激情综合色综合久久综合,国产综合色产在线视频欧美,欧美国产 视频1,国产 日韩 欧美 第二页

可在可控硅模塊的進(jìn)線R、S、T端之前安裝快速熔斷器，規(guī)格可按實(shí)際負(fù)載電流的。以上就是可控硅智能調(diào)壓模塊的安裝步驟，希望對(duì)您有所幫助。在電氣控制領(lǐng)域中可控硅智能模塊起到什么作用可控硅智能模塊是一種非常重要的電子配件，它的應(yīng)用也非常廣，它的出現(xiàn)解決了電路上的很多問(wèn)題，下面正高電氣就來(lái)介紹一下可控硅智能模塊在電氣控制領(lǐng)域中的應(yīng)用。在電氣控制領(lǐng)域的可控硅智能模塊，其實(shí)就是將可控硅晶閘管主電路與移相觸發(fā)電路、控制電路進(jìn)行集成封裝的新型模塊，目前國(guó)際上通用的晶閘管智能模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路，功能電路由單片機(jī)完成，并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過(guò)模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤，進(jìn)行各...

可控硅模塊應(yīng)用于電解、電鍍、調(diào)溫、調(diào)光、焊接等。主要用于固態(tài)接觸器、繼電器、工業(yè)電熱控溫、各種半設(shè)備的精密控溫、中高頻熱處理電源、焊接設(shè)備（整流焊機(jī)、二次整流焊機(jī)、逆變焊機(jī)）激光電源等。簾布層、勵(lì)磁電源、電鍍、電解電源、機(jī)電設(shè)備電源、城市無(wú)軌、電力牽引、港口船舶吊貨機(jī)、風(fēng)機(jī)等泵、軌機(jī)、龍門刨床、起重機(jī)傳動(dòng)、頻鋼水、攪拌電源、造紙、紡織。城市供水、污水處理等，可以說(shuō)是可控硅模塊在配電系統(tǒng)中起到了電氣控制的作用?？煽毓枘K的特點(diǎn)是體積小、功能齊全、連接簡(jiǎn)單、控制方便、性能穩(wěn)定可靠，增加容量、擴(kuò)展功能、降低成本、系列化是可控硅模塊未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)?？煽毓枰演^廣應(yīng)用于交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)和伺...

雙向晶閘管又分為單向和單向。單向整流器有三個(gè)PN結(jié)。從外層的P還有N引出兩個(gè)電極，為陽(yáng)極和陰極從中間引出一個(gè)。單向的有著自己的獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽(yáng)極和反向的電壓連接，陽(yáng)極和電壓連接，但是控制不加電壓的時(shí)候，就不會(huì)導(dǎo)通；陽(yáng)極和控制極連接到正向的電壓的時(shí)候就會(huì)變成no的狀態(tài)，一旦接通，控制電壓將失去控制功能。不管有沒(méi)有控制電壓，也不管控制電壓的極性如何，它始終處于接通狀態(tài)。要關(guān)閉，陽(yáng)極電壓必須降低到臨界值或反轉(zhuǎn)。雙向的管腳大多按T1、T2、G的順序從左到右排列（電極針朝下，面向字符一側(cè)）。當(dāng)增加到控制電極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，傳導(dǎo)電流可以改變。雙向與單向的區(qū)別在于，當(dāng)雙向G極觸發(fā)脈沖的極性...

在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。它的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？梢詮耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。以上就是正高的小編為大家?guī)サ年P(guān)于可控硅模塊的了解，希望會(huì)對(duì)大家?guī)ヒ欢ǖ膸椭】煽毓枘K遇到的相關(guān)問(wèn)題可控硅模塊因?yàn)槭褂玫臅r(shí)間的增長(zhǎng)，肯定或多或少地出現(xiàn)發(fā)熱的這種情況，為了是可控硅正常運(yùn)行，我們不得不采取一些措施，針對(duì)這種發(fā)熱的問(wèn)題，我們將會(huì)針對(duì)這個(gè)問(wèn)題采取一定的措施，比如購(gòu)買散熱器，或者其他的種類。所以正高電氣的小編將會(huì)針對(duì)這個(gè)可控硅模塊的問(wèn)題進(jìn)行分析一下：1.需要散熱的面積，是與這個(gè)模塊的電流有著直接的聯(lián)系的。2.采...

