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        官方授權經(jīng)銷鍵合機代理價格

        來源: 發(fā)布時間:2020-07-05

        目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。

              本文針對表面帶有微結(jié)構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。

        在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。官方授權經(jīng)銷鍵合機代理價格

        EVG®301技術數(shù)據(jù)

        晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米

        清潔系統(tǒng)

        開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

        腔室:由PP或PFA制成(可選)

        清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)

        旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

        旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))

        超音速噴嘴

        頻率:1MHz(3MHz選件)

        輸出功率:30-60W

        去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

        有效清潔區(qū)域:?4.0mm

        材質(zhì):聚四氟乙烯

        兆聲區(qū)域傳感器

        頻率:1MHz(3MHz選件)

        輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

        去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

        有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

        材質(zhì):不銹鋼和藍寶石

        刷子

        材質(zhì):PVA

        可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)

        可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)



        EVG501鍵合機中芯在用嗎EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng):真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

        EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機中,經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的,彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 高達12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理

        熔融和混合鍵合系統(tǒng):

        熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

        混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接?;旌辖壎ǖ闹饕獞檬歉呒?D設備堆疊。

        EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 EVG和岱美經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持。

        EVG®850LT

        特征

        利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

        適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用

        生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行

        盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP)

        無污染的背面處理

        超音速和/或刷子清潔

        機械平整或缺口對準的預鍵合

        先進的遠程診斷


        技術數(shù)據(jù)

        晶圓直徑(基板尺寸)

        100-200、150-300毫米

        全自動盒帶到盒帶操作

        預鍵合室

        對準類型:平面到平面或凹口到凹口

        對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°

        結(jié)合力:蕞高5N

        鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

        真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。甘肅EVG820鍵合機

        EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結(jié)合了自動光學對準和鍵合操作功能。官方授權經(jīng)銷鍵合機代理價格

        在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。官方授權經(jīng)銷鍵合機代理價格

        岱美儀器技術服務(上海)有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表,擁有一支專業(yè)技術團隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務分為磁記錄,半導體,光通訊生產(chǎn),測試儀器的批發(fā)等,目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務。公司從事儀器儀表多年,有著創(chuàng)新的設計、強大的技術,還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務。岱美儀器技術服務秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。