技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體、顯示面板等高級(jí)制造的材料，其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化、制程精度匹配、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好?吉田半導(dǎo)體高分辨率 +低 VOC 配方!浙江油性光刻膠
高分辨率：隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進(jìn)，需開(kāi)發(fā)更高精度的EUV光刻膠，解決光斑擴(kuò)散、線(xiàn)寬控制等問(wèn)題。
靈敏度與穩(wěn)定性：平衡感光速度和圖案抗蝕能力，適應(yīng)極紫外光（13.5nm）的低能量曝光。
國(guó)產(chǎn)化替代：目前光刻膠（如EUV、ArF浸沒(méi)式）長(zhǎng)期被日本、美國(guó)企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度，是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一。
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全品類(lèi)覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域，技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達(dá)數(shù)十微米），滿(mǎn)足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
濟(jì)南厚膜光刻膠品牌納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)？吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%！
技術(shù)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體先進(jìn)制程：
EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)），開(kāi)發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；
極紫外吸收問(wèn)題：膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本：
水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；
單層膠工藝替代多層膠，簡(jiǎn)化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。
新興領(lǐng)域拓展：
柔性電子：開(kāi)發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；
光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。
典型產(chǎn)品與廠(chǎng)商
半導(dǎo)體正性膠：
日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；
美國(guó)陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm，缺陷密度＜5個(gè)/cm）。
PCB負(fù)性膠：
中國(guó)容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國(guó)產(chǎn)化率超60%；
日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車(chē)板。
MEMS厚膠：
美國(guó)陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；
德國(guó)Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線(xiàn)寬精度±2%，用于工業(yè)級(jí)MEMS制造。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)：23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹(shù)脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的樹(shù)脂體系，實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，掌握光刻膠主要原材料（如樹(shù)脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)。
細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)
納米壓印光刻膠：在納米級(jí)圖案化領(lǐng)域（如量子點(diǎn)顯示、生物芯片）實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，分辨率達(dá)3μm，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空缺。
LCD光刻膠：針對(duì)顯示面板行業(yè)需求，開(kāi)發(fā)出高感光度、高對(duì)比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體光刻膠，計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)。
負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠(chǎng)家。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類(lèi)別，以滿(mǎn)足不同領(lǐng)域的需求。
厚板光刻膠：JT-3001 型號(hào)，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。
負(fù)性光刻膠
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SU-3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)，重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
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負(fù)性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率、良好的對(duì)比度和高曝光靈敏度，光源適應(yīng)。主要應(yīng)用于對(duì)光刻精度要求高的領(lǐng)域，如半導(dǎo)體器件制造。
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耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝，如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。
光刻膠廠(chǎng)家推薦吉田半導(dǎo)體，23 年專(zhuān)注研發(fā)，全系列產(chǎn)品覆蓋芯片制造與 LCD 面板！上海低溫光刻膠供應(yīng)商
吉田公司以無(wú)鹵無(wú)鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。浙江油性光刻膠
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國(guó)產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過(guò)中芯國(guó)際驗(yàn)證，吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國(guó)內(nèi)光刻膠空白。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達(dá) 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證。該產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與自主配方，突破日本企業(yè)對(duì) ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達(dá) 4:1，性能對(duì)標(biāo)日本信越的 ArF 系列。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國(guó)產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程，為國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)提供高性?xún)r(jià)比解決方案。
浙江油性光刻膠
