臨時鍵合系統(tǒng)：

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù)。掩模對準鍵合機研發(fā)生產(chǎn)

用晶圓級封裝制造的組件被***用于手機等消費電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設(shè)備的需求，這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)，可植入醫(yī)療設(shè)備，***數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。

晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 河北熔融鍵合鍵合機晶圓鍵合機（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。

      像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通?？梢栽诰韼C上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200、100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標準），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

可選的

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石

刷的參數(shù)：

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）

自動化晶圓處理系統(tǒng)

掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320，使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染。

可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。襯底鍵合機出廠價

烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。掩模對準鍵合機研發(fā)生產(chǎn)

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 掩模對準鍵合機研發(fā)生產(chǎn)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是一家磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實、誠實可信的企業(yè)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁?**的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。