吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域，通過(guò)差異化技術(shù)（如納米壓印、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方），滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域（如第三代半導(dǎo)體、Mini LED）的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過(guò)材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù)，尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。
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原料準(zhǔn)備
主要成分：樹(shù)脂（成膜劑，如酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如*甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調(diào)節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等，如表面活性劑、穩(wěn)定劑）。
原料提純：對(duì)樹(shù)脂、感光劑等進(jìn)行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質(zhì)影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環(huán)境，如萬(wàn)中通過(guò)攪拌機(jī)均勻混合，形成膠狀溶液。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產(chǎn)生或成分分解。
過(guò)濾與純化
使用納米級(jí)濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過(guò)濾，去除顆粒雜質(zhì)（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷。
性能檢測(cè)
物理指標(biāo)：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。
化學(xué)指標(biāo)：感光度、分辨率、對(duì)比度、耐蝕刻性，通過(guò)曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測(cè)試驗(yàn)證。
可靠性：存儲(chǔ)穩(wěn)定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過(guò)程中的抗降解能力）。
包裝與儲(chǔ)存
在惰性氣體（如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。
儲(chǔ)存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產(chǎn)品需零下環(huán)境（如EUV光刻膠）。
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光伏電池（半導(dǎo)體級(jí)延伸）
HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm），線寬≤20μm，降低遮光損失。
鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）。
納米壓印技術(shù)（下一代光刻）
納米壓印光刻膠：通過(guò)模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率，用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列（直徑≤20nm）、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
微流控芯片：制造微米級(jí)流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。
生物檢測(cè)芯片：通過(guò)光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn)，精度≤5μm。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。
厚板光刻膠：JT-3001 型號(hào)，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。
負(fù)性光刻膠
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SU-3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)，重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
正性光刻膠
光刻膠半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用。
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LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉(zhuǎn)移和良好涂布效果。
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半導(dǎo)體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝，滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
正性光刻膠
YK-300：適用于半導(dǎo)體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)：采用進(jìn)口樹(shù)脂及光引發(fā)劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對(duì)絕緣性的嚴(yán)苛要求。
負(fù)性光刻膠
JT-1000：負(fù)性膠，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達(dá)3μm，適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強(qiáng)腐蝕液處理。
SU-3：經(jīng)濟(jì)型負(fù)性膠，性價(jià)比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應(yīng)性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm。
2. 顯示面板光刻膠
LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設(shè)計(jì)，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。
水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產(chǎn)品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)，主要供應(yīng)京東方、TCL等面板廠商。
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光刻膠的納米級(jí)性能要求
超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長(zhǎng)）的轟擊，避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm（3nm制程）。
低缺陷率：納米級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)膠層中的顆�；蚧瘜W(xué)不均性極其敏感，需通過(guò)化學(xué)增幅型配方（如酸催化交聯(lián)）提升對(duì)比度和抗刻蝕性。
多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線寬波動(dòng)，開(kāi)發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。
無(wú)掩膜光刻：結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑，直接寫入復(fù)雜納米圖案（如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列），縮短制備周期。
生物基光刻膠：開(kāi)發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
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