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2具體電路實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價(jià)格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準(zhǔn)電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個(gè)大功率三極管并聯(lián)，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個(gè)管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用...

如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經(jīng)N2-P1-N1流出，It21從P1流入經(jīng)N2-P2-N32流出；G極觸發(fā)電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設(shè)計(jì)電路在四個(gè)象限的觸發(fā)導(dǎo)通工作過程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負(fù)此時(shí)當(dāng)G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止?fàn)顟B(tài)，Vg+由P2輸入后經(jīng)R3使Q2的B極和E極之間產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而促使Q3導(dǎo)通，這時(shí)即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)Vt21先反向或撤除才重回截止。當(dāng)G極接Vg為負(fù)，Q4、Q5...

10ms內(nèi)截止輸出過熱保護(hù)主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護(hù)輸入電源相序錯(cuò)誤報(bào)警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結(jié)海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個(gè)典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)。現(xiàn)以調(diào)壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調(diào)節(jié)過程如下：給定信號(hào)(Ug)、電壓反饋信號(hào)(Uf)、電流反饋信號(hào)(If)當(dāng)由于某種原因使調(diào)壓器輸出電壓降低時(shí)(...

只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。2.單向可控硅的檢測(cè)。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短...

2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?..

固態(tài)繼電器（過零觸發(fā)電路）MOC3061實(shí)物圖：電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動(dòng)雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當(dāng)單片機(jī)80C51的，MOC3061導(dǎo)通，觸發(fā)BCR導(dǎo)通，接通交流負(fù)載。另外，若雙向可控硅接感**流負(fù)載時(shí)，由于電源電壓超前負(fù)載電流一個(gè)相位角，因此，當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí)，電源電壓為反向電壓，加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)?，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在...

應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容，和其他投切器相比，該投切開關(guān)具有在投切時(shí)無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率。這些優(yōu)點(diǎn)是通過觸發(fā)電路，晶閘管，二極管，以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅，觸發(fā)電路，吸收電路，散熱片，以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V)，進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加，改善了投切開關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過溫保護(hù)開關(guān)，以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開關(guān)，從而為安全的運(yùn)行...

控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。散熱可控硅生產(chǎn)加工 *運(yùn)行地點(diǎn)無導(dǎo)電及性塵埃，無腐蝕金屬及破壞絕緣的氣體或蒸汽。*無...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒有...

選擇價(jià)格便宜、性能很好的熱敏元件AD590，將其加裝在調(diào)整管的散熱片上。當(dāng)溫度達(dá)60℃左右時(shí)，啟動(dòng)風(fēng)扇降溫，當(dāng)溫度回落至40℃左右時(shí)，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)溫度高達(dá)85℃時(shí)，給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號(hào)，關(guān)斷可控硅，進(jìn)而關(guān)斷電路，避免調(diào)整管過熱損壞。電路如圖3所示。AD590的外部特性：0℃時(shí)，其電流為273μA；溫度每上升1℃，電流增加1μA；溫度每下降1℃，電流減小1μA；工作溫度為－50℃～＋150℃；為避免比較器頻繁動(dòng)作或誤動(dòng)作，選擇滯環(huán)寬度為1V。取R＝40kΩ；選擇集成運(yùn)放由單電源＋5V供電，可由CW78M15分壓得到。設(shè)溫度65℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmH，有：設(shè)溫度40℃時(shí)比較器...

門極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個(gè)電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè)：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí)，可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，其A、K極間電阻值由無...

可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調(diào)節(jié)的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路。主電路由負(fù)載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發(fā)電路為單結(jié)晶體管T2及一些阻容元件構(gòu)成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導(dǎo)通角，便可調(diào)節(jié)主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數(shù)值，這點(diǎn)可由燈炮負(fù)載的亮度變化看出。晶閘管導(dǎo)通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路可知，當(dāng)單結(jié)晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時(shí)，則頻率f大小由R決定，因此，通過調(diào)節(jié)電位器Rw，使可以改變觸發(fā)脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達(dá)到可控調(diào)壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數(shù)字萬...