因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3.對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。4.對(duì)維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。5.對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造...

連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，額定電流在交流側(cè)，通常采用交流側(cè)。過(guò)電壓保護(hù)通常發(fā)生在有電感的電路中，或交流側(cè)有干擾的浪涌電壓或交流側(cè)暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)電壓。由于過(guò)電壓峰值高、動(dòng)作時(shí)間短，常用電阻和電容吸收電路來(lái)控制過(guò)電壓?？刂拼蟾行载?fù)載時(shí)的電網(wǎng)干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。其原因是當(dāng)控制一個(gè)連接感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí)，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，通過(guò)電源的內(nèi)阻加到開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)到電壓應(yīng)該一次又一次地放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓。在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大的脈沖光束。這些脈沖光束疊加在電源電壓上，并將干...

有時(shí)可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢(shì)，反對(duì)外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢(shì)越高，有時(shí)甚至超過(guò)電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負(fù)載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10—30Ω/3W以上電阻和—。交流調(diào)功電路中，可控硅是在交流電過(guò)零期間所關(guān)斷的，從理論上來(lái)講，關(guān)斷時(shí)候的電流變化狀況是零，沒(méi)有感應(yīng)電壓的產(chǎn)生。加入RC尖峰電路，目的是為了可控硅導(dǎo)通時(shí)的自感電勢(shì)尖峰。如果不加入電路，不但可控硅極易擊穿，負(fù)載電路的電感線圈也會(huì)產(chǎn)生匝間、或電機(jī)繞組間擊穿，這個(gè)點(diǎn)是不能忽視的...

這種調(diào)速方法適用于繞線式異步電機(jī)。3、是變頻調(diào)速，它是將可控硅模塊組成變頻電路，它也有交—交變頻和交直交變頻之分，但由于可控硅是半控器件，變頻控制電路較為復(fù)雜。而近年來(lái)新型電力電子全控器件，即采用雙閉環(huán)三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)壓調(diào)速系統(tǒng)，三相晶閘管交流調(diào)壓器及三相繞線式異步電動(dòng)機(jī)（轉(zhuǎn)子回路串電阻）?？刂撇糠钟山o定積分電路、電流調(diào)節(jié)器（ACR）、速度調(diào)節(jié)器（ASR）、TH103晶閘管觸發(fā)集成電路、電流變換器（FBC）、速度變換器（FBS）、觸發(fā)器（GT）、脈沖功放等組成。以上就是用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法，希望對(duì)您有所幫助。不同設(shè)備選擇不同的可控硅模塊的技巧可控硅模塊在電子行業(yè)中應(yīng)用以及發(fā)展比...

安裝是非常重要的，下面可控硅模塊廠家正高帶您了解一下安裝可控硅模塊需要滿足哪些要求？1、工作環(huán)境一定要確保干燥、通風(fēng)、無(wú)腐蝕性氣體，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，并且在安裝時(shí)要注意位置的擺放。2、要用這種接線端頭環(huán)帶把銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)環(huán)境或者生活熱水來(lái)加熱收縮，導(dǎo)線截面積可以按照工作電流通過(guò)密度＜4A/mm2選取，禁止將銅線作為直接壓接在可控硅模塊以及電極上。3、把接線端頭連接到可控硅模塊電極上。然后用螺絲緊固，保持良好的平面壓力接觸。4、可控硅模塊的電極很容易折斷，從而，在接線的時(shí)候一定要避免重力把電極拉起折斷。5、散熱器和風(fēng)機(jī)要按照通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱的合適位置，散熱...

