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        氮化鎵鍵合機代理商
        
                    
        
                        來源：
                        發(fā)布時間：2020-06-28
                    
        
                    
        
                        
        Smart View NT鍵合機特征
適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置）
用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊
通用鍵合對準(zhǔn)器（面對面，背面，紅外和透明對準(zhǔn)）
無需Z軸運動，也無需重新聚焦
基于Windows的用戶界面
將鍵對對準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室
手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成）
Smart View ? NT選件
可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng)
技術(shù)數(shù)據(jù)
基板/晶圓參數(shù)
尺寸：150-200、200-300毫米
厚度：0.1-5毫米
蕞/高堆疊高度：10毫米
自動對準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)
處理系統(tǒng)
3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時結(jié)合了自動光學(xué)對準(zhǔn)和鍵合操作功能。氮化鎵鍵合機代理商
        
	二、EVG501晶圓鍵合機特征：

        

        
	   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

        

        
	   獨特的壓力和溫度均勻性

        

        
	   與EVG的機械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容

        

        
	   靈活的設(shè)計和研究配置

        

        
	     

        

        
	從單芯片到晶圓    

        

        
	各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）   

        

        
	可選渦輪泵（<1E-5 mbar）   

        

        
	可升級陽極鍵合    

        

        
	開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護

        

        
	兼容試生產(chǎn)需求：

        

        
	同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

        

        
	開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護

        

        
	蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡

        

        
	程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容

        

        
	
        

        

        
	以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。
中芯國際鍵合機免稅價格EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。
        封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。
        
	EV Group開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術(shù)，通過消 除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快 速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設(shè)計，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。

        

        
	EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。
EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)和單個用戶帳戶設(shè)置，可以簡化用戶常規(guī)操作。
        
	目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。

        

        
	      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。

        

        
	在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。
EVG鍵合機跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。圖像傳感器鍵合機技術(shù)支持
        EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。氮化鎵鍵合機代理商
        共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。氮化鎵鍵合機代理商
        岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主營品牌有岱美儀器技術(shù)服務(wù)，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，該公司其他型的公司。岱美儀器技術(shù)服務(wù)是一家有限責(zé)任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團隊，具有磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)等多項業(yè)務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)自成立以來，一直堅持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。