它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等，主要應(yīng)用于以下負(fù)載：*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*白金漏板、石墨、鉬絲、鉬棒、不銹鋼等特殊負(fù)載的控制。*整流變壓器、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè)、直流電機(jī)控制。*單相電焊機(jī)控制、高壓靜電除塵設(shè)備、植絨設(shè)備等各種調(diào)壓場(chǎng)合*電壓、電流、功率、燈光等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。一．技術(shù)規(guī)格?功率元件：進(jìn)口單向反并聯(lián)可控硅（晶閘管）模塊?負(fù)載電源：?jiǎn)蜗?20、380VAC±10%50HZ?電流容量：...

P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂...

它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等，主要應(yīng)用于以下負(fù)載：*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*白金漏板、石墨、鉬絲、鉬棒、不銹鋼等特殊負(fù)載的控制。*整流變壓器、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè)、直流電機(jī)控制。*單相電焊機(jī)控制、高壓靜電除塵設(shè)備、植絨設(shè)備等各種調(diào)壓場(chǎng)合*電壓、電流、功率、燈光等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。一．技術(shù)規(guī)格?功率元件：進(jìn)口單向反并聯(lián)可控硅（晶閘管）模塊?負(fù)載電源：?jiǎn)蜗?20、380VAC±10%50HZ?電流容量：...

關(guān)鍵詞：?jiǎn)蜗嗫煽毓桦娏φ{(diào)整器well唯樂摘要：使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器，電力調(diào)整器采用移相控制的方式，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種。今.天給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點(diǎn)。使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器，電力調(diào)整器采用移相控制的方式，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種。今.天給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點(diǎn)。單相交流調(diào)壓調(diào)功一體化技能電力調(diào)整器調(diào)壓使用移相控制辦法，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種辦法。其功用包含：上電緩起動(dòng)、緩關(guān)斷、散熱器超溫檢測(cè)保護(hù)等功用。其特...

10ms內(nèi)截止輸出過熱保護(hù)主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護(hù)輸入電源相序錯(cuò)誤報(bào)警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結(jié)海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個(gè)典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)?，F(xiàn)以調(diào)壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調(diào)節(jié)過程如下：給定信號(hào)(Ug)、電壓反饋信號(hào)(Uf)、電流反饋信號(hào)(If)當(dāng)由于某種原因使調(diào)壓器輸出電壓降低時(shí)(...

選擇價(jià)格便宜、性能很好的熱敏元件AD590，將其加裝在調(diào)整管的散熱片上。當(dāng)溫度達(dá)60℃左右時(shí)，啟動(dòng)風(fēng)扇降溫，當(dāng)溫度回落至40℃左右時(shí)，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)溫度高達(dá)85℃時(shí)，給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號(hào)，關(guān)斷可控硅，進(jìn)而關(guān)斷電路，避免調(diào)整管過熱損壞。電路如圖3所示。AD590的外部特性：0℃時(shí)，其電流為273μA；溫度每上升1℃，電流增加1μA；溫度每下降1℃，電流減小1μA；工作溫度為－50℃～＋150℃；為避免比較器頻繁動(dòng)作或誤動(dòng)作，選擇滯環(huán)寬度為1V。取R＝40kΩ；選擇集成運(yùn)放由單電源＋5V供電，可由CW78M15分壓得到。設(shè)溫度65℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmH，有：設(shè)溫度40℃時(shí)比較器...