A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅模塊未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。需要注意的是：在檢測(cè)較大功率的可控硅模塊時(shí)，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)，以提高觸發(fā)電壓。以上便是正高的小編給大家整理的檢查可控硅模塊好壞的方法，希望對(duì)大家有所幫助！可控硅模塊，小編想大家都很了解了。近期，小編發(fā)現(xiàn)了一件神奇的事情：許多人在日常生活中，使用可控硅模塊時(shí)都會(huì)把它封裝起來(lái)，小編和許多的人對(duì)這一行為都感到不解，不知為什么？小編收集了一些資料，就和大家簡(jiǎn)單說(shuō)明一下可控硅模塊封裝起來(lái)的原因是什么？這樣做有什么好處？可控硅模塊...

但是在使用的時(shí)候有很多需要注意的地方，肯定也有很多你不知道的地方，比如你知道可控硅模塊轉(zhuǎn)換電壓的變化率是什么嗎？下面正高就來(lái)解說(shuō)一下。1、當(dāng)可控硅模塊驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。2、當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅模塊開(kāi)始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。3、如果換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅模塊回到導(dǎo)通狀態(tài)。4、在可控硅模塊端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)，一般，電阻取100R，電容取100nF，值得注意的是此電阻不能省掉。以上就是可控硅...

以智能數(shù)字控制電路做的電源功率控制電器，它的效率是很高的，沒(méi)有磨損，響應(yīng)速度比較快，沒(méi)有機(jī)械的噪聲，占地面積不是很大，同時(shí)重量也不是很大。接下來(lái)，正高的小編就和大家看看可控硅模塊控制器的特點(diǎn)有哪些：1.可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護(hù)報(bào)警設(shè)備，還有三相不平衡報(bào)警。2.使用世界規(guī)范的MODBUSRTU通訊當(dāng)做標(biāo)配，應(yīng)用阻燃型ABS外殼，更加的不易發(fā)生危險(xiǎn)3可控硅模塊控制器里面應(yīng)用密電流傳感器，可以限流，另外還使用50和60赫茲切換設(shè)備，更具有應(yīng)用價(jià)格4里面使用12位AD轉(zhuǎn)換器，做到了比較精細(xì)的調(diào)節(jié)5可控硅模塊控制器里面使用了精密的電壓傳感器，能夠做到過(guò)壓和限壓的保護(hù)，同時(shí)使用調(diào)壓、調(diào)功和...

只有使器件中的電流減到低于某個(gè)數(shù)值或陰極與陽(yáng)極之間電壓減小到零或負(fù)值時(shí)，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。多種用途的，根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，它已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開(kāi)關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。2、雙向的。它的特點(diǎn)是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖，控制兩個(gè)方向電流的導(dǎo)通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。3、逆導(dǎo)的。主要用于直流供電國(guó)輛（如無(wú)軌電車）的調(diào)速。4、可關(guān)斷的。這是一種新型產(chǎn)品，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽(yáng)極電流，恢...

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)...

用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小，高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。準(zhǔn)則6假如雙向可控硅模塊的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制IT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7選用好的門極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以限度提高雙向可控硅模塊的dIT...

這主要取決于可控硅模塊對(duì)各種干擾的抗干擾能力，那么，如何提升可控硅模塊的抗干擾能力，下面看正高電子科技總結(jié)的以下幾種方法：1、將可控硅模塊控制電源與脈沖電源分開(kāi)，并且將各路脈沖電源分開(kāi)，以便于減少或者消除脈沖間的相互干擾，如果有六路脈沖輸出，那就使用六組脈沖電源，當(dāng)然，各電源一定要采用大容量電容進(jìn)行濾波，并且盡量提高電源輸出特性的硬度。2、地線要接好。主要包括兩部分，首先是要遵循“一點(diǎn)接地”原則，接著是接地電阻要盡量小。在脈沖電路的實(shí)際工程調(diào)試中，很大的一部分工作量都要花在消除干擾“毛刺”上，而這往往就是地線沒(méi)有處理好所致。所以說(shuō)，這點(diǎn)很重要，在這里所說(shuō)的“一點(diǎn)接地”，就是指各路脈沖的地都要接...

