功率控制電器,它的效率是很高的,沒有磨損,響應(yīng)速度比較快,沒有機械的噪聲,占地面積不是很大,同時重量也不是很大。接下來,正高的小編就和大家看看可控硅模塊控制器的特點有哪些:1可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護報警設(shè)備,還有三相不平衡報警2使用世界規(guī)范的MODBUSRTU通訊當做標配,應(yīng)用阻燃型ABS外殼,更加的不易發(fā)生危險3可控硅模塊控制器里面應(yīng)用密電流傳感器,可以限流,另外還使用50和60赫茲切換設(shè)備,更具有應(yīng)用價格4里面使用12位AD轉(zhuǎn)換器,做到了比較精細的調(diào)節(jié)5可控硅模塊控制器里面使用了精密的電壓傳感器,能夠做到過壓和限壓的保護,同時使用調(diào)壓、調(diào)功和整流一...
但其缺點是適用于時間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng),如恒溫裝置??煽毓枘K和固態(tài)繼電器的區(qū)別可控硅模塊與固態(tài)繼電器很相似,說到它們倆很多人都分不清楚,就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用,下面正高來教您如何區(qū)分一下,并看看他們有什么區(qū)別?所謂單相固態(tài)繼電器,它只相當于一個開關(guān),不能起到任何調(diào)節(jié)電流的作用,而晶閘管模塊可以控制導(dǎo)通角,可以調(diào)節(jié)電流的大小,并且在一定程度上,單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是,固態(tài)繼電器的動作電壓和控制電壓通過電路的內(nèi)部部分,如光耦分開,如果你不明白,相信你可以看看一個固定繼電器的內(nèi)部。此外,晶閘管模塊可以是單向或雙向、過零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當然,固態(tài)繼電器也是如此...
無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中,為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅,觸發(fā)信號必須與電源同步,即觸發(fā)信號要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系。否則,觸發(fā)電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至?xí)斐啥搪肥鹿剩绞怯上嘀骰芈方釉谕粋€電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現(xiàn)的。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時必須滿足的三個必定條件,希望對您有所幫助。直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎?可控硅模塊的功能很強大,因此在電氣行業(yè)以及生活中的應(yīng)用都比較普遍,但是直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎?想要知道就來看看接下來正高電氣分享的這篇文章吧??煽毓枘K可以...
目前使用較多的是雙向可控硅模塊;可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)相對來說簡單以及功能性強、重量輕等優(yōu)點。但是,可控硅模塊本身也是存在著抗干擾能力差、在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點,,正高的小編就和大家看看怎樣來避免可控硅模塊的這些缺點:一靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,二可控硅模塊過載的保護可控硅模塊優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有:1外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;2可控硅的通...
焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標準,焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價格方面來講,焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。以上就是壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區(qū)別,希望對您有所幫助??煽毓枘K觸發(fā)電路時需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗在電路中,在電路中經(jīng)常會見到可控硅模塊的身影,由此可見它的應(yīng)用是多么的強大,可控硅模塊的其中一個作用就是觸...
因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。4對維持電流:IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。5對電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造工藝決...
雙向晶閘管又分為單向和單向。單向整流器有三個PN結(jié)。從外層的P還有N引出兩個電極,為陽極和陰極從中間引出一個。單向的有著自己的獨特的特點:當陽極和反向的電壓連接,陽極和電壓連接,但是控制不加電壓的時候,就不會導(dǎo)通;陽極和控制極連接到正向的電壓的時候就會變成no的狀態(tài),一旦接通,控制電壓將失去控制功能。不管有沒有控制電壓,也不管控制電壓的極性如何,它始終處于接通狀態(tài)。要關(guān)閉,陽極電壓必須降低到臨界值或反轉(zhuǎn)。雙向的管腳大多按T1、T2、G的順序從左到右排列(電極針朝下,面向字符一側(cè))。當增加到控制電極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,傳導(dǎo)電流可以改變。雙向與單向的區(qū)別在于,當雙向G極觸發(fā)脈沖的極性...
SCR常用的散熱方式有自然冷卻、強制風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等??煽毓枘K溫度過高該怎么降溫一般而言,可控硅晶閘管模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量,因此不能作為衡量晶閘管元件結(jié)溫是否過溫的標準??刂颇K層溫度是控制節(jié)點溫室的一種有效方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫TJ與殼層溫度Tc之間存在一定的溫度梯度,所以在已知殼層溫度時,結(jié)溫也是已知的,較大殼層溫度Tc是有限的,這是由積數(shù)據(jù)表給出的。借助于溫度控制開關(guān),可以方便地測量模塊基板與散熱器接觸的溫度(溫度傳感元件應(yīng)放置在模塊基板的較高溫度位置)。由溫度控制天關(guān)測得的殼體溫度,可用來判斷模塊是否正常工作。如果在電路中分別添加一個或兩個溫度控制電路來控制風(fēng)扇的...
