EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化

腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。中國臺(tái)灣鍵合機(jī)高性價(jià)比選擇

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。山西免稅價(jià)格鍵合機(jī)晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度，通常*應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。

EVG®301特征

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

單面清潔刷（選件）

用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程

選件

帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)

非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。新疆鍵合機(jī)試用

同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。中國臺(tái)灣鍵合機(jī)高性價(jià)比選擇

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔**單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）中國臺(tái)灣鍵合機(jī)高性價(jià)比選擇

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是一家磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)】的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)?，為客戶提?**的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使岱美儀器技術(shù)服務(wù)在行業(yè)的從容而自信。