在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。重慶PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化圖案靈活性：支持 STL 模型直接導(dǎo)入，30 分鐘完成從設(shè)計到曝光全流程。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 m，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時，可調(diào)節(jié)光束強度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。光束引擎高速掃描：SPS POLOS 單次寫入400 m區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度。

某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm/(Vs)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。掩模制備時間歸零，科研人員耗時減少 60%，項目交付周期縮短 50%。天津德國PSP-POLOS光刻機讓你隨意進行納米圖案化

雙光子聚合擴展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機器人制造。重慶PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化

某基因treatment團隊采用 Polos 光刻機開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導(dǎo)入，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu)，載體的 DNA 負載量達 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實驗顯示，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達 65%，且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細胞treatment中，CAR 基因?qū)�入效率�?30% 提升至 75%，相關(guān)技術(shù)已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化