EVG曝光光學(xué)：專門開發(fā)的分辨率增強(qiáng)型光學(xué)元件（REO）可提供高出50％的強(qiáng)度，并顯著提高/分辨率，在接近模式下可達(dá)到小于3μm的分辨率。REO的特殊設(shè)計有助于控制干涉效應(yīng)以獲得分辨率。EVG**/新的曝光光學(xué)增強(qiáng)功能是LED燈設(shè)置。低能耗和長壽命是UV-LED光源的**/大優(yōu)勢，因為不需要預(yù)熱或冷卻。在用戶軟件界面中可以輕松、實際地完成曝光光譜設(shè)置。此外，LED需要*在曝光期間供電，并且該技術(shù)消除了對汞燈經(jīng)常需要的額外設(shè)施（廢氣，冷卻氣體）和更換燈的需要。這種理想的組合不僅可以**/大限度地降低運(yùn)行和維護(hù)成本，還可以增加操作員的安全性和環(huán)境友好性。EVG?620 NT / EVG?6200 NT 掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（自動化和半自動化）支持的晶圓尺寸 ：150 mm / 200 mm。臺積電光刻機(jī)樣機(jī)試用

       EV集團(tuán)（EVG）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合機(jī)和光刻設(shè)備的**供應(yīng)商，***宣布已收到其制造設(shè)備和服務(wù)的***組合產(chǎn)品組合的多個訂單，這些產(chǎn)品和服務(wù)旨在滿足對晶圓的新興需求，水平光學(xué)（WLO）和3D感應(yīng)。市場**的產(chǎn)品組合包括EVG®770自動UV-納米壓印光刻（UV-NIL）步進(jìn)器，用于步進(jìn)重復(fù)式主圖章制造，用于晶圓級透鏡成型和堆疊的IQAligner®UV壓印系統(tǒng)以及EVG ®40NT自動測量系統(tǒng)，用于對準(zhǔn)驗證。EVG的WLO解決方案由該公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。

      使用** 欣的壓印光刻技術(shù)和鍵合對準(zhǔn)技術(shù)在晶圓級制造微透鏡，衍射光學(xué)元件和其他光學(xué)組件可帶來諸多好處。這些措施包括通過高度并行的制造工藝降低擁有成本，以及通過堆疊使**終器件的外形尺寸更小。EVG是納米壓印光刻和微成型領(lǐng)域的先驅(qū)和市場***，擁有全球比較大的工具安裝基礎(chǔ)。 半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)用途是什么可在眾多應(yīng)用場景中找到EVG的設(shè)備應(yīng)用，包括高級封裝，化合物半導(dǎo)體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。

EVG6200 NT附加功能：

鍵對準(zhǔn)

紅外對準(zhǔn)

納米壓印光刻（NIL）

EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù)：

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

先進(jìn)的對準(zhǔn)功能

手動對準(zhǔn)/原位對準(zhǔn)驗證

自動對準(zhǔn)

動態(tài)對準(zhǔn)/自動邊緣對準(zhǔn)

對準(zhǔn)偏移校正算法

EVG6200 NT產(chǎn)能：

全自動：第/一批生產(chǎn)量：每小時180片

全自動：吞吐量對準(zhǔn)：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米

對準(zhǔn)方式：

上側(cè)對準(zhǔn)：≤±0.5 μm

底側(cè)對準(zhǔn)：≤±1,0 μm

紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對準(zhǔn)：≤±2,0 μm

NIL對準(zhǔn)：≤±3.0 μm

曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補(bǔ)償：全自動軟件控制

曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

系統(tǒng)控制

操作系統(tǒng)：Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR

實時遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL

EVG ® 120--光刻膠自動化處理系統(tǒng)

EVG ® 120是用于當(dāng)潔凈室空間有限，需要生產(chǎn)一種緊湊的，節(jié)省成本光刻膠處理系統(tǒng)。

新型EVG120通用和全自動光刻膠處理工具能夠處理各種形狀和尺寸達(dá)200 mm / 8“的基板。新一代EVG120采用全新的超緊湊設(shè)計，并帶有新開發(fā)的化學(xué)柜，可用于外部存儲化學(xué)品，同時提供更高的通量能力，針對大批量客戶需求進(jìn)行了優(yōu)化，并準(zhǔn)備在大批量生產(chǎn)（HVM）中使用EVG120為用戶提供了一套詳盡的好處，這是其他任何工具所無法比擬的，并保證了**/高的質(zhì)量各個應(yīng)用領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)，擁有成本卻非常低。

EVG的CoverSpin TM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗，并提高光刻膠涂層的均勻性。

EVG ® 150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米

多達(dá)6個過程模塊

可自定義的數(shù)量-多達(dá)20個烘烤/冷卻/汽化堆

多達(dá)四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載

可用的模塊包括旋轉(zhuǎn)涂層，噴涂，NanoCoat?，顯影，烘烤/冷卻/蒸氣/上等

EV集團(tuán)專有的OmniSpray ®超聲波霧化技術(shù)提供了****的處理結(jié)果，當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層

可選的NanoSpray?模塊實現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層，長寬比**/高為1:10，垂直側(cè)壁

廣/泛的支持材料

烘烤模塊溫度高達(dá)250°C

Megasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影，可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘

HERCULES對準(zhǔn)精度：上側(cè)對準(zhǔn)：≤±0.5 μm；底側(cè)對準(zhǔn)：≤±1,0 μm；紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基材。遼寧光刻機(jī)有哪些品牌

HERCULES可以配置成處理彎曲，翹曲，變薄或非SEMI標(biāo)準(zhǔn)形狀的晶片和基片。臺積電光刻機(jī)樣機(jī)試用

EVG ® 6200 NT掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（半自動/自動）

特色：EVG ® 6200 NT掩模對準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。

技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱，可在**小的占位面積上提供**/先進(jìn)的掩模對準(zhǔn)技術(shù)，并具有**/高的產(chǎn)能，先進(jìn)的對準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件，**短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或完全安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動或自動配置，并配有集成的振動隔離功能，可在廣/泛的應(yīng)用中實現(xiàn)出色的曝光效果，例如薄和厚光刻膠的曝光，深腔和類似地形的圖案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導(dǎo)體）的加工。此外，半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。 臺積電光刻機(jī)樣機(jī)試用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。岱美儀器技術(shù)服務(wù)擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使岱美儀器技術(shù)服務(wù)在行業(yè)的從容而自信。