散熱器周長(zhǎng)）（散熱器長(zhǎng)度）＋（截面積）２可控硅還有一種別的名稱，叫做可控硅模塊，它在電子、電力行業(yè)的領(lǐng)域也是非常的。比如在可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)的電子開(kāi)關(guān)以及變頻等電路中也是可以使用的。那么在這個(gè)提升可控硅模塊的抗干擾能力有什么方法呢？1.為了減少脈沖間的相互干擾，應(yīng)該將可控硅電源與脈沖的電源分開(kāi)，同樣的原因應(yīng)該也將各路脈沖的電源分開(kāi)。為了盡量的提高電源輸出的特性的硬度，一定需要采用大容量的電容進(jìn)行濾波。2.地線要接好。“一點(diǎn)接地”的原則，另一個(gè)就是這個(gè)接地的電阻盡可能的去減少。因?yàn)樵谶@個(gè)調(diào)試的過(guò)程中，需要減少“毛刺”上，而這就是因?yàn)檫@個(gè)地線沒(méi)有處理好。所以說(shuō)：“一點(diǎn)接地”是很重要的。所以...

不過(guò)要是續(xù)流管的管壓降高于導(dǎo)通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過(guò)之外，仍然會(huì)有部分電流在原導(dǎo)通的可控硅模塊上流過(guò)。3丟失脈沖的情況發(fā)生在電路系統(tǒng)正常運(yùn)行的前提下，如果三相脈沖正常，即使維持電流很小，可控硅元件也可以確保正常換相，不會(huì)出現(xiàn)失控的情況，但是，如果出現(xiàn)了丟脈沖的情況，那么可控硅模塊就不能保證正常換相，元件本身就可能會(huì)失控。其實(shí)，影響可控硅模塊失控的原因還有很多，正高的小編給大家整理的是常見(jiàn)的幾種原因，希望對(duì)大家有所幫助！可控硅模塊為什么沒(méi)有3C認(rèn)證？我們都知道，產(chǎn)品如要想要有保障，除了自身產(chǎn)品合格之外，重要的是必須要有相關(guān)機(jī)構(gòu)發(fā)布的認(rèn)證證書(shū)。在我國(guó)，目前被大眾所...

50Hz正弦半波電流的平均值可以在陽(yáng)極和陰極之間連續(xù)通過(guò)。當(dāng)控制極開(kāi)路未觸發(fā)，陽(yáng)極正向電壓不超過(guò)導(dǎo)電電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓vpf可重復(fù)施加在晶閘管兩端。晶閘管的峰值正電壓不應(yīng)超過(guò)手冊(cè)中給出的參數(shù)。反向阻斷峰值電壓vpr當(dāng)受控硅加反向電壓處于反向開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可在受控硅的兩端重復(fù)。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)中給出的此參數(shù)值?？煽毓璧奶攸c(diǎn)：在指定的環(huán)境溫度下，當(dāng)控制極觸發(fā)電流IG1和觸發(fā)電壓VGT被加到陽(yáng)極和陰極之間的特定電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小控制極電流和電壓。將電流IH維持在指定的溫度，控制極開(kāi)路，并保持晶閘管導(dǎo)電所需的較小陽(yáng)極正向電流。許多新型晶閘管元件相繼問(wèn)世，如...

這種調(diào)速方法適用于繞線式異步電機(jī)。3、是變頻調(diào)速，它是將可控硅模塊組成變頻電路，它也有交—交變頻和交直交變頻之分，但由于可控硅是半控器件，變頻控制電路較為復(fù)雜。而近年來(lái)新型電力電子全控器件，即采用雙閉環(huán)三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)壓調(diào)速系統(tǒng)，三相晶閘管交流調(diào)壓器及三相繞線式異步電動(dòng)機(jī)（轉(zhuǎn)子回路串電阻）。控制部分由給定積分電路、電流調(diào)節(jié)器（ACR）、速度調(diào)節(jié)器（ASR）、TH103晶閘管觸發(fā)集成電路、電流變換器（FBC）、速度變換器（FBS）、觸發(fā)器（GT）、脈沖功放等組成。以上就是用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法，希望對(duì)您有所幫助。不同設(shè)備選擇不同的可控硅模塊的技巧可控硅模塊在電子行業(yè)中應(yīng)用以及發(fā)展比...