SCR常用的散熱方式有自然冷卻、強制風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等??煽毓枘K溫度過高該怎么降溫一般而言,可控硅晶閘管模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量,因此不能作為衡量晶閘管元件結(jié)溫是否過溫的標準??刂颇K層溫度是控制節(jié)點溫室的一種有效方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫TJ與殼層溫度Tc之間存在一定的溫度梯度,所以在已知殼層溫度時,結(jié)溫也是已知的,較大殼層溫度Tc是有限的,這是由積數(shù)據(jù)表給出的。借助于溫度控制開關(guān),可以方便地測量模塊基板與散熱器接觸的溫度(溫度傳感元件應(yīng)放置在模塊基板的較高溫度位置)。由溫度控制天關(guān)測得的殼體溫度,可用來判斷模塊是否正常工作。如果在電路中分別添加一個或兩個溫度控制電路來控制風(fēng)扇的...
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,...
如果可控硅智能調(diào)壓模塊三相負載平衡,負載中心零線可以接,也可以不接。如果三相負載不平衡,必須連接負載中心的零線,否則輸出電壓會偏移。6.過流保護:使用中如有過流現(xiàn)象,首先檢查負載是否短路??煽毓枘K進線R、S、T端子前可安裝快速熔斷器,規(guī)格可按實際負載電流的。以上是對可控硅智能調(diào)壓模塊的介紹,希望能通過了解其安裝步驟來幫助你。可控硅是一種具有三個PN結(jié)和四層的大功率半導(dǎo)體器件。通常由兩個反向連接的晶閘管組成。它不具有整流器的功能,而且還可用于非接觸式開關(guān)的快速開啟或切斷、直流逆變器變成交流電、將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)化為另一個頻率的交流電等。晶閘管具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、運行可靠等優(yōu)點。隨著...
實際上是脈沖開關(guān)信號,一般選用移相觸發(fā)器。然而,移相觸發(fā)器對電網(wǎng)頻率有干擾,在大功率時更為突出。不過,在一般的工業(yè)場合并不重要,因為根據(jù)實際經(jīng)驗,只要不再在示波器和其他需要高精度柵極頻率的儀器上使用加熱器,就不會有什么問題。此外,移相加熱是一種動態(tài)的電壓降低,有利于延長加熱元件的壽命。過零觸發(fā)的電路比較簡單、穩(wěn)定而且還可以節(jié)省一塊觸發(fā)板。它的觸發(fā)信號通常是在0-5V或者是1-5V脈沖,并不建議去使用S7-200。如果溫度控制模塊不是由晶閘管模塊觸發(fā)的,則溫度控制模塊不會發(fā)送到溫度控制模塊。SCR模塊的選擇應(yīng)注意。國內(nèi)制造商通常會標注RMScurrent。平均電流約為有效值的60%。選擇時應(yīng)使用...
人們常說的普通晶閘管,不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極。它由三個PN結(jié),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管之初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,...
快速熔斷器可與交流側(cè),直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián),后者直接效果更好。通常來說快速熔斷器的額定電流(有效值IRD)應(yīng)小于保護可控硅模塊額定方均通態(tài)電流(即有效值)Itrms即,同時要大于流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流(即有效值)IRMS。以上就是可控硅模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過電流保護管理措施。希望通過這篇文章對您有所幫助。正高講:雙向可控硅模塊的工作象限雙向可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件,它的工作能力以及優(yōu)勢是有目共睹的,那么您知道雙向可控硅模塊公國在哪幾象限嗎?下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個工作象限,在實際工作時只有兩個象限組合成一個完整的工作周期。組合如...
可控硅模塊的接線方法可控硅模塊在電氣行業(yè)中起著至關(guān)重要的作用,有很多人都知道可控硅模塊的優(yōu)勢與使用方法,但是卻不知道可控硅模塊應(yīng)該怎樣接線,下面正高就來說說可控硅模塊的接線方法??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋...
人們常說的普通晶閘管,不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極。它由三個PN結(jié),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管之初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,...
可關(guān)斷可控硅模塊。這是一種新型可控硅模塊,主要是利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通,而用負的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流,恢復(fù)阻斷狀態(tài),利用這種特性可以做成無觸點開關(guān)或者用于直流調(diào)壓、電視機中行掃描電路以及高壓脈沖發(fā)生器電路等??煽毓杓赡K種類有很多,不同的可控硅集成模塊特性不一,自然用途也不一樣,在選擇可控硅集成模塊時,大家一定要結(jié)合實際情況來選,這樣才能保證選出滿足自己需求的。使用可控硅模塊的準則可控硅模塊大家都知道,它的應(yīng)用與優(yōu)勢讓它在電氣行業(yè)占著比較重要的作用,設(shè)備都有壽命的限制,所以在使用的時候一定要注意,正確的使用準則才能延長可控硅模塊的壽命,下面正高來說說可控硅模塊使用的準則。準則1為...