德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 m）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。吉林德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機通過無掩模技術(shù)實現(xiàn)了復雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。吉林德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸微流體領(lǐng)域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網(wǎng)絡precise建模。

在微流體研究領(lǐng)域，德國 Polos 光刻機系列憑借獨特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無需掩模就能實現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡時，可根據(jù)實驗需求自由設計，快速完成從圖紙到實體的轉(zhuǎn)化。以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動，much提升藥物傳輸效率研究的準確性。同時，在細胞培養(yǎng)實驗中，該光刻機制作的微流體芯片，為細胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境，助力細胞生物學研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機，正推動微流體研究不斷向前。

無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領(lǐng)域，全球布局 6 大技術(shù)中心，服務 500 + 科研機構(gòu)。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 m，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。柔性電子制造：可制備叉指電容器與高頻電路，推動5G通信與物聯(lián)網(wǎng)硬件發(fā)展。吉林德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。吉林德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。吉林德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