新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時(shí)代里，BP機(jī)已成為常用的通信工具。目前，我國BP機(jī)總臺(tái)的發(fā)射設(shè)備都采用進(jìn)口設(shè)備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進(jìn)口電源不帶可控硅部分，而我國電網(wǎng)波動(dòng)較大，為此設(shè)計(jì)了這種低成本穩(wěn)壓電源。該設(shè)計(jì)在串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)上加裝了可控硅相位控制裝置，用調(diào)整管兩端壓降來控制可控硅觸發(fā)的導(dǎo)通角，維持調(diào)整管壓降不變，從而設(shè)計(jì)出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調(diào)整管功耗，實(shí)現(xiàn)了大功率。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成，并加裝了過流保護(hù)、短路保護(hù)、過熱保護(hù)裝置及顯示部分。在220V電網(wǎng)電壓波動(dòng)±1...

控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制...

2具體電路實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價(jià)格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準(zhǔn)電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個(gè)大功率三極管并聯(lián)，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個(gè)管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用...

由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運(yùn)用這種方法時(shí)要說明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí)，萬用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減小），也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在...

該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外，也可為干電池充電。其充電電流可調(diào)。充電終止電壓由RP1預(yù)先確定。開始充電時(shí)，電池組兩端電壓較低，不足以使晶體管VT導(dǎo)通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發(fā)電流。移相角度由RP2決定。負(fù)半周時(shí)可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經(jīng)電池組充電。調(diào)整RP2即可調(diào)整充電電流，比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調(diào)節(jié)指示燈的亮度。當(dāng)電池組電壓慢慢升高，快到預(yù)定值時(shí)，三極管開始導(dǎo)通，可控硅的導(dǎo)通角減小，充電電流下降，直至完全截止，這樣充電自動(dòng)停止，并使電池組保持在預(yù)定電壓上。因?yàn)楫?dāng)電壓下降時(shí)，晶體管又趨向截止，可...

本實(shí)用新型涉及一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器。背景技術(shù)：?jiǎn)蜗嘟涣鞴虘B(tài)調(diào)壓器是集同步變壓器、相位檢測(cè)電路、移相觸發(fā)電路和輸出可控硅于一體，當(dāng)改變控制電壓的大小，就可改變輸出可控硅的觸發(fā)相角，即實(shí)現(xiàn)單相交流電的調(diào)壓。根據(jù)輸出可控硅器件不同分一只雙向可控硅的普通型，兩只單向可控硅反并聯(lián)的增強(qiáng)型和一只單向可控硅的半波型等三類。按單相交流負(fù)載的額定電壓分220V和380V兩類。主要用于工業(yè)電爐、電熱烘箱、燈光照明、變壓器原邊初級(jí)調(diào)壓、風(fēng)機(jī)水泵、力矩電機(jī)等設(shè)備中進(jìn)行調(diào)溫、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速的控制?，F(xiàn)有的單相交流固態(tài)調(diào)壓器自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較差，無法滿足電氣化設(shè)備的發(fā)展需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的...

自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以下實(shí)施例是對(duì)本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1，本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器，其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及...

為G極加上正向觸發(fā)信號(hào)，指示燈亮，說明晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通。若將開關(guān)S斷開，指示燈維持發(fā)光，則說明晶閘管的觸發(fā)能力正常。若將開關(guān)s的K2觸點(diǎn)接通，為G極加上反向觸發(fā)信號(hào)，指示燈熄滅，則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常。4．溫控晶閘管的檢測(cè)(1)判別各電極：溫控晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似，因此也可以用判別普通晶閘管電極的方法來找出溫控晶閘管的各電極。(2)性能檢測(cè)：溫控晶閘管的好壞也可以用萬用表大致測(cè)出來，具體方法可參考普通晶閘管的檢測(cè)方法。圖9是溫控晶閘管的測(cè)試電路。電路中，R是分流電阻，用來設(shè)定晶閘管VT的開關(guān)溫度，其阻值越小，開關(guān)溫度設(shè)置值就越高。c為抗干擾電容，可防止晶閘管vT誤觸發(fā)...

2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?..

P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂...

正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于...

采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來測(cè)試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí)，其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號(hào)為0是，T1-...