散熱器周長(zhǎng)）（散熱器長(zhǎng)度）＋（截面積）２可控硅還有一種別的名稱，叫做可控硅模塊，它在電子、電力行業(yè)的領(lǐng)域也是非常的。比如在可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)的電子開(kāi)關(guān)以及變頻等電路中也是可以使用的。那么在這個(gè)提升可控硅模塊的抗干擾能力有什么方法呢？1.為了減少脈沖間的相互干擾，應(yīng)該將可控硅電源與脈沖的電源分開(kāi)，同樣的原因應(yīng)該也將各路脈沖的電源分開(kāi)。為了盡量的提高電源輸出的特性的硬度，一定需要采用大容量的電容進(jìn)行濾波。2.地線要接好?！耙稽c(diǎn)接地”的原則，另一個(gè)就是這個(gè)接地的電阻盡可能的去減少。因?yàn)樵谶@個(gè)調(diào)試的過(guò)程中，需要減少“毛刺”上，而這就是因?yàn)檫@個(gè)地線沒(méi)有處理好。所以說(shuō)：“一點(diǎn)接地”是很重要的。所以...

當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高或過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等原因，都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過(guò)正常的工作電流。由于可控硅模塊的過(guò)流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多。因此，我們必須采取防過(guò)電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來(lái)可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過(guò)電流保護(hù)管理措施：1、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時(shí)會(huì)存在交流壓降。2、電檢測(cè)和過(guò)電流檢測(cè)繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，比較器輸出信號(hào)使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器...

用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)陽(yáng)極與控制極之間、陽(yáng)極與陰極之間的電阻。如阻值很小，并用低阻檔再量阻值仍較小，表明可控硅已擊穿、管子是壞的。2導(dǎo)通試驗(yàn)。利用萬(wàn)用表的直流電流檔(100mA檔或更大些電流檔)，需外加6V直流電源。先不合開(kāi)關(guān)，此時(shí)電流表指示應(yīng)很小(正向阻斷)，當(dāng)閉合時(shí)電流應(yīng)有100mA左右。電流若很小表明管子正向壓降太大或已損壞。再斷開(kāi)，電表指示應(yīng)仍為100mA左右基本上無(wú)變化。切斷6V電源再一次重復(fù)上述過(guò)程，如一切同前表示管子導(dǎo)通性能是良好的。在沒(méi)有萬(wàn)用表時(shí)，用，導(dǎo)通時(shí)燈泡亮。以上就是正高小編對(duì)于用表測(cè)試可控硅好壞的方法，大家學(xué)會(huì)了嗎？晶閘管的選擇方法說(shuō)起晶閘管，小編相信許多的人都會(huì)把晶閘管和可...

開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓如交流開(kāi)關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過(guò)電壓，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因，這些過(guò)電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)閉速度越快，過(guò)電壓越高，則在無(wú)負(fù)載下斷開(kāi)晶閘管模塊時(shí)過(guò)電壓就越高。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，如果切斷電路的電感較大，或者切斷時(shí)電流值較大，就會(huì)產(chǎn)生較大的過(guò)電壓。當(dāng)負(fù)載被移除，可控硅模塊的開(kāi)路被打開(kāi)，或者快速熔斷器的熔體燃燒是由電流的突然變化引起時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況。以上就是可控硅模塊受過(guò)電壓的損壞，希望通過(guò)這篇文章可以對(duì)您有所幫助?？煽毓枘K分為壓接式和...

因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3.對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。4.對(duì)維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。5.對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造...

溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。3.可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度相信大家在了解可控硅模塊的升溫測(cè)試方法之后，在以后的使用中就可以測(cè)試溫度，如果溫度過(guò)高就及時(shí)采取降溫措施，這樣能夠提高工作效率，又使機(jī)器受到了保護(hù)。以上便是小編給大家推薦的如何測(cè)試可控硅升溫的方法，希望對(duì)大家有所幫助。可控硅，也被叫做晶閘管，它是一種大功率的...

50Hz正弦半波電流的平均值可以在陽(yáng)極和陰極之間連續(xù)通過(guò)。當(dāng)控制極開(kāi)路未觸發(fā)，陽(yáng)極正向電壓不超過(guò)導(dǎo)電電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓vpf可重復(fù)施加在晶閘管兩端。晶閘管的峰值正電壓不應(yīng)超過(guò)手冊(cè)中給出的參數(shù)。反向阻斷峰值電壓vpr當(dāng)受控硅加反向電壓處于反向開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可在受控硅的兩端重復(fù)。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)中給出的此參數(shù)值?？煽毓璧奶攸c(diǎn)：在指定的環(huán)境溫度下，當(dāng)控制極觸發(fā)電流IG1和觸發(fā)電壓VGT被加到陽(yáng)極和陰極之間的特定電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小控制極電流和電壓。將電流IH維持在指定的溫度，控制極開(kāi)路，并保持晶閘管導(dǎo)電所需的較小陽(yáng)極正向電流。許多新型晶閘管元件相繼問(wèn)世，如...

由可控硅組成的調(diào)工系統(tǒng)以及交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)得到了普遍的應(yīng)用。再說(shuō)說(shuō)晶閘管“晶閘管”是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，也被叫做可控硅整流器，之前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管它的結(jié)構(gòu)是PNPN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陰極，陽(yáng)極以及控制極。晶閘管因?yàn)樗髌鞯奶匦?，被普遍?yīng)用在高電壓，大電流等工作中。接下來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別晶閘管又叫可控硅，可控硅是簡(jiǎn)稱，它屬于功率器件領(lǐng)域，是一種半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)元件。可控硅可以分為單向和雙向可控硅?？煽毓栌腥齻€(gè)，分別由陽(yáng)極、陰極以及控制極三者組成。而單向可控硅和雙向可控硅的符號(hào)也不相同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，而單向可控硅有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓，或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓...

正高的小編就和大家看看可控硅模塊控制器的特點(diǎn)有哪些：1.可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護(hù)報(bào)警設(shè)備，還有三相不平衡報(bào)警2使用世界規(guī)范的MODBUSRTU通訊當(dāng)做標(biāo)配，應(yīng)用阻燃型ABS外殼，更加的不易發(fā)生危險(xiǎn)3可控硅模塊控制器里面應(yīng)用密電流傳感器，可以限流，另外還使用50和60赫茲切換設(shè)備，更具有應(yīng)用價(jià)格4里面使用12位AD轉(zhuǎn)換器，做到了比較精細(xì)的調(diào)節(jié)5可控硅模塊控制器里面使用了精密的電壓傳感器，能夠做到過(guò)壓和限壓的保護(hù)，同時(shí)使用調(diào)壓、調(diào)功和整流一體化的工藝，還擁有恒流控制、恒壓控制以及恒功率控制以上便是正高的小編給大家?guī)?lái)的可控硅模塊控制器的信息，希望對(duì)大家有所幫助！說(shuō)起可控硅模塊，相信...

但是在使用的時(shí)候有很多需要注意的地方，肯定也有很多你不知道的地方，比如你知道可控硅模塊轉(zhuǎn)換電壓的變化率是什么嗎？下面正高就來(lái)解說(shuō)一下。1、當(dāng)可控硅模塊驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。2、當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅模塊開(kāi)始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。3、如果換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅模塊回到導(dǎo)通狀態(tài)。4、在可控硅模塊端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)，一般，電阻取100R，電容取100nF，值得注意的是此電阻不能省掉。以上就是可控硅...