在航空航天科研中，某科研團隊致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測和偵察的微型飛行器。其中，制造輕量化且高性能的微機械部件是關鍵。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術(shù)，助力團隊制造出尺寸precise、質(zhì)量輕盈的微型齒輪、機翼骨架等微機械結(jié)構(gòu)。例如，利用該光刻機制造的微型齒輪，齒距精度達到納米級別，極大提高了飛行器動力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性�；诖�，科研團隊成功試飛了一款新型微型飛行器，其續(xù)航時間和飛行靈活性遠超同類產(chǎn)品，為未來微型飛行器在復雜環(huán)境下的應用奠定了堅實基礎。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。陜西光刻機MAX層厚可達到10微米
一家專注于再生醫(yī)學的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進細胞的生長和組織的修復。Polos 光刻機能夠根據(jù)預先設計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過該光刻機制造的支架，在動物實驗中表現(xiàn)出優(yōu)異的細胞黏附和組織生長引導能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機生產(chǎn)的支架，細胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學的臨床應用提供了有力支持。北京德國POLOS光刻機可以自動聚焦波長能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發(fā)電支持無源物聯(lián)網(wǎng)。
Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 m，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。
SPS POLOS 以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入，光束引擎通過壓電驅(qū)動實現(xiàn)高速掃描（單次寫入400 m區(qū)域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 m間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經(jīng)濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設計實時調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。
一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性，讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求，設計并制作出獨特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業(yè)的關注，有望實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用，為可穿戴設備、智能機器人等領域帶來新的發(fā)展機遇。光束引擎高速掃描：SPS POLOS 單次寫入400 m區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度。陜西光刻機MAX層厚可達到10微米
Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。陜西光刻機MAX層厚可達到10微米
*、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出*場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。陜西光刻機MAX層厚可達到10微米
