Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 標準 處理系統(tǒng) 3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG鍵合機通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。聯(lián)電鍵合機有誰在用

EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。甘肅EVG850 TB鍵合機GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征：

在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時蕞多40個晶圓

處理系統(tǒng)

4個裝載口

特征：

多達八個預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)蕞高吞吐量

光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

臨時鍵合系統(tǒng)：

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時結(jié)合了自動光學對準和鍵合操作功能。吉林鍵合機當?shù)貎r格

GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。聯(lián)電鍵合機有誰在用

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。 聯(lián)電鍵合機有誰在用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團隊，各種專業(yè)設(shè)備齊全。在岱美儀器技術(shù)服務(wù)近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌岱美儀器技術(shù)服務(wù)等。公司堅持以客戶為中心、磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】市場為導(dǎo)向，重信譽，保質(zhì)量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終以質(zhì)量為發(fā)展，把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動力，致力于為顧客帶來高品質(zhì)